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公开(公告)号：CN104138637A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410403289.1
申请日：2014-08-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供一种小型可遥控的光感基因刺激装置及其控制方法，该装置包括中央处理单元、无线射频模块、开关驱动电路、数字电位器、自动功率控制电路、兴奋光源、光敏二极管、稳压模块及电源。无线射频模块接收外部指令并传送给中央处理单元，开关驱动电路实现兴奋光源的导通与断开形成光脉冲；数字电位器改变光敏二极管的静态工作电流从而控制兴奋光源的初始功率；光敏二极管接收兴奋光源输出光并转换为光电流反馈给自动功率控制电路对出光功率进行反馈调节以实现稳定输出。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，适用于光感基因实验，填补了光基因领域内穿戴式光感基因刺激装置的空白，具有广阔的市场前景。
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公开(公告)号：CN103830847A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410088380.9
申请日：2014-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: A61N5/067
Abstract: 本发明提供了一种可以用于光感基因技术的微型遥控激光器，其内部集成了中央处理单元，通过无线射频模块接收外部指令，控制激光器的输出功率、脉冲频率和占空比等参数。同时，采用金属外壳封装，保证了其良好的散热特性，有效的延长了激光器的使用寿命。加入自动功率控制电路，使得激光器可以在较宽的温度范围内，实现稳定的功率输出。无线射频模块采用蓝牙技术，具有非常强的通用性和兼容性，可以用于连接多种设备，并很有效的控制了成本。内部的中央处理单元具有多路接口，可以外接多种传感器，也可以进行多路控制，具有很强的扩展能力，可实现智能监控。该装置具有功耗低、体积小、稳定性高、控制方便、应用面广、调节迅速的优点，非常适用于光感基因实验。
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公开(公告)号：CN102593718A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210048679.2
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种中红外激光器的制备方法，包括以下步骤：制备氧化硅光栅层：利用等离子体增强化学气相沉积法在器件表面生长一层氮化硅薄膜；利用全息曝光的方法在氮化硅薄膜上制备全息光栅掩膜；采用反应离子刻蚀的方法将光栅图形转移到氮化硅膜上，形成了一层氮化硅的光栅掩膜；在有台面的位置上制备反馈光栅：选择和台面结构相似的光刻版图，在氮化硅的光栅掩膜上制备光刻胶掩膜图形，并在氮化硅的光栅掩膜上制备光栅刻蚀窗口；利用氮化硅和光刻胶双层掩膜，通过ICP刻蚀的方法在器件表面制备光栅，使得光栅完全覆盖在器件所要制备台面的位置上；制备激光器台面。本发明使得分布反馈激光器的性能有所提高。
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公开(公告)号：CN101748367B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200910200648.2
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法，所述的装置由三个以倾斜角固定在蒸镀平台上的承片台构成，使用时首先将解理出腔面的激光器置于承片台上，腔面贴近承片台边缘；然后利用弹簧片固定激光器，激光器的上表面被弹簧片保护；最后将承片台安装在蒸镀平台上，将安装好的蒸镀平台放入蒸镀腔体中进行蒸镀。在蒸镀过程中，由于激光器上表面被弹簧片覆盖，下表面紧贴承片台，并且激光器腔面与蒸发平面成一定倾斜角，激光器的上下表面都受到保护而不会被蒸镀薄膜，有效避免了蒸镀时引入金属短路或者金属电极被绝缘薄膜覆盖的可能性。本发明提供的夹具结构简单，易于加工，加工成本低，使用寿命长，而且该夹具操作简单，容易推广使用。
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公开(公告)号：CN101741011B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200910200647.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置和方法，其利用超高真空镀膜仪和本发明的夹具进行热沉上铟焊料的蒸镀，蒸镀工艺中铟焊料的形状及厚度均可控；然后利用本发明的封装夹具将激光器和热沉放入具有还原气氛的烧结炉中进行封装焊接。利用本发明所涉及的封装方法可以实现半导体激光器芯片的铟焊料封装，使得激光器可以稳定工作在宽温区环境下，有利于推动激光器在宽温区环境下的应用。本发明所涉及的封装方法实施过程简单，所设计的夹具结构简单，便于加工，因此本发明方法容易推广，利用激光器芯片封装的产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101748367A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910200648.2
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于半导体激光器腔面镀膜的装置和方法，所述的装置由三个以倾斜角固定在蒸镀平台上的承片台构成，使用时首先将解理出腔面的激光器置于承片台上，腔面贴近承片台边缘；然后利用弹簧片固定激光器，激光器的上表面被弹簧片保护；最后将承片台安装在蒸镀平台上，将安装好的蒸镀平台放入蒸镀腔体中进行蒸镀。在蒸镀过程中，由于激光器上表面被弹簧片覆盖，下表面紧贴承片台，并且激光器腔面与蒸发平面成一定倾斜角，激光器的上下表面都受到保护而不会被蒸镀薄膜，有效避免了蒸镀时引入金属短路或者金属电极被绝缘薄膜覆盖的可能性。本发明提供的夹具结构简单，易于加工，加工成本低，使用寿命长，而且该夹具操作简单，容易推广使用。
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公开(公告)号：CN1995973B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200610117007.7
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于半导体激光器跳模特性的气体测量方法和使用的传感器，其特征在于利用目标气体对激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对同一激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。所使用的气体传感器的核心是一只具有稳定单模输出和跳模特性半导体激光器和一只光电探测器，适合于不同的气体光路，电路部分构成较简单，易于一体化、小型化和集成化。本发明所述的测量方法及使用的传感器是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，具有很好的通用性。
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公开(公告)号：CN100583397C
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200510029096.5
申请日：2005-08-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205 , H01L21/22 , H01L33/00 , H01S5/343 , C23C16/44
Abstract: 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元系组成的三元系III-V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法，具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含铝多元系III-V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑在全全铝组份变化范围(0≤XAl≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材料。
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公开(公告)号：CN100565804C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200810040201.9
申请日：2008-07-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中采用二氧化硅纳米粒子点阵掩膜及其制备方法，其特征在于采用了SiO2纳米粒子点阵作为GaN横向外延过生长的掩膜。先在GaN模板上电子束蒸发一层金属Al，再采用电化学的方法生成多孔状阳极氧化铝(AAO)，接着沉积一层介质SiO2层，然后用酸或碱溶液去除AAO，这样就在GaN模板上得到了SiO2纳米粒子的点阵分布，经过清洗后，最后把这个模板作为衬底，置于HVPE反应腔内生长GaN厚膜。本发明不仅大大简化了光刻制作掩膜的工艺，而且将掩膜尺寸缩小到纳米量级，金属Al和SiO2层均可采用电子束蒸发、溅射等方法来制备，适合于批量生产时采用。
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公开(公告)号：CN100423428C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200510027803.7
申请日：2005-07-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于短脉冲大电流激光器驱动的一体化电源，由脉冲发生器、脉冲电平转换器、脉冲驱动输出单元、低频直流控制单元以及电流监测输出端和触发电压输出端、激光器波长调谐的低频直流偏置输入端和偏置监控输出端构成。脉冲重复频率10-100KHz，脉冲宽度范围100ns-1μs，且分别独立可调。驱动脉冲电压幅度可在一伏至数十伏范围内设定，电流达数安培乃至数十安培，驱动脉冲电流的占空比调节范围可超过二个数量级，具有高的稳定度，不仅可通过低频或直流偏置对半导体激光器的激射波长进行调谐，而且可用示波器实时测量激光器驱动电流脉冲的波型和幅度，由触发脉冲进行同步。是一种普适的半导体激光器脉冲电源，通用性强。
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