-
公开(公告)号：CN104576785B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410728282.7
申请日：2014-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304 , H01L31/101
Abstract: 本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的研制方法，采用In组分反向递变的砷化物异变缓冲层结构，有望较好释放较大失配InGaAs材料中的应变，降低InGaAs吸收层中缺陷密度，提高器件性能；本发明在波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的结构设计等方法引入了更大的自由度，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN103077995B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310013398.8
申请日：2013-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种利用电子阻挡层降低暗电流的InGaAs探测器及其制备方法。在InkGa1-kAs吸收层中加入应变补偿超晶格电子阻挡层，利用超晶格导带势垒阻挡电子降低暗电流。其制备方法包括：先在衬底上生长高掺杂P型InkAl1-kAs缓冲层，所述缓冲层同时作为下接触层；生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长应变补偿超晶格电子阻挡插入层，掺杂情况与吸收层相同为低掺杂N型；继续生长低掺杂N型InkGa1-kAs吸收层；生长高掺杂N型InkAl1-kAs上接触层，完成此探测器结构材料的生长。本发明能够利用电子阻挡层降低探测器暗电流。
-
公开(公告)号：CN102494606B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110397689.2
申请日：2011-12-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B9/04
Abstract: 本发明涉及一种十纳米量级尺寸及误差光学检测方法，包括以下步骤：利用数字成像显微器件对被测对象进行数码成像；提取数码成像中与被测对象尺寸信息对应的像素位置坐标及强度信息，作为目标信息进行处理统计；根据统计结果获得所需的被测对象的相关尺寸参数及误差参数。本发明可以显著改善光学显微系统的表观分辨率，可以最大限度地消除人为因素的影响使测量数据更加可信可靠。
-
公开(公告)号：CN101811659B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201010128365.4
申请日：2010-03-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于数字合金的非矩形量子结构及其实现方法，其特征在于：通过选择异质外延材料体系和组合设计，采用数字合金的方法实现非矩形的量子结构；所述的数字合金为两种二元或多元合金材料构成。本发明的实现方法可有效地在量子尺度上控制材料组分按设计要求精确变化，从而克服了采用常规生长方法只适合生长组分突变的矩形量子结构的单一性问题，为量子结构和功能的设计和实现引入更大的自由度，并在量子结构的应变及界面控制方面带来好处。本发明既适合于需要采用非矩形量子阱的特殊半导体激光器，也适合于其他新型电子或光电子器件，具有很好的通用性。
-
公开(公告)号：CN103078009A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310013303.2
申请日：2013-01-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种光电探测器芯片制作方法，采用湿法刻蚀隔离成型工艺取代现有的化合物半导体光电探测器芯片加工中干法刻蚀隔离成型工艺；采用以双苯基环丁烯钝化工艺取代现有的化合物半导体光电光电探测器芯片加工中化学气相沉积钝化工艺。本发明旨在最大限度地降低光电探测器制作中由于加工工艺引入的附加暗电流。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103077979A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310005380.3
申请日：2013-01-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/0304
Abstract: 本发明涉及一种GaAs衬底上扩展波长InGaAs探测器结构，使用该结构制备的探测器截止波长大于1.7微米小于3.5微米，在GaAs衬底上外延含铝砷化物材料作为缓冲层和下接触层，InGaAs作为吸收层，并采用含铝砷化物材料作为窗口层和上接触层。本发明的探测器结构可拓展InGaAs探测器及其阵列的应用范围，采用工艺更为成熟、质量更高的GaAs衬底，可降低器件成本、减小衬底缺陷对外延层暗电流的影响，提高量子效率，具有广泛的应用前景。
-
公开(公告)号：CN102540475A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210049218.7
申请日：2012-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用于中红外分布反馈光栅制备的全息曝光光路调整方法，包括以下步骤：通过两个高反镜调整全息曝光系统的入射激光的光路，使入射激光进入全息曝光系统；通过一个反射镜确定入射激光器在曝光平台另一侧的入射点和入射角度，利用反射镜确定的入射点和入射角度作为参考，调整空间滤波器和准直透镜，得到一束扩束的平行光；调整置片台，通过置片台的安装，使扩束后的平行光分为两束相干、平行的光束，两光束在置片台上通过干涉形成明暗相间的条纹。本发明能够减小中红外单模激光器制备工艺的复杂性。
-
公开(公告)号：CN102157599A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010290302.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种用于雪崩光电二极管的能带递变倍增区结构及其制备方法，其特征在于：采用能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构，n为自然数，2≤x≤10；制备方法包括：在生长缓冲层、吸收层、数字递变超晶格过渡层和电荷层后，生长能带梯度递变的n层材料作为倍增区结构。本发明的能带递变倍增区结构可以从本质上提高电子与空穴电离率差，无需外加很高的偏压，从而有利于降低器件的过剩噪声。
-
公开(公告)号：CN101976696A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010292223.1
申请日：2010-09-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应的材料体系及其制备，采用禁带宽度大于In0.53Ga0.47As吸收层材料且大于常规InP的含铝砷化物材料作为上下接触层材料体系实现拓展In0.53Ga0.47As探测器及其阵列短波响应。本发明采用宽禁带透明上接触层和下接触层材料体系，可以减小表面复合并提高量子效率，可利用分子束外延方法或金属有机物气相外延方法无需As/P切换而不间断生长，有利于在生长过程中保持平整的表面态，保证材料的高质量生长，可降低器件噪声，具有很好的通用性。
-
公开(公告)号：CN101741011A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910200647.8
申请日：2009-12-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种使半导体激光器在宽温区可靠工作的低应力封装装置和方法，其利用超高真空镀膜仪和本发明的夹具进行热沉上铟焊料的蒸镀，蒸镀工艺中铟焊料的形状及厚度均可控；然后利用本发明的封装夹具将激光器和热沉放入具有还原气氛的烧结炉中进行封装焊接。利用本发明所涉及的封装方法可以实现半导体激光器芯片的铟焊料封装，使得激光器可以稳定工作在宽温区环境下，有利于推动激光器在宽温区环境下的应用。本发明所涉及的封装方法实施过程简单，所设计的夹具结构简单，便于加工，因此本发明方法容易推广，利用激光器芯片封装的产业化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
102
records
(took 0.061 seconds)
