公开(公告)号：CN104576785A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410728282.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈星佑 ,  顾溢 ,  张永刚 ,  奚苏萍

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L31/03046 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的研制方法，采用In组分反向递变的砷化物异变缓冲层结构，有望较好释放较大失配InGaAs材料中的应变，降低InGaAs吸收层中缺陷密度，提高器件性能；本发明在波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的结构设计等方法引入了更大的自由度，具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN104576785B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201410728282.7

申请日：2014-12-04

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 陈星佑 ,  顾溢 ,  张永刚 ,  奚苏萍

IPC: H01L31/0304 ,  H01L31/101

Abstract: 本发明涉及一种用于高In组分InGaAs探测器的突变弛豫缓冲层，在半导体衬底上外延InAs突变弛豫层，随后在InAs突变弛豫层上外延In组分反向递变的砷化物异变结构材料作为缓冲层。本发明的探测器结构可拓展半导体衬底上波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的研制方法，采用In组分反向递变的砷化物异变缓冲层结构，有望较好释放较大失配InGaAs材料中的应变，降低InGaAs吸收层中缺陷密度，提高器件性能；本发明在波长大于1.7μm的InGaAs红外探测器的结构设计等方法引入了更大的自由度，具有广泛的应用前景。