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公开(公告)号：CN102280994B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201010198187.2
申请日：2010-06-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M1/36
Abstract: 本发明公开了一种利用脉频和脉宽调制的软启动电路及软启动方法，该电路包括脉宽调制电流源电路，脉频调制电流源电路，振荡器电路，时序控制电路，采样反馈电路；所述脉宽调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的占空比；所述脉频调制电流源电路用以控制所述振荡器电路输出脉冲的频率；所述振荡器电路用以产生脉宽和频率都逐步扩大的脉冲，进而控制时序控制电路；所述时序控制电路用以分别调控所述脉宽调制电流源电路和脉频调制电流源电路；所述采样反馈电路用以采样系统的负载状况，进而使系统选择脉宽调制或脉频调制的工作方式。本发明既可以起到软启动的作用，又可以在系统运行中根据负载的轻重选择脉频调制或脉宽调制的工作方式。
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公开(公告)号：CN101800237A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010107872.X
申请日：2010-02-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24
Abstract: 本发明揭示了一种相变存储器芯片版图结构，所述相变存储器芯片版图包括第一版图区、第二版图区、第三版图区、第四版图区、第五版图区和第六版图区；第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区位于相变存储器芯片版图的中央；第一版图区与第二版图区相连，第二版图区与第三版图区相连，第二版图区与第四版图区相连，第三版图区与第四版图区相连；第五版图区覆盖版图中央、除第一版图区、第二版图区、第三版图区和第四版图区外的其他空白区域；第六版图区均匀分布在相变存储器芯片版图的四周和四角。本发明提出的相变存储器芯片版图结构，芯片版图布局合理，有效减小了压控振荡器噪声以及数字电路的噪声对模拟电路和存储阵列的干扰。
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公开(公告)号：CN114024434B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202111190984.0
申请日：2021-10-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于电源管理芯片的软启动及漏电防护电路，包括：功率管，其源极和漏极到阱区之间分别寄生了第一二极管和第二二极管，其源极或漏极作为输入节点，漏极或源极作为输出节点；第一开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输入节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；第二开关管，其衬底与功率管的衬底相连，源极或漏极与输出节点相连，漏极或源极与功率管的衬底相连；通过电压比较电路、低电压检测锁定输出电路、软启动电路、衬底控制电路和栅极驱动电路相互配合控制功率管的状态实现软启动和漏电防护。
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公开(公告)号：CN115631776A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211143725.7
申请日：2022-09-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/4097 , G11C11/4094 , G11C11/405
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法，其中，相变存储器单元结构包括第一相变器件、第二相变器件、第一选通器件、第二选通器件和第三选通器件；第一相变器件的第一端连接第一位线，第二相变器件的第一端连接第二位线；第一相变器件的第二端、第一选通器件的漏极和第三选通器件的漏极连接在一起；第二相变器件的第二端、第二选通器件的漏极和第三选通器件的源极连接在一起；第一选通器件的栅极和第二选通器件的栅极连接在一起作为相变存储器单元的字线，第三选通器件的栅极连接选通线，第一选通器件的源极和第二选通器件的源极均接地。本发明能够降低相变存储器芯片的成本。
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公开(公告)号：CN113485520B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110911362.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路，包括：OTA电路，包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路在产生上冲电压和下冲电压时会产生电流跳变；下冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制泄放支路；所述泄放支路用于为功率管提供栅极到地的放电通路；上冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制充电支路；所述充电支路用于为所述功率管提供电源到栅极的充电通路。本发明能显著提高LDO瞬态响应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110619908B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201910806731.8
申请日：2019-08-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请实施例涉及神经网络领域。采用本发明提供的突触模块、突触阵列以及基于突触阵列的权重调节方法，通过控制突触模块中的一个开关管处于工作状态，另一个开关管处于非工作状态，进而调节突触模块中的一个忆阻器的电导，而不影响另一忆阻器的电导，实现快速调节突触权重的同时还可以减少操作过程中串扰。此外，还通过一忆阻器存储待存储数据包括的高位数据，另一忆阻器存储待存储数据包括的低位数据，扩展了忆阻器的突触分辨率。
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公开(公告)号：CN106898371A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710102254.8
申请日：2017-02-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法，包括：在对三维存储单元阵列进行读操作时，通过配置模块将所述三维存储单元阵列中的所有位线置为读不选择位线电压，将所述三维存储单元阵列中的所有字线置为读不选择字线电压；待脉冲信号到来后，将要读取的存储单元所在的位线置为读取电压Vread，将要读取的存储单元所在的字线置为0V；其中，所述读不选择位线电压介于Vread/2与Vread之间；所述读不选择字线电压介于Vread/2与Vread之间。本发明降低了位线上半选通单元两端的电压，三维存储器芯片在读操作时功耗变低、速度变快、无全阵列漏电、选中字线上未被选中的存储单元保持半选通。
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公开(公告)号：CN104318955B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201410631642.1
申请日：2014-11-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海市纳米科技与产业发展促进中心
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，用于读出所述相变存储器中被选中的相变存储单元所存储的数据，其中，所述基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路至少包括：虚拟单元，读电路工作电压产生电路，稳压缓冲电路，读电路以及电平转换电路。本发明的基于二极管选通的相变存储器的数据读出电路及读出方法，通过预先产生使读电路能够安全工作的读出电压，有效地避免了存储单元在读取过程中可能产生的读破坏现象；同时，无须通过钳位电路对被选中的相变存储单元所在的位线进行钳位保护，能有效地加快数据读出过程，特别适用于使用二极管作为选通管的相变存储器。
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公开(公告)号：CN103871463B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201410115086.2
申请日：2014-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G11C11/56
Abstract: 本发明提供一种相变存储器阵列堆叠结构及其操作方法，所述相变存储器阵列堆叠结构至少包括：若干相变存储块、全局位线、本地位线、块位线、第一选通门和第二选通门；其中，每块所述相变存储块中包括至少四列相变电阻，每列中所述相变电阻分别对应连接至一块位线，至少两根所述块位线分别连接一第二选通门，至少两个第二选通门连接至同一本地位线，至少两个所述本地位线通过一所述第一选通门连接至所述全局位线。所述相变存储器阵列堆叠结构通过全局位线将所有块位线统一连接在一起，全局位线的最大负载仅由存储块中的块位线长度决定，从而极大的减少了寄生电容的产生，从而避免了大容量的相变存储器中会产生的较大的信号延时和较大的功耗。
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公开(公告)号：CN103929048B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410177999.7
申请日：2014-04-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H02M1/00 , G01R19/175
Abstract: 本发明提供一种开关电源的过零检测电路，至少包括电压输入模块；连接于所述电压输入模块的电压输出模块；通过充放电控制输出电压的电感；控制电感充放电的开关管；将电感与开关管的漏极之间的谐振信号耦合到开关管栅极的耦合电路；用于取出与所述耦合电路输出信号的负电压呈正比的电流并转化为电压输出的谐振取样模块；根据所述谐振取样模块输出的电压产生控制信号的比较控制模块以及产生所述开关管门电压的控制驱动模块。本发明的开关电源的过零检测电路可以大幅度减小脉宽调制电源芯片的面积，提升产品竞争力。
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