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公开(公告)号：CN112951916A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110124217.3
申请日：2021-01-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , B82Y40/00 , B82Y10/00
Abstract: 本发明涉及一种基于侧墙工艺的纳米空气沟道晶体管及其制备方法，从下至上包括栅极及栅极绝缘层、保护层和用于形成侧墙结构的辅助层，还包括以侧墙结构作为硬掩模或牺牲层形成的纳米空气沟道。本发明具有高密度集成的潜力，有利于纳米空气沟道晶体管自身、或与其它类型器件的高密度集成；同时也具有规模化制造潜力，有利于降低生产成本、提高生产效率，具有实用价值和实际应用前景。
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公开(公告)号：CN111982323A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201910440473.6
申请日：2019-05-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种热电堆型高温热流传感器及其制备方法，热电堆型高温热流传感器包括：衬底，衬底内形成有隔热腔体；复合介质膜，位于衬底的上表面且覆盖隔热腔体的上表面；电阻块，位于复合介质膜的上表面，且位于衬底的正上方及隔热腔体的正上方；绝缘介质层，覆盖电阻块的表面；金属图层，包括电极及引线，电极位于绝缘介质层的上表面，引线位于绝缘介质层内，电极经由引线与所述电阻块电连接。本发明的热电堆型高温热流传感器的结构简单，热偶对数降低至1至2对，可以承受高温热流冲击，实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量，在高温环境中工作稳定，可靠性强。
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公开(公告)号：CN111725040A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201910769141.2
申请日：2019-08-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体器件领域，特别涉及一种场发射晶体管的制备方法、场发射晶体管及设备，包括：制备基础层；其中，所述基础层上设有栅极；在所述基础层上沉积导电层；在所述导电层的两端沉积源极和漏极；刻蚀所述导电层，得到发射尖端；其中，所述刻蚀采用的方法为聚焦离子束刻蚀。本申请所述的场发射晶体管的制备方法，可实现阵列式的发射尖端，有利于提高整体发射电流和电流稳定性。且经过聚焦离子束刻蚀可以形成更小的发射尖端，局部电场增强作用更好。
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公开(公告)号：CN108751122B
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN201810471981.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维微型加热器及制备方法，制备包括：提供半导体衬底，形成具有平台腐蚀窗口牺牲层；腐蚀半导体衬形成若干个下沉平台结构；形成定义有加热膜区、支撑梁区及电极区的介质薄膜，加热膜区经支撑梁区与电极区连接；制备加热电阻丝、连接引线、电极、电极引线；于介质薄膜上形成薄膜释放窗口；腐蚀半导体衬底形成隔热腔体，以释放出加热膜区及支撑梁区。通过上述方案，本发明的三维加热器具有凹槽形下沉平台结构加热膜区阵列，加热电阻丝排布在下沉平台阵列内部，加热膜区结构稳定、功耗低，加热电阻丝加热分布均匀，具有大的气体接触面积和气体流通速度；在不同下沉平台结构上设置不同形状及布局的加热电阻丝，实现加热膜区热量调整。
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公开(公告)号：CN111574691A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010249769.2
申请日：2020-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种荧光星型聚合物及其制备方法和应用，该聚合物的重复单元的结构式为式I或式II；所述式I的结构式如下所示： 所述式II的结构式如下所示： 式I中，R和R’均为烷基，R和所述R’中的碳原子数均为6～14；式II中，R为烷基，R的碳原子数为6～14。该聚合物是以苯[1,2-b:3,4-b':5,6-b”]三噻吩(TTB)与芴或者咔唑为结构单元的二维聚合物网状结构，该聚合物响应速度快、选择性好、灵敏度高，可以为化学爆炸物荧光检测技术提供有利帮助，也能够应用于发光二极管、生物成像、传感器等领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110203879A
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201910391545.2
申请日：2019-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硅纳米线的制备方法，包括：提供硅片；通过窗口干法刻蚀以形成刻蚀凹槽，该刻蚀凹槽的底壁与埋氧层之间保留有第一剩余顶层硅结构；湿法刻蚀以形成各向异性刻蚀槽，第一剩余顶层硅结构被减薄以形成位于各向异性刻蚀槽的底壁与埋氧层之间的第二剩余顶层硅结构，相邻两个各向异性刻蚀槽之间形成硅间壁；通过对第二剩余顶层硅结构和硅间壁进行氧化，在氧化硅间壁的底部和相邻氧化硅底壁的交界处形成贴附于埋氧层的单晶硅纳米线；去除氧化硅底壁、氧化硅间壁和埋氧层，硅纳米线被悬空而位于腐蚀槽的底部。本发明通过微加工工艺尺寸缩小技术来制备硅纳米线，不仅避免硅纳米线的尺寸偏差，且可以根据需要调整硅纳米线的尺寸且成本低廉。
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公开(公告)号：CN110165043A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201910412250.9
申请日：2019-05-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于黑薄膜的热电红外探测器及其制备方法，方法包括：提供一种半导体单晶衬底，在衬底表面制备出薄膜掩膜，刻蚀出窗口阵列；采用湿法技术腐蚀衬底表面，形成微纳金字塔结构；移除薄膜掩膜，在衬底表面制备单层或复合薄膜，在微纳金字塔结构表面制备出黑薄膜；以黑薄膜为红外吸收区，在其周围制备数条热电偶，然后沉积金属互连线以串联所有热电偶；以及释放所述黑薄膜，制备出基于黑薄膜的热电红外探测器。本发明提出一种黑薄膜制备技术，利用其对光的多次反射损耗增强热电红外吸收率的特性，将其与热电红外探测相结合，明显提高热电红外探测器的探测率和输出响应，增强红外探测性能，并且该方法与CMOS工艺兼容，可批量制备。
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公开(公告)号：CN108074979A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201711236051.4
申请日：2017-11-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L29/10 , G01N27/00
Abstract: 本发明提供一种基于垂直遂穿的场效应晶体管及生物传感器及制备，晶体管制备包括：提供SOI衬底；减薄顶层硅，定义出硅纳米线沟道图形及连接于两端的源区图形及漏区图形；将上述图形转移至顶层硅上，并进行离子注入形成硅纳米线沟道、源区及漏区；减薄源区，并于部分源区表面及纳米线沟道表面形成介质层；于源区的表面制作源电极，于所述漏区表面制作漏电极，并于底层硅或埋氧层上制作栅电极。通过上述方案，本发明的晶体管基于垂直隧穿，包含点隧穿和线隧穿，具有更低的亚阈值斜率，可用于高灵敏的生化分子检测；具有双极特性，可对双向检测结果进行对照，保证检测的准确性；采用高K介质层材料，增强检测的稳定性并提高对生物分子的响应能力。
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公开(公告)号：CN108007580A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711447533.4
申请日：2017-12-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种基于SiC热电材料的高温热流传感器及其制备方法，包括：SiC衬底，具有第一表面和第二表面，第一表面上设有沟槽及由沟槽围绕形成的平台区域；复合介质膜，覆盖沟槽及平台区域；隔热腔体，设于SiC衬底中，由第二表面向内凹入，位于平台区域的部分复合介质膜下方；P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块，位于平台区域的复合介质膜上，且局部位于隔热腔体上方；绝缘介质层，覆盖P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块以及复合介质膜；金属图层，形成于绝缘介质层上，包括电极及引线，将P型SiC薄膜电阻块及N型SiC薄膜电阻块连接形成热电堆。本发明采用具有优异高温性能的单晶SiC作为热电材料，可实现高温恶劣环境中热流密度的快速、准确测量。
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公开(公告)号：CN107871666A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710872129.5
申请日：2017-09-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/10
Abstract: 本发明提供一种垂直堆叠集成的半导体纳米线及其场效应晶体管的制作方法，包括步骤：提供一{100}半导体衬底，在该衬底上制备成对凹槽；采用各向异性腐蚀法腐蚀成对凹槽内衬底材料，槽侧壁形成似锯齿型结构；在凹槽底部制作与其窗口中心对准的新凹槽，再各向异性腐蚀得到新的似锯齿型结构；采用高温氧化技术在成对槽之间的壁上形成被被包裹在被氧化的半导体璧中的垂直堆叠集成的半导体纳米线；最后在该半导体纳米线两端和中间制作源、漏、栅极，形成场效应晶体管。本发明工艺过程简单，仅需采用普通光刻技术等常规MEMS工艺，设备参数设计具有一般性，成本低廉，只需根据目标刻蚀深度控制刻蚀时间即可，可控性高，易于实现。
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