公开(公告)号：CN113120857B

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202110400994.6

申请日：2021-04-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  王成立 ,  伊艾伦 ,  沈晨 ,  张加祥

IPC: B81C1/00 ,  G02B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。

公开(公告)号：CN113120857A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202110400994.6

申请日：2021-04-14

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  王成立 ,  伊艾伦 ,  沈晨 ,  张加祥

IPC: B81C1/00 ,  G02B1/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本申请涉及一种光学微纳结构的制备方法，通过获取异质复合衬底；异质复合衬底从上至下依次包括薄膜层、绝缘层和支撑衬底；薄膜层由硅材料制成；对异质复合衬底进行离子束切割，得到光学微纳结构；光学微纳结构包括由于离子束切割造成的损伤层，损伤层位于薄膜层；对光学微纳结构进行退火处理，于损伤层的位置处形成二氧化硅层；二氧化硅层的厚度大于损伤层的厚度；去除二氧化硅层，使得损伤层一并去除，得到未被损伤的光学微纳结构。如此，可有效去除离子束对材料的损伤，从而得到高性能光学微纳结构。