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公开(公告)号：CN113485520A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110911362.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路，包括：OTA电路，包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路在产生上冲电压和下冲电压时会产生电流跳变；下冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制泄放支路；所述泄放支路用于为功率管提供栅极到地的放电通路；上冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制充电支路；所述充电支路用于为所述功率管提供电源到栅极的充电通路。本发明能显著提高LDO瞬态响应。
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公开(公告)号：CN112350728B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202011178033.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、开关阵列、电压比较器和逻辑控制模块，所述电容阵列包括N个并联的电容，其中，第一个电容的容值为单位电容的容值C，所述第i个电容的电容的容值为2i‑2C，i≥2；所述开关阵列包括预比较开关，电容开关阵列和电压比较器参考电压开关；所述预比较开关在所述逻辑控制模块的控制下实现在采样阶段对输入电压信号的预比较；所述电容开关阵列在所述逻辑控制模块的控制下按照逐次逼近的逻辑实现采样、保持与电荷重分配的过程；所述电压比较器参考电压开关在所述逻辑控制模块的控制下实现所述电压比较器参考电压的选择。本发明还涉及上述模数转换器的工作方法。本发明可以减少电容阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112859996B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110086387.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压高精度带隙基准电路，包括：正温度电流产生电路，用于产生与绝对温度正相关的电流；负温度电流产生电路，用于产生与绝对温度负相关的电流；高温补偿电路，用于在温度升高时产生高温补偿电流；低温补偿电路，用于在温度降低时产生低温补偿电流；电流电压转换电路，用于采用所述高温补偿电流和低温补偿电流对产生的绝对温度正相关的电流和绝对温度负相关的电流进行补偿，并将补偿后的电流转换为电压。本发明针对曲线特征在高温、低温时引入或引出正温特性补偿电流，具有更好的温度特性，提高了系统的工作性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN112859996A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110086387.7
申请日：2021-01-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种低压高精度带隙基准电路，包括：正温度电流产生电路，用于产生与绝对温度正相关的电流；负温度电流产生电路，用于产生与绝对温度负相关的电流；高温补偿电路，用于在温度升高时产生高温补偿电流；低温补偿电路，用于在温度降低时产生低温补偿电流；电流电压转换电路，用于采用所述高温补偿电流和低温补偿电流对产生的绝对温度正相关的电流和绝对温度负相关的电流进行补偿，并将补偿后的电流转换为电压。本发明针对曲线特征在高温、低温时引入或引出正温特性补偿电流，具有更好的温度特性，提高了系统的工作性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN113485520B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202110911362.6
申请日：2021-08-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明涉及一种无片外电容型LDO瞬态响应增强电路，包括：OTA电路，包括第一支路和第二支路，所述第一支路和第二支路在产生上冲电压和下冲电压时会产生电流跳变；下冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制泄放支路；所述泄放支路用于为功率管提供栅极到地的放电通路；上冲检测电压支路，分别与所述第一支路和第二支路相连，用于根据所述第一支路和第二支路产生的电流跳变控制充电支路；所述充电支路用于为所述功率管提供电源到栅极的充电通路。本发明能显著提高LDO瞬态响应。
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公开(公告)号：CN112367054A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011199579.0
申请日：2020-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种3dB带宽与相位裕度可调的运放补偿电路，包括依次连接的晶体管衬底电平产生电路、多路选择器电路和晶体管电容电路；所述晶体管衬底电平产生电路用于产生多路晶体管电容衬底电压信号；所述多路选择器电路用于从所述多路晶体管电容衬底电压信号中选择一路电压信号作为晶体管电容衬底所需的电压信号；所述晶体管电容电路位于运算放大器的输出端，用于根据所述晶体管电容衬底所需的电压信号调节所述运算放大器的3dB带宽和相位裕度。
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公开(公告)号：CN112350728A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011178033.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03M1/46
Abstract: 本发明涉及一种减少电容阵列的逐次逼近型模数转换器，包括电容阵列、开关阵列、电压比较器和逻辑控制模块，所述电容阵列包括N个并联的电容，其中，第一个电容的容值为单位电容的容值C，所述第i个电容的电容的容值为2i‑2C，i≥2；所述开关阵列包括预比较开关，电容开关阵列和电压比较器参考电压开关；所述预比较开关在所述逻辑控制模块的控制下实现在采样阶段对输入电压信号的预比较；所述电容开关阵列在所述逻辑控制模块的控制下按照逐次逼近的逻辑实现采样、保持与电荷重分配的过程；所述电压比较器参考电压开关在所述逻辑控制模块的控制下实现所述电压比较器参考电压的选择。本发明还涉及上述模数转换器的工作方法。本发明可以减少电容阵列。
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