一种低功耗能源采集电路

    公开(公告)号:CN114285132A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111638643.5

    申请日:2021-12-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于微能源收集电路技术领域,具体为一种低功耗能源采集电路,解决了背景技术中的技术问题,其包括第一俘能单元、第二俘能单元、第一全桥整流电路、第一电子开关器件、第三电子开关器件、第二电子开关器件、第四电子开关器件、第一储能电容、第一稳压电路、用电设备、第二全桥整流电路、第五电子开关器件、第七电子开关器件、第六电子开关器件、第八电子开关器件、第二储能电容、第二稳压电路、第三稳压电路以及储能电池;还包括监测与控制电路。监测与控制电路控制电子开关器件给负载供电的时间占空比降到最低,其余时间为储能电池充电,有效的降低电路损耗,高效利用电能,既保证了负载正常工作的同时,又可为备用电池进行充电储能。

    一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法

    公开(公告)号:CN116177483A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202310444369.0

    申请日:2023-04-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS材料制备,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法,LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上,在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压,利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构,制备“钩型”电畴结构,并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性,制备倾角约为90°的“钩型”畴结构,利用纳米级带电畴壁高开关比特性,有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题,制得产物不惧各种恶劣环境,功耗低、开关比高、重复性强,具有稳定性、低能耗、可重复等优点。

    一种低功耗能源采集电路

    公开(公告)号:CN114285132B

    公开(公告)日:2023-08-29

    申请号:CN202111638643.5

    申请日:2021-12-30

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于微能源收集电路技术领域,具体为一种低功耗能源采集电路,解决了背景技术中的技术问题,其包括第一俘能单元、第二俘能单元、第一全桥整流电路、第一电子开关器件、第三电子开关器件、第二电子开关器件、第四电子开关器件、第一储能电容、第一稳压电路、用电设备、第二全桥整流电路、第五电子开关器件、第七电子开关器件、第六电子开关器件、第八电子开关器件、第二储能电容、第二稳压电路、第三稳压电路以及储能电池;还包括监测与控制电路。监测与控制电路控制电子开关器件给负载供电的时间占空比降到最低,其余时间为储能电池充电,有效的降低电路损耗,高效利用电能,既保证了负载正常工作的同时,又可为备用电池进行充电储能。

    一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法

    公开(公告)号:CN116171095A

    公开(公告)日:2023-05-26

    申请号:CN202310436129.6

    申请日:2023-04-23

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS制备工艺,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法,在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属,将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合,接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜,并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜,最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式,将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性,利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法,有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。

    一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法

    公开(公告)号:CN116171095B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310436129.6

    申请日:2023-04-23

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS制备工艺,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法,在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属,将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合,接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜,并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜,最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式,将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性,利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法,有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。

    一种摩擦磁电复合微能源采集器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114826016A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210570103.6

    申请日:2022-05-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本申请公开了一种摩擦磁电复合微能源采集器,包括:用于将风能转化为机械能的风能捕获装置以及与所述风能捕获装置组装的发电装置,所述发电装置包括:摩擦‑电磁发电单元、外壳以及密封盖,所述摩擦‑电磁发电单元安装在所述外壳内并由所述密封盖密封。本申请将摩擦和电磁发电单元集成在同一器件上,实现对不同频率风能的高效采集,相对于传统的能源采集器件,具有更高的能源采集效率,解决了电子设备的自供电问题,特别是在无人值守环境中的监测、物联网等领域的供电和传感。

    一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法

    公开(公告)号:CN116177483B

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202310444369.0

    申请日:2023-04-24

    Applicant: 中北大学

    Abstract: 本发明属于半导体技术领域,涉及MEMS材料制备,具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜外场调控纳米级逻辑门的方法,LN/SiO2/Cr/LN的铌酸锂键合片上,在Single Frequency PFM模式下将针尖输出电压调整为交流电压,利用两次交流极化调控成约90°夹角畴结构,制备“钩型”电畴结构,并基于此设计逻辑“非门”、“或非门”、“与非门”。本发明基于交流电畴调控中出现的两种不同倾角的特性,制备倾角约为90°的“钩型”畴结构,利用纳米级带电畴壁高开关比特性,有效解决了传统的逻辑器件尺寸大、功耗高等问题,制得产物不惧各种恶劣环境,功耗低、开关比高、重复性强,具有稳定性、低能耗、可重复等优点。

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