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公开(公告)号：CN115505859A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202211368131.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C22F1/08 , C23C8/20 , C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种提高铜基合金衬底上多层石墨烯覆盖率的方法，包括以下步骤：S1：铜基合金衬底退火；S2：通入碳源开始石墨烯生长，按氢碳比的不同分为三个阶段：第一阶段，以(80～10000):1的高氢碳比气氛维持一定时间，使石墨烯无法在衬底表面形成，保证足量碳源均匀溶入铜基合金衬底；第二阶段，相比第一阶段降低气氛中的氢碳比使其低于80:1，维持一定时间，使衬底表面迅速形成单层石墨烯；第三阶段，相比第二阶段同时降低氢气和碳源浓度并降温，实现多层石墨烯生长；S3：结束生长。本发明方法操作简单，重复性好，不仅可以明显提高铜基合金衬底上多层石墨烯的覆盖率，而且有利于提高多层石墨烯层数均匀性。
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公开(公告)号：CN111422860A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010137684.5
申请日：2020-03-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种反向转移石墨烯的方法，涉及石墨烯技术领域。本发明的反向转移石墨烯的方法，对由金属衬底上生长形成的石墨烯的上下两个表面，涂覆不同溶解性质的胶体，利用两种胶体溶解性的不同，将石墨烯的上下表面颠倒进行转移至目标衬底上，相对于现有技术，本发明解决了现有技术中将石墨烯反向转移到目标衬底，尤其是硬质衬底比较困难的问题。本发明的反向转移石墨烯的方法，操作简单方便，由于实现了石墨烯的反向转移，为扩大石墨烯的应用范围奠定了基础，具有很强的可操作性和实用价值。
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公开(公告)号：CN105021621B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN109650383A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201811592288.0
申请日：2018-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/186
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，制备方法包括步骤：提供生长衬底，且生长衬底具有生长表面；提供固态氧源，并使固态氧源与生长表面之间保持一定间距；以及提供石墨烯生长气体，并通过固态氧源提供氧源，以基于石墨烯生长气体及氧源于生长表面上生长石墨烯。通过上述技术方案，本发明通过在石墨烯生长过程中提供氧源的方式，控制石墨烯的成核密度，控制石墨烯晶畴的尺寸，并通过固态氧源远程供氧的方式，解决了供氧过程中存在安全风险、衬底表面平整度下降以及供氧量低、容易引入杂质等问题，实现了重复性高、高效、安全的供氧，适用于CVD石墨烯的批量制备。
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公开(公告)号：CN106882792B
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201510933644.0
申请日：2015-12-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明提供一种干法转移金属衬底上石墨烯的方法，包括：1）将长有石墨烯的金属衬底置于目标衬底上，并将所述石墨烯面朝目标衬底；2）将放置好的长有石墨烯的金属衬底和目标衬底放入反应器中，在保护气氛下，升温至金属衬底熔化温度或以上，使所述金属衬底熔化收缩成金属小球，所述石墨烯附着于目标衬底上，保温预设时间后在保护气氛下降至室温，以将所述石墨烯转移至目标衬底上。本发明的方法重复性高、简单易行，用于微电子和光电子领域用高质量石墨烯的规模批量转移；本发明转移过程属于物理过程且无需其他液态或者固态试剂辅助，转移过程不会引入其他杂质，可有效避免非故意掺杂，降低了转移过程对石墨烯电学性能的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104807810B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201410032320.5
申请日：2014-01-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01N21/75
Abstract: 本发明提供一种利用石墨烯判定铜衬底表面晶向的方法，至少包括以下步骤：1）提供一长有化学气相沉积（CVD）石墨烯的铜衬底，所述石墨烯中具有皱褶区域；2）将长有石墨烯的铜衬底置于氧化气氛中进行氧化，皱褶区域下方的铜衬底会被优先氧化形成氧化条纹；3）依据所述铜衬底表面氧化条纹的分布情况判断所述铜衬底的表面晶向。本发明的判定方法重复性高、简单易行，成本较低，可以方便了解用于化学气相沉积法生长石墨烯的多晶铜衬底的表面晶向分布状况。
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公开(公告)号：CN103353276B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201310237684.2
申请日：2013-06-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01B11/00
Abstract: 本发明涉及一种便于观察金属衬底上CVD石墨烯表面褶皱分布的方法，包括：将长有石墨烯的金属衬底置于氧化性气氛中，以氧化石墨烯褶皱处的金属；然后将氧化后的金属衬底置于光学显微镜下观察，纳米级褶皱分布情况在光学显微镜下清晰显现出来；所述的金属衬底为铜、镍或者铜镍合金。本发明的表征方法重复性高、简单易行，使这些处理前需要超高放大倍数显微镜才能观察到的纳米级褶皱分布在低放大倍数光学显微镜下能够清晰地显现出来。
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公开(公告)号：CN103924207B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201310009300.1
申请日：2013-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23C16/26
Abstract: 本发明涉及一种增强泡沫铜在较高温度下抗氧化能力的方法，包括以下步骤：将泡沫铜放入无氧反应器中，抽真空并通入惰性气体，加热使泡沫铜达到一定反应温度；向无氧反应器中通入含碳气体，在一定气压下反应一定时间，待炉内温度冷却至室温，得到的泡沫铜表面覆盖了一层致密的超薄碳膜，使得泡沫铜在较高温度下的抗氧化能力与未处理前相比明显提高，并且不会对泡沫铜的其他各种物理参数造成明显影响。本发明重复性高、简单易行。
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公开(公告)号：CN105021621A
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：CN201410181069.9
申请日：2014-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的表征方法，至少包括以下步骤：提供一形成于衬底上的石墨烯，将所述石墨烯连同其下的衬底一起放入腐蚀性溶液中浸泡预设时间，然后取出所述石墨烯及所述衬底，将所述衬底放置于显微镜下，观测所述衬底上石墨烯的表面形貌，并根据所述石墨烯下方所述衬底的腐蚀程度判断所述石墨烯表面的破损情况。本发明的石墨烯表征方法通过低倍显微镜就可以检验石墨烯表面是否存在微小尺寸的破损，表征范围大、可重复性高、简单易行，可以有效降低表征成本，提高表征效率。
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公开(公告)号：CN103965839A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310045979.X
申请日：2013-02-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种柔性导热垫片的制备方法，包括以下步骤：提供一泡沫金属；提供一导热材料；将所述导热材料填入该泡沫金属中，形成导热垫片。本发明将导热性能较好并且尺寸合适的材料填入泡沫金属的空隙当中，得到的导热垫片与处理前的泡沫金属以及填充材料相比导热能力更强，并且保留了泡沫金属较好的柔韧性；通过调节泡沫金属本身的厚度、孔隙率等参数以及填充材料的种类、组份，质量等参数可以控制所得导热垫片的厚度、导热系数、柔韧性等；得到的导热垫片可以裁剪成任意形状。本发明重复性高、简单易行。
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