一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器

    公开(公告)号:CN100570755C

    公开(公告)日:2009-12-16

    申请号:CN200610050514.3

    申请日:2006-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1~1.7,二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9~1.2,其中的二氧化硅由热氧化法生长,氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行,结构简单,成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。

    湿法腐蚀制造的微机械电容式加速度传感器

    公开(公告)号:CN100492015C

    公开(公告)日:2009-05-27

    申请号:CN200510008053.9

    申请日:2002-04-12

    Abstract: 本发明涉及一种湿法制造的微机械电容式加速度传感器,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的是利用补偿条结构牺牲方法和(110)单晶硅在各向异性腐蚀液中选择性腐蚀特性,采用硅各向异性湿法腐蚀在(110)单晶硅上制造出所需要的电容式加速度传感器结构,电容加速度传感器可动电极和固定电极同时形成在(110)单晶硅上,电容极板间隙为3-15微米。电容的平行电极必须严格对准(111)晶向。本发明提供的方法简化了微机械电容式加速度传感器的制造工艺,提高了电容式加速度传感器的成品率,而且也使制造出来的加速度传感器具有高的灵敏度和输出稳定性。

    二氟化氙气体腐蚀过程中锚的制作方法

    公开(公告)号:CN100439234C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200510112298.6

    申请日:2005-12-29

    Abstract: 本发明涉及一种XeF2腐蚀过程中锚的制作方法,其特征在于将SiO2、SiNx、SiC、Au、Al及Cr等XeF2气体几乎不腐蚀的材料淀积在要保护的锚周围,形成所需要的锚;或者直接采用XeF2气体几乎不腐蚀的材料来制作锚。锚结构有五种:锚由硅材料和覆盖在其周围的保护层材料构成;锚由硅材料、覆盖在其周围的保护层材料及填充层材料构成;锚由保护层材料及填充层材料构成;锚是由保护层材料构成的柱体;锚是由保护层材料构成的薄膜。上述五种锚结构涉及六种制作工艺。本发明的优点在于:一方面可准确控制微结构锚位置,增加单个硅片单元器件的产量,降低生产成本,另一方面还可提高阵列器件(如红外焦平面阵列器件)的占空比,改进器件性能。

    一种低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器

    公开(公告)号:CN101064197A

    公开(公告)日:2007-10-31

    申请号:CN200610050514.3

    申请日:2006-04-26

    Abstract: 本发明公开了一种具有较低谐振频率温度系数的微悬臂梁谐振器。该谐振器采用二氧化硅/硅或二氧化硅/氮化硅双层结构实现悬臂梁谐振频率的温度自补偿。通过理论计算和实验验证表明硅/二氧化硅双层悬臂梁谐振器的硅和二氧化硅薄膜最优厚度之比是1.1~1.7,二氧化硅/氮化硅双层悬臂梁谐振器的二氧化硅薄膜和氮化硅薄膜的最优厚度之比是0.9~1.2,其中的二氧化硅由热氧化法生长,氮化硅由低压气相淀积法(LPCVD)制作。本发明所公开的低温度交叉灵敏度的微悬臂梁谐振器具有温度补偿方法简便易行,结构简单,成本低廉、不需要引入额外的温度传感器、参比悬臂梁和补偿电路等优点。

    微机械电容式加速度传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN1959417A

    公开(公告)日:2007-05-09

    申请号:CN200610118484.5

    申请日:2006-11-17

    Abstract: 本发明涉及一种微机械电容式加速度传感器及制作方法,属于微电子机械系统领域。其特征在于,最为关键的就是通过可动质量块上下两面的弹性梁交错分布,不重合,呈90°交叉或平行分布的设计,利用各向异性腐蚀技术,在(100)单晶硅片上实现在无凸角补偿下矩形质量块的形成,同时在质量块的上下两面形成直弹性梁结构。利用一般的硅硅键合技术实现了三层硅片的键合。在上电极和中间电极引出的制作上,通过可动质量块电极引出通孔和屋檐形遮挡台在一步淀积上电极和可动电极的引线盘的同时,也实现了两个电极之间的电信号隔离。本发明简化了制作微机械传感器的工艺,提高了成品率,在提高器件灵敏度的同时也降低了交叉灵敏度,是一种实用的加速度传感器。

    一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法

    公开(公告)号:CN1915796A

    公开(公告)日:2007-02-21

    申请号:CN200610030990.9

    申请日:2006-09-08

    Abstract: 本发明涉及一种光读出非致冷红外成像阵列器件及其制作方法,其特征在于:由硅衬底上一系列像素单元组成,每个像素单元的两个锚柱立于硅衬底上,支撑像素单元,两条绝热梁一端与锚柱相连接,另一端与“双材料梁-微镜一体化”结构相连接,像素单元与硅衬底之间的间隙构成了红外吸收共振腔;所述阵列器件的制作是首先首先在硅衬底上制作出锚柱,然后根据所选牺牲层腐蚀法用而选择是否生长保护层和选择哪种材料作保护层,然后沉积牺牲层材料和制作结构所需材料,制作出像素单元图形后,再腐蚀掉牺牲层材料,进行结构释放。通过BMB-MM结构既能实现红外敏感,又能调制和输出读出可见光信号,提高填充因子并具有较好的热-机械响应特性和噪声等效温差特性。

    一种微型角速度传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN1291232C

    公开(公告)日:2006-12-20

    申请号:CN03141712.4

    申请日:2003-07-18

    Abstract: 本发明涉及微型角速度传感器及其制作方法。传感器由第一基板及其上的两组检测用交叉梳齿状固定对电极、固定于第一基板上的中央锚点和两侧锚点、第二基板的上表面的中点电极、悬于第一基板上方的可沿第一方向运动的两组全同且对称的驱动质量块、中央锚点与驱动质量块相连接的第一弹性折叠梁、两侧锚点与驱动质量块相连接的第二弹性折叠梁、连接两组驱动质量块的耦合梁、悬于第一基板上方的可沿垂直于第一方向的第二方向运动的两个检测质量块、检测质量块与驱动质量块之间的连接弹性梁、第一弹性折叠梁上的电绝缘层及其上的驱动配线、第二弹性折叠梁上的电绝缘层及其上的感应配线构成。采用微电子机械系统技术,工艺简单、可靠性好。

    一种集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用

    公开(公告)号:CN1866007A

    公开(公告)日:2006-11-22

    申请号:CN200610026523.9

    申请日:2006-05-12

    Abstract: 本发明涉及一种用于检测由特异性分子结合产生表面应力的集成压阻二氧化硅悬臂梁超微量检测传感器、制作方法及应用,其特征在于采用SOI硅片的氧化埋层作为悬臂梁的主体,在上面构建薄层单晶硅压阻敏感器,压阻上面氧化形成薄二氧化硅。在悬臂梁表面淀积薄的贵金属层,其上自组装生长选择特异性识别的单分子敏感膜。在敏感膜分子与检测分子特异性结合时产生表面应力,引起悬臂梁弯曲,进而产生弯曲应力,该应力由位于悬臂梁上表面附近的压阻检测,并通过集成的电桥以电压信号输出。本发明是采用单硅片体微工艺实现单晶硅压阻结构,本发明的特点是器件灵敏度高、分辨率高,结构简单、制作简便。

    一种微型扭转式单刀双置射频开关结构及制作方法

    公开(公告)号:CN1252771C

    公开(公告)日:2006-04-19

    申请号:CN03151462.6

    申请日:2003-09-29

    Abstract: 本发明涉及一种微型扭转式单刀双置射频开关结构及制作方法,其特征在于:(1)MEMS部件和RF传输部分有共同的衬底;(2)射频传输线分别位于驱动电极的两侧;(3)可动部分悬空在射频信号线和驱动电极的正上方,可动部分是由扭转质量块和两个扭转梁构成的;(4)两根扭转梁位于扭转质量块的正中间沿中轴线方向,驱动电极分别在扭转质量块中轴线的两侧。本发明通过淀积,光刻,刻蚀等简单的微机械表面加工技术,制作出低驱动电压的对两条射频信道进行可靠的单选的单刀双置的开关。此结构具有低驱动电压和良好的可靠性的特点,应用于射频通信系统和无线通信系统中以实现性能好、工艺简单、可以批量生产的微机械的射频器件。

    在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法

    公开(公告)号:CN1743261A

    公开(公告)日:2006-03-08

    申请号:CN200510025831.5

    申请日:2005-05-13

    Abstract: 本发明涉及一种在(111)晶面的硅片上纳米梁的结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁由金属线条提供力学支撑,金属线条与衬底间电学绝缘;纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区;同时纳米梁为浅槽区包围,纳米梁下表面与浅槽区的上表面均为(111)晶面;且纳米梁为可动结构,上下自由振动。纳米梁的厚度等于浅槽区底部硅的表面与纳米梁区顶部硅表面的高度差;纳米梁、浅槽区和腐蚀区处于整平区内。本发明是基于分步氧化法(或干法刻蚀)和湿法腐蚀方法制作的,包括区域整平、梁区台阶制作、电学连接与力学支撑结构制作和纳米梁释放四个步骤,纳米梁厚度由分步氧化法或干法刻蚀法决定,具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。

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