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公开(公告)号：CN115219040A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210634977.3
申请日：2022-06-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本申请适用于显微热成像技术领域，提供了瞬态热反射测试方法、系统、装置及终端设备，该瞬态热反射测试方法包括：获取被测器件的热反射系数和被测器件在周期激励条件下热平衡后的平均温度；在周期激励条件不变的情况下，选定测量时延和参考时延，基于测量时延和参考时延，得到相机测量灰度值和相机参考灰度值；基于相机测量灰度值、相机参考灰度值、热反射系数和平均温度，得到测量时刻被测器件的温度；将被测器件的温度按照测量时延从小到大的顺序排序，得到被测温度随时间的变化情况。本申请瞬态热反射测试结果受强度漂移的影响较小，提高了测试结果的准确度。
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公开(公告)号：CN113512755B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202110760674.1
申请日：2021-07-06
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种磁场下浸入式磷化物合成及生长装置，属于半导体材料制备领域，特别是在静态磁场作用下，采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层，所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合成系统，注入合成系统承载红磷，在驱动装置的作用下，沉入坩埚。采用本发明提供的装置，红磷以固体的形式沉入熔体，气化后从坩埚底部上浮，克服了采用磷泡产生的倒吸等问题；横向静磁场抑制气泡上浮速率，同时抑制温度梯度方向的熔体对流，使合成过程更加平稳、迅速。
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公开(公告)号：CN113174630B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202110376840.8
申请日：2021-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种大尺寸半导体单晶生长系统，属于单晶制备领域，具体涉及晶体生长装置，特别涉及大尺寸尤其是超长长度晶体的生长系统。系统包括2个或2个以上的主体立柱，设置在主体立柱之间的主炉体，主炉体为开放的圆筒，系统还包括与主炉体配合的晶体生长空间的控制装置以及设置在隔板上的原料注入装置。采用本装置，炉体随着晶体的长大而伸长，减小热场对流对晶体质量的影响；原料注入装置可以实现对承载注入系统的冷却，可以在较小的坩埚内通过原料注入实现连续合成进行晶体生长，节约能源和相关的耗材。
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公开(公告)号：CN114824716A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210423545.8
申请日：2022-04-21
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： H01P5/12
摘要： 本发明提供一种三等分功率分配器及微波发射系统，其中，三等分功率分配器包括：一个第一一分二功分器和两个第二一分二功分器；第一一分二功分器的分配比为1:1，第二一分二功分器的分配比为1:2，第一一分二功分器的输入端作为信号输入端，第一一分二功分器的两支路的末端分别通过特性阻抗微带线连接一个第二一分二功分器，两个第二一分二功分器的小功率支路汇合成第二信号输出端，两个第二一分二功分器的大功率支路的末端分别连接特性阻抗微带线作为第一信号输出端和第三信号输出端。本发提供的三等分功率分配器结构简单、性能较高。
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公开(公告)号：CN112097951B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010872383.7
申请日：2020-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置及漂移修正方法，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的散射片和准直透镜之间，且位于准直透镜的焦面上；调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，使得可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对采集图像的误差的影响，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN113249778B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110376836.1
申请日：2021-04-08
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 一种大尺寸化合物半导体单晶制备方法，属于单晶制备领域，具体涉及晶体制备方法，特别涉及大尺寸尤其是超长长度化合物半导体单晶的制备方法，使用大尺寸单晶生长系统实现；大尺寸单晶生长系统包括晶体生长空间的控制装置和炉体内的原料注入装置。在原料合成和晶体生长过程中注入原料，并根据单晶的长度调节生长空间。由于存在多次缩颈处理，可以降低晶体本身的热应力，防止长得太长而断裂，同时大幅降低多次生长过程中缺陷的产生及原有缺陷的延伸；这种结构可以不受高压制备设备尺寸的限制。原料承载注入系统可以实现对承载注入系统的冷却，实现连续合成，或者间歇合成。
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公开(公告)号：CN113308738A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110606788.0
申请日：2021-06-01
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明公开了一种注入合成后连续LEC与VGF结合制备化合物半导体晶体的方法，包括步骤A、将制备化合物的系统抽真空并充入惰性气体；步骤B、加热使合成坩埚内的金属原料和氧化硼Ⅰ熔化；步骤C、加热使氧化硼Ⅱ熔化，合成注入系统向下移动使注入合成管的端部移动至合成坩埚的金属原料内合成第一熔体；步骤D、缓慢降低VGF坩埚内的压力使第一熔体进入VGF坩埚内形成第二熔体等步骤。本发明的上部为VGF生长部，下部为合成部；通过倒吸进入VGF生长部，同时VGF生长部配置籽晶杆和观察系统，还能进行气体控制。实施在开始LEC高温度梯度引晶体和放肩，然后利用已经长大的晶体进行低温度梯度下的VGF晶体生长，实现较高成品率下制备高品质低缺陷晶体。
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公开(公告)号：CN110760932B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201911155615.0
申请日：2019-11-22
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明一种利用铟磷混合物制备磷化铟晶体的方法，属于半导体技术领域，包括制备铟磷混合球、装料、保持高炉压和铟磷混合球低温、熔化覆盖剂、投料、合成与晶体生长步骤，是利用配比好的铟磷混合球直接熔化进行合成。将铟粉和磷粉混和均匀并压制成球状铟磷混合颗粒，再将铟磷混合球与氧化硼粉的混合物投入到具有氧化硼覆盖剂的熔体中，合成后原位进行晶体生长。该方法具有反应时间短、效率高、节省原材料的优点，并且可有效降低材料被沾污的风险，节省工序，降低材料制备成本。
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公开(公告)号：CN112097951A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010872383.7
申请日：2020-08-26
申请人： 中国电子科技集团公司第十三研究所
摘要： 本发明适用于图像处理领域和显微成像领域，提供了一种光热反射显微热成像装置及漂移修正方法，该装置包括：在原光热反射显微热成像装置上增加调制片和调光装置；调制片设置在所述原光热反射显微热成像装置中的散射片和准直透镜之间，且位于准直透镜的焦面上；调光装置设置在所述原光热反射显微热成像装置的光路上，用于使经调制片调制后的照明光不经被测样品表面直接在像面成像。由于采用的光热反射显微热成像装置中增加的调制片和调光装置，使得可以有效抑制光源强度漂移和相机响应度漂移对采集图像的误差的影响，并且不需要对被测物温度进行调制，即可实现对静态目标的温度测量。
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公开(公告)号：CN111411400A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010305336.4
申请日：2020-04-17
申请人： 中国电子科技南湖研究院 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC分类号： C30B33/06
摘要： 一种高纯半导体单晶的热等静压连接方法，属于半导体材料制备领域，具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式实现晶体间的固态连接，制备成大尺寸单晶的方法。在于包括以下步骤：选取物理特性整体相近且拼接面晶向精度基本一致的半导体单晶块；对半导体单晶块的拼接面进行定向、抛光、酸洗处理；将加工后的单晶块，拼接面与拼接面对接，装配成一体；将装配好的单晶块，放置于热等静压炉体中进行加热和加压处理，完成单晶块间的固态连接。有益效果：1、可以实现将小尺寸的单晶块连接制备成大尺寸的单晶，2、设备简单，3、制备过程中，不必考虑位错、孪晶、多晶化等在传统单晶生长过程中需要注意的问题，4、理论上可以制备任意尺寸的单晶。
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