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公开(公告)号：CN104465750A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410738640.2
申请日：2014-12-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/778 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/66431
Abstract: 本发明涉及一种磷化铟基高电子迁移率晶体管结构及制备方法，其特征在于采用半绝缘单抛的InP(100)衬底，采用GSMBE工艺先在InP衬底上外延生长一层In0.52Al0.48As缓冲层，然后依次生长In0.53Ga0.47As沟道层、In0.52Al0.48As Spacer层、硅德尔塔(Si-δ-doping)掺杂层、In0.52Al0.48As垒层、InP腐蚀截止层、In0.52Al0.48As接触层以及两层掺杂浓度分别为1E19～2E19cm-3和2E19～3E19cm-3的In0.53Ga0.47As和In0.65Ga0.35As接触层。本发明采用GSMBE方式进行外延生长，采用间断生长方法，以保证膜生长方式分为台阶流动式生长，避免形成二维形核式生长。台阶流动式生长优点是外延层一致性和平整性高，而二维形核式生长容易造成表面粗糙，引入生长缺陷。InP基HEMT材料生长，结构简单、成熟，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN102386239A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201010271246.4
申请日：2010-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/868 , H01L29/36 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开了一种平面结构的磷化铟基PIN开关二极管及其制备方法，其结构包括：半绝缘的磷化铟衬底上面依次为InP缓冲层、N型InGaAs高掺杂层、I型InGaAs不掺杂层以及采用碳重掺杂的P型InGaAs高掺杂层；P型高掺杂层上沉积低介电常数材料保护层，二极管的阳极和阴极处于保护层之上的同一平面，通过开窗口分别与P型和N型高掺杂层形成欧姆接触；阳极的接触电极和引出电极之间连接区域的下方刻蚀有沟槽可实现平面的空气桥结构。利用本发明，在不影响器件关断电容的情况下能有效降低导通电阻，同时，平面结构有效降低了工艺难度，提高了工艺成品率，更有利于实现开关二极管的互联集成以及开关单片电路的制备。
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公开(公告)号：CN101591811B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910054392.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III-V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3压力Pv为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III-V族化合物半导体纳米管结构材料。该III-V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。
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公开(公告)号：CN100580889C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200510028370.7
申请日：2005-07-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/31
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，HVPE生长GaN时将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的位错密度，提高了GaN层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN101591811A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910054392.9
申请日：2009-07-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B29/40 , C30B25/02 , H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种GSMBE制备III－V化合物半导体纳米管结构材料的方法，包括：在GSMBE系统中，对衬底进行预处理；将砷烷裂解得到As2用作As源，调节气源炉AsH3压力PV为450～700Torr，并控制各分子束流强度；然后将衬底传递至GSMBE的生长室进行外延生长；通过半导体刻蚀工艺制作图形，经腐蚀后制作成III－V族化合物半导体纳米管结构材料。该III－V族化合物半导体材料体系选择余地大，来源方便，并且可以对纳米管内外壁材料进行掺杂；制备方法操作简单，成本低，适合大规模生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101350298A
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200810042459.2
申请日：2008-09-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜GaN质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的SiO2、SiO或SixNy等点阵作为GaN外延掩模。在氢化物气相外延之前，先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着往孔中注入点阵结构的介质，然后去除AAO，则模板上得到了均匀分布的SiO2纳米粒子的点阵结构，最后将模板置于反应腔内外延生长。由于气相外延的选择性，将开始选择生长在SiO2等点阵外的区域上，最后经过横向外延生长过程连接成完整的GaN膜。降低了外延层的位错密度，且位错密度均匀分布，大大提高厚膜的可利用性。方法简单易行，省略了光刻的复杂工艺，且将掩模尺寸缩小到纳米量级，适于批量生产。
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公开(公告)号：CN1330005C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510023173.6
申请日：2005-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及基于砷化镓基含磷化合物半导体材料的紫外增强光电探测器及制作方法，其特征在于以半绝缘砷化镓单晶材料作为探测器的衬底，在其上采用外延方法生长特定的宽禁带含磷化合物薄膜材料作为有源光吸收层和窗口层，以达到紫外增强光吸收效果并消除其对红外光的响应，并采用合适的掺杂方式在其中构成PN结。外延材料采用特定的选择刻蚀工艺制作出台面结构，经钝化保护后制作出接触电极，并选用相应的抗反射增透膜进一步提高其短波响应。此种光电探测器可应用于火焰探测、紫外和可见光波段光度测量、尾焰跟踪、生物及化学气体检测、紫外线防护等方面，并可与红外波段的光电探测器进行单片或混合集成构成双色探测器。
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公开(公告)号：CN1838384A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610024615.3
申请日：2006-03-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/30 , H01L21/322
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓(GaN)基材料在干法刻蚀中而受损伤的修复方法，其特征在于在是将刻蚀受损的GaN基材料在高真空设备中热退火的同时通入等离子态氮处理，退火温度为用MBE(分子束外延)法生长氮化物外延层的典型生长温度(650～800℃)。真空度为用MBE法生长氮化物外延层的典型真空度(生长室背景压力约为10－9torr，通入氮等离子体时压力为8*10－5torr。)。该方法不仅改善了晶体内部结晶质量，而且有利于去除沉积在材料表面的刻蚀产物，使表面的氮空位得到了补充，相当于在去除受损表面时重新生长了一个薄层的氮化物外延层，从而使受损GaN基材料的电学和光学特性得到回升。
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公开(公告)号：CN1832112A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610024155.4
申请日：2006-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , C23C16/52
Abstract: 本发明涉及一种改变氢化物气相外延(HVPE)生长的氮化镓(GaN)外延层极性的方法，其特征在于采用了中断HCl生长的方法。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在高温下通NH3氮化蓝宝石(Sapphire)，再通HCl生长GaN，此时生长的GaN薄膜表面显示为N极性。生长一段时间后关闭HCl而持续NH3气体1～60min，再打开HCl继续进行生长GaN薄膜。如此反复操作2～10次，则GaN的极性将由表面粗糙的N极性转变为表面光滑Ga极性，而且其位错密度降低，晶体质量提高。这种方法简单易行，仅需要中断HCl几次即可实现GaN材料由N极性到Ga极性的改变。
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公开(公告)号：CN1271544C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200310122883.5
申请日：2003-12-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体材料特性表征的方法及其系统，属于半导体测试技术领域。本发明特征在于采用两个或多个不同波长的单色微光器作为测量光源；用材料的光电导、光伏或光电容等信号作为响应信号，对测量光源进行变频调制，采用锁相放大技术测量光源的调制频率与响应信号幅度间关系，对测量数据进行处理拟合，从而获得有关材料特性的数据。提供的系统由两台或多台不同的波长的单色微光器及进行波长切换的反射镜光路；光调制器、偏置电源、偏置网络及样品架；弱信号扦测的锁相放大器以及计算机控制的数据采集的记录等五部分组成。本发明适用于各类薄膜，外延微结构及体材料半导体特性的测量和表征。
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