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公开(公告)号：CN111880124A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010661706.8
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/00
Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域，本发明公开了一种高频可调节磁场探测器的制备方法。该探测器的制备方法具体如下，通过对具有二氧化硅介质层的碳化硅薄膜衬底进行图形化，进而得到待键合碳化硅薄膜衬底，并将该待键合碳化硅薄膜衬底与压电薄膜衬底进行键合，对键合后的薄膜衬底进行退火剥离，得到碳化硅-压电薄膜结构，再通过刻蚀掉该碳化硅-压电薄膜内部的部分二氧化硅介质层，之后通过制备叉指电极、低温快退火等工序，得到该磁场探测器。本申请提供的磁场探测器具有频率高和灵敏度高的特点。
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公开(公告)号：CN111865250A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010661703.4
申请日：2020-07-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种POI衬底、高频声波谐振器及其制备方法，该POI衬底的制备方法包括以下步骤：获取重掺杂SiC衬底和压电衬底；对重掺杂SiC衬底进行多次H离子注入，在重掺杂SiC衬底中形成富H层，获得含富H层的重掺杂SiC衬底；其中，每次注入H离子的能量不同；对含富H层的重掺杂SiC衬底进行退火处理；对压电衬底进行离子注入，在压电衬底的设定深度位置形成缺陷层，获得含缺陷层的压电衬底；将含富H层的SiC衬底的注入面和含缺陷层的压电衬底的注入面进行键合，获得键合结构；对键合结构进行退火剥离处理，使得含缺陷层的压电衬底部分被剥离，形成含压电薄膜的键合结构；对含压电薄膜的键合结构进行后退火处理及对压电薄膜进行表面处理。
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公开(公告)号：CN110970363A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201910470048.1
申请日：2019-05-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/78 , H01L21/762 , H01L21/265
Abstract: 本发明涉及一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法，至少包括：提供一钻石衬底，对钻石衬底上表面进行离子注入，在预设深度处形成缺陷层，并将缺陷层之上的钻石衬底设为衬底薄层；于衬底薄层表面生长同质外延钻石薄膜层；于钻石薄膜层表面形成第一键合介质层；提供一异质衬底，于异质衬底上表面形成第二键合介质层；将第一键合介质层与第二键合介质层进行键合，形成键合结构；沿缺陷层剥离键合结构，形成异质结构；对异质结构的剥离面进行表面处理，去除残留的缺陷层及衬底薄层。本发明通过离子注入与键合工艺，将同质外延的单晶钻石薄膜集成于异质衬底上，得到大面积、高质量的钻石薄膜，为光子、量子传感器件应用提供一个先进的材料平台。
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公开(公告)号：CN109678106A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811347796.2
申请日：2018-11-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C3/00
Abstract: 本发明涉及一种硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构的制备方法，包括提供碳化硅单晶晶片，通过氢离子注入在碳化硅单晶晶片中形成注入缺陷层并提供碳化硅单晶薄膜；在碳化硅单晶晶片或碳化硅单晶薄膜上外延生长4H-SiC单晶薄膜；将所述4H-SiC单晶薄膜与一硅支撑衬底键合，得到包括碳化硅单晶晶片、4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；剥离，得到包括碳化硅单晶薄膜、4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的复合结构；表面处理以除去碳化硅单晶薄膜，得到包括4H-SiC单晶薄膜和硅支撑衬底的硅基异质集成4H-SiC外延薄膜结构。本发明的制备方法得到的集成薄膜结构不存在结晶质量差的问题。
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公开(公告)号：CN116741639B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202310736843.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H10D30/01 , H01L21/683 , H10D30/60
Abstract: 本申请公开了一种半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法通过在第一碳化硅衬底上同质外延一外延层；在外延层中形成的外延缺陷层制作掺杂阱区，并与第二碳化硅衬底进行键合；第一碳化硅衬底的衬底质量高于第二碳化硅衬底的衬底质量；沿外延缺陷层剥离包含第一碳化硅衬底在内的部分器件结构并对剥离表面进行后处理，暴露经剥离的外延层中的第二面；并将经导电处理后的第二面与硅衬底进行键合；去除第二碳化硅衬底，并激活键合界面以及制备栅氧层及金属层，形成半导体器件。从而解决了在硅衬底上外延碳化硅的难题，并且能充分发挥碳化硅材料自身的优异性能，提高半导体器件的性能，同时降低了对高质量碳化硅材料的依赖和器件成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116880009B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202310878973.4
申请日：2023-07-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及集成光子学技术领域，尤其涉及一种碳化硅微盘谐振器、制备方法及光通信设备。谐振器包括碳化硅器件层；碳化硅器件层包括微盘谐振腔、波导和至少一个光栅；微盘谐振腔内形成有预设类型的色心；波导包括连接端和至少一个光栅耦合端，连接端与微盘谐振腔的边沿相接，每个光栅耦合端对应连接一个光栅；波导用于将输入光栅的激发光波传输至微盘谐振器，以激发色心发光；波导还用于耦合色心所发出的色心荧光，并将色心荧光传输到光栅；光栅用于接收输入激发光波，以及将色心荧光发射出微盘谐振器。通过在碳化硅器件层中集成微盘谐振腔、波导和光栅，可以直接将预设类型色心发出的光耦合发射出来，实现对碳化硅材料中的自旋缺陷的利用。
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公开(公告)号：CN113120857B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202110400994.6
申请日：2021-04-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。
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公开(公告)号：CN116774469B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202310737309.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及微电子器件领域，尤其涉及一种器件的制备方法及结构。方法包括：对第一碳化硅衬底进行离子注入，得到第一待键合结构；对第二碳化硅衬底进行修整处理；将第一待键合结构和第二碳化硅衬底进行键合，得到第一键合结构；基于第一键合结构进行碳化硅剥离，得到碳化硅外延基底；在碳化硅外延基底上制备碳化硅外延层，得到第二待键合结构；将第二待键合结构的碳化硅外延层和第三碳化硅衬底基于介质层进行键合，得到第二键合结构；将第二键合结构中的碳化硅外延基底去除，得到复合衬底；在复合衬底的待刻蚀区域制备调制器件结构，得到器件。本申请可以基于载流子色散的机制，实现碳化硅的高效光调制的解决方案。
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公开(公告)号：CN116819805B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310736866.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G02F1/015
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种基于碳化硅载流子的光调制器制备方法及光调制器。通过基于碳化硅衬底进行同质外延得到N型低掺杂碳化硅薄膜层，后续对N型低掺杂碳化硅薄膜层再进行N型不同浓度的掺杂以及P型掺杂，以形成能够实现载流子色散效应的掺杂层，然后通过先与第一支撑衬底键合，以去除碳化硅衬底，再与第二支撑衬底键合，并去除第一支撑衬底，从而得到能够避免光在N型低掺杂碳化硅薄膜层向衬底泄露的高效和高速的光调制器。
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公开(公告)号：CN117512777A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311596989.2
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种氟化钙单晶材料的表面处理方法，包括对待处理氟化钙单晶材料进行化学机械抛光；在化学机械抛光过程中采用的化学抛光液包括二氧化硅抛光液；对抛光后的氟化钙单晶材料进行多步清洗，并干燥，得到目标氟化钙单晶材料。本申请采用二氧化硅抛光液进行化学机械抛光，并配合多步清洗，对氟化钙单晶材料进行表面处理，能够实现对氟化钙单晶材料的表面的超高精度处理，大大降低氟化钙单晶材料表面的粗糙度和颗粒度，避免在加工过程中对氟化钙单晶材料表面造成脆性破裂和划痕等表面或亚表面损伤，提升氟化钙单晶材料的面型精度和表面质量。
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