公开(公告)号：CN114665838A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202210372409.0

申请日：2022-04-11

Applicant: 中北大学

Inventor： 耿文平 ,  丑修建 ,  赵彩钦 ,  毕开西 ,  侯晓娟 ,  何剑 ,  穆继亮

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  H03H3/08

Abstract: 本申请提供了一种异质集成结构声表面波器件及其制备方法，通过采用气相沉积法在硅基底上生长二氧化硅薄膜；用离子注入法在压电基底内部形成损伤层，并与硅基底进行直接键合，得到压电单晶薄膜；采用光刻法在压电单晶薄膜上叉指换能器图形后磁控溅射金属电极，得到异质集成结构声表面波器件。本申请通过改进的直接晶圆键合技术将压电材料与硅材料进行混合集成，实现大规模集成电路与声表面波器件的高效集成，以此来解决压电晶体与硅晶体失配问题。本申请制得的异质集成结构声表面波器件可以与传统CMOS硅基集成电路进行混合集成，进一步提升了声光模块的性能、体积、功耗、可靠性等指标，降低了声光器件的成本，可应用于高频和高机电耦合系数领域。

公开(公告)号：CN113321206B

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202110611308.X

申请日：2021-06-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 毕开西 ,  付文潇 ,  穆继亮 ,  丑修建 ,  耿文平 ,  梅林玉 ,  周思源 ,  牛耀楷 ,  薛刚 ,  何锦龙 ,  赵彩钦

IPC: C01B32/184

Abstract: 本发明属于新型碳材料微纳制造领域，涉及聚焦电子束高分辨图形加工、碳基新材料元素结构分析、微纳结构形貌观测等方面。本发明提供了一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造技术，即，使用高能电子束（30μm光阑、30kV牵引电压、280 pA电子束流）对铜基底表面有机高分子薄膜进行辐照以获得石墨烯的方法。一方面，电子束与有机分子碰撞过程中会驱动碳原子重新排布形成石墨烯晶体结构，且电子束1~3nm尺寸光斑有助于高分辨石墨烯结构的制备；另一方面，电子束轰击有机高分子薄膜将在局部产生数百度高温，铜金属在高温环境下会对有机高分子中的碳原子产生解析作用，电子束真空曝光系统有助于铜基底对石墨烯的高温催化作用，提升石墨烯纳米条带品质。

公开(公告)号：CN113321206A

公开(公告)日：2021-08-31

申请号：CN202110611308.X

申请日：2021-06-02

Applicant: 中北大学

Inventor： 毕开西 ,  付文潇 ,  穆继亮 ,  丑修建 ,  耿文平 ,  梅林玉 ,  周思源 ,  牛耀楷 ,  薛刚 ,  何锦龙 ,  赵彩钦

IPC: C01B32/184

Abstract: 本发明属于新型碳材料微纳制造领域，涉及聚焦电子束高分辨图形加工、碳基新材料元素结构分析、微纳结构形貌观测等方面。本发明提供了一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造技术，即，使用高能电子束（30μm光阑、30kV牵引电压、280 pA电子束流）对铜基底表面有机高分子薄膜进行辐照以获得石墨烯的方法。一方面，电子束与有机分子碰撞过程中会驱动碳原子重新排布形成石墨烯晶体结构，且电子束1~3nm尺寸光斑有助于高分辨石墨烯结构的制备；另一方面，电子束轰击有机高分子薄膜将在局部产生数百度高温，铜金属在高温环境下会对有机高分子中的碳原子产生解析作用，电子束真空曝光系统有助于铜基底对石墨烯的高温催化作用，提升石墨烯纳米条带品质。