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公开(公告)号：CN117012541B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311264390.9
申请日：2023-09-28
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于电感、线圈技术领域，尤其涉及一种高密度柔性微纳线圈的可控剥离制备方法，解决了背景技术中的技术问题，其包括准备刚性硅基底并在上表面粘贴聚酰亚胺胶带，在聚酰亚胺胶带上制作单层MEMS微纳线圈，之后旋涂光敏性聚酰亚胺膜；重复制作线圈以及旋涂光敏性聚酰亚胺膜，直至线圈的总层数达到要求；最终在最顶层旋涂作为应力绝缘层的光敏性聚酰亚胺膜进行封装；将成品整体浸泡于丙酮溶液，一定时间后将多层微纳线圈整体从刚性硅基底上剥离，得到柔性微纳线圈。聚酰亚胺胶带下表面的聚氨酯胶与有机溶剂丙酮发生反应，减少胶带的粘附力，应力绝缘层的张应力驱动膜层结构产生
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公开(公告)号：CN116887662B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311139761.0
申请日：2023-09-06
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/01 , G01H11/08 , G01R29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于传动梁结构的硅基铌酸锂压电振动传感器及制备方法。所述传感器包括Si基底，Si基底表面生长一层SiO2薄膜后与LiNbO3晶片键合后构成Si‑LiNbO3键合片；Si‑LiNbO3键合片经MEMS工艺形成基底边框、中心质量块及四条悬臂传动梁；悬臂传动梁由呈垂直布置的宽梁和窄梁构成，宽梁端部与中心质量块的侧面连接，窄梁端部与基底边框的侧面连接；四条悬臂传动梁规则布置于基底边框和中心质量块之间。本发明设计合理，由于铌酸锂在高温环境下可以保持很好的压电特性，这对于极端环境下的振动信号监测具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116944006A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311203223.3
申请日：2023-09-19
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种d11工作模式驱动的PMUT单元及其制备方法，解决了现有PMUT性能较低的技术问题，该方法包括在SOI片上表面制备压电层；在压电层上制作上电极；在SOI片下表面沉积二氧化硅层，在二氧化硅层的下表面向上刻蚀漏出SOI片的埋层；对二氧化硅层和SOI片中的埋层进行腐蚀，得到PMUT单元的空腔结构。本发明提供的PMUT单元采用压电材料表面横向伸缩工作模式膜薄压电层与振动层产生位移差，实现弯曲振动，可用于超声成像，同时可提高输出电压及相应灵敏度；该方法避免了压电层图形化过程中刻蚀工艺复杂、困难问题，该方法简单，可应用于医疗、工业、生物特征识别等领域。
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公开(公告)号：CN116566159A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310840865.8
申请日：2023-07-11
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于发电技术领域，尤其涉及一种叠层滑轨式振动能量采集器，解决了背景技术中的技术问题，其包括多个相连的能量采集单元；能量采集单元包括第一半圆筒、第二半圆筒、第三半圆筒、上端盖和下端盖，第一半圆筒、第二半圆筒拼接成圆筒结构；第二半圆筒开有滑槽，第三半圆筒设有与滑槽滑动配合的限位卡块，第一半圆筒上设置有多个线圈插槽，第三半圆筒上设置有多个磁铁插槽，相邻滑动磁铁的同极相对，上、下端盖连接至圆筒结构的两端，第一半圆筒底部设有卡环，卡环与下端盖间设有固定磁铁。该结构叠层式集成化设计，形成多个滑动磁铁‑线圈发电单元，提升了输出功率，变频调整可使能量采集单元与外部工作环境发生共振以达到最大输出。
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公开(公告)号：CN115697016B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202211687980.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/01 , H10N30/072 , H10N30/30 , G01H11/08
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于d15和d22的叉指型压电振动传感器及制备方法，通过将铌酸锂和硅基片在低温条件下键合在一起，再进行减薄和抛光工艺；在铌酸锂表面通过溅射和剥离工艺制备叉指电极；此后，在铌酸锂表面刻蚀压电悬臂梁和质量块；在硅基片背面进行空腔和器件释放从而完成压电振动传感器件的制备。本发明制备的压电振动传感器通过差分电荷的形式进行电荷采集，极大地改善了矩形悬臂梁应力分布不均匀导致的的电荷分布不均匀问题，制造工艺简单，成品率高和重复性好，适用于宽频高加速度的测试环境中，对于极端环境中振动信号采集具有很好的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116171095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310436129.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/853 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
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公开(公告)号：CN116337995A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310374459.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 中北大学
IPC: G01N29/036 , B81B7/02
Abstract: 本申请实施例提供一种谐振式NO2气体传感结构，包括：栅极基底；绝缘层：设置于栅极基底上；电极层：设置于绝缘层上，主要由间隔位于绝缘层上的源极电极和漏极电极构成；沟道：设置于绝缘层上，且位于源极电极和漏极电极之间；石墨烯单层薄膜：设置于电极层上，且悬浮于沟道的上方；本申请中的气体传感结构，结构和制备工艺简单，制备成本低，功耗低，气体质量灵敏度高，兼容性强利于集成，能够实现批量化制备。
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公开(公告)号：CN116230811A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310478329.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , B82Y40/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
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公开(公告)号：CN115697016A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211687980.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/01 , H10N30/072 , H10N30/30 , G01H11/08
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于d15和d22的叉指型压电振动传感器及制备方法，通过将铌酸锂和硅基片在低温条件下键合在一起，再进行减薄和抛光工艺；在铌酸锂表面通过溅射和剥离工艺制备叉指电极；此后，在铌酸锂表面刻蚀压电悬臂梁和质量块；在硅基片背面进行空腔和器件释放从而完成压电振动传感器件的制备。本发明制备的压电振动传感器通过差分电荷的形式进行电荷采集，极大地改善了矩形悬臂梁应力分布不均匀导致的的电荷分布不均匀问题，制造工艺简单，成品率高和重复性好，适用于宽频高加速度的测试环境中，对于极端环境中振动信号采集具有很好的应用价值。
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公开(公告)号：CN113321206B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110611308.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 中北大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明属于新型碳材料微纳制造领域，涉及聚焦电子束高分辨图形加工、碳基新材料元素结构分析、微纳结构形貌观测等方面。本发明提供了一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造技术，即，使用高能电子束（30μm光阑、30kV牵引电压、280 pA电子束流）对铜基底表面有机高分子薄膜进行辐照以获得石墨烯的方法。一方面，电子束与有机分子碰撞过程中会驱动碳原子重新排布形成石墨烯晶体结构，且电子束1~3nm尺寸光斑有助于高分辨石墨烯结构的制备；另一方面，电子束轰击有机高分子薄膜将在局部产生数百度高温，铜金属在高温环境下会对有机高分子中的碳原子产生解析作用，电子束真空曝光系统有助于铜基底对石墨烯的高温催化作用，提升石墨烯纳米条带品质。
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