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公开(公告)号：CN119853816A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411803539.0
申请日：2024-12-10
Applicant: 中北大学
IPC: H04B10/70 , H04B10/61 , H04B10/80 , H04B10/294
Abstract: 本发明属于微波光子及光通信技术领域，具体为基于扭转径向模式宇称时间对称的单纵模全光微波振荡器，解决了现有微波光子产生器件结构复杂，全光微波振荡器缺乏对扭转径向声学模式的研究，且单纵模的产生存在较多能量的浪费的技术问题；其包括自激掺铒光纤放大器、可调谐光学滤波器、隔离器、环形器、宇称时间对称Sagnac环、第一分光耦合器、第二分光耦合器、第一偏振控制器、第二偏振控制器、单模光纤、偏振器、光谱仪、光电探测器和频谱分析仪；宇称时间对称Sagnac环包括第三分光耦合器、第三偏振控制器、第四偏振控制器和偏振分束器。其利用非线性偏振旋转技术实现了基于扭转径向模式的无源锁模；利用宇称时间对称结构实现高边模抑制比的单纵模输出。
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公开(公告)号：CN115236803B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210875160.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊光纤激光器的窄带单通微波光子滤波器，涉及建筑工程领域，窄线宽连续波光纤激光器的输出端与分光耦合器Ⅰ的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的b端口与相位调制器的a端口连接，相位调制器的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的b端口连接，双环结构布里渊光纤激光器的c端口与分光耦合器Ⅱ的a端口连接，分光耦合器Ⅱ的b端口与光谱仪的输入端口连接，分光耦合器Ⅱ的c端口与光电探测器的输入端口连接，光电探测器的输出端与矢量网络测试仪的输入端连接，矢量网络测试仪的输出端与相位调制器的b端口连接。实现了微波光子滤波器的亚千赫兹级窄带宽单通滤波。
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公开(公告)号：CN116177483A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310444369.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。
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公开(公告)号：CN115963603A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211557284.5
申请日：2022-12-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及窄带宽滤波器，由于掺铒光纤的增益带宽有限，光纤等延时器件影响传输函数在频率内的周期，受限于材料的布里渊频移量，传统光纤环形谐振腔的结构限制了受激布里渊散射增益的压窄阈值，本发明提供一种一种可切换布里渊频移光纤激光高频窄带微波光子滤波器，通过使用可切换布里渊频移光纤激光器产生的激光与调制光耦合后，对其拍频后，即可实现窄带宽微波光子布里渊滤波器的窄带宽激光滤波；可切换布里渊频移光纤激光器中将布里渊频移间隔选择结构接入光路，进而达到布里渊频率间隔选择目的。本发明利用可切换布里渊频移光纤激光器，通过布里渊频移间隔选择窄线宽激光输出的工作频率，进而实现单通带高频窄带宽激光滤波。
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公开(公告)号：CN115236803A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210875160.5
申请日：2022-07-25
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种基于布里渊光纤激光器的窄带单通微波光子滤波器，涉及建筑工程领域，窄线宽连续波光纤激光器的输出端与分光耦合器Ⅰ的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的a端口连接，分光耦合器Ⅰ的b端口与相位调制器的a端口连接，相位调制器的c端口与双环结构布里渊光纤激光器的b端口连接，双环结构布里渊光纤激光器的c端口与分光耦合器Ⅱ的a端口连接，分光耦合器Ⅱ的b端口与光谱仪的输入端口连接，分光耦合器Ⅱ的c端口与光电探测器的输入端口连接，光电探测器的输出端与矢量网络测试仪的输入端连接，矢量网络测试仪的输出端与相位调制器的b端口连接。实现了微波光子滤波器的亚千赫兹级窄带宽单通滤波。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN116887662A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311139761.0
申请日：2023-09-06
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/30 , H10N30/853 , H10N30/01 , G01H11/08 , G01R29/24
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于传动梁结构的硅基铌酸锂压电振动传感器及制备方法。所述传感器包括Si基底，Si基底表面生长一层SiO2薄膜后与LiNbO3晶片键合后构成Si‑LiNbO3键合片；Si‑LiNbO3键合片经MEMS工艺形成基底边框、中心质量块及四条悬臂传动梁；悬臂传动梁由呈垂直布置的宽梁和窄梁构成，宽梁端部与中心质量块的侧面连接，窄梁端部与基底边框的侧面连接；四条悬臂传动梁规则布置于基底边框和中心质量块之间。本发明设计合理，由于铌酸锂在高温环境下可以保持很好的压电特性，这对于极端环境下的振动信号监测具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN116230811B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202310478329.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , B82Y40/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
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公开(公告)号：CN116171095A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310436129.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/853 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
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公开(公告)号：CN116177483B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310444369.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS材料制备，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法，LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上，在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压，利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构，制备“钩型”电畴结构，并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性，制备倾角约为90°的“钩型”畴结构，利用纳米级带电畴壁高开关比特性，有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题，制得产物不惧各种恶劣环境，功耗低、开关比高、重复性强，具有稳定性、低能耗、可重复等优点。
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