公开(公告)号：CN118655743B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202411139176.5

申请日：2024-08-20

Applicant: 中北大学

Inventor： 梅林玉 ,  张盛国 ,  丑修建 ,  毕开西 ,  候刘宇 ,  郭苗丽 ,  庄严

IPC: G03F1/76 ,  G03F7/00 ,  C09K11/65

Abstract: 本发明涉及非金属元素碳基荧光材料领域，尤其涉及一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用。本发明所述的方法是利用匀胶机将SU‑8旋涂于预先准备的硅片衬底上，通过掩膜曝光和显影的过程制备出图案化的SU‑8薄膜，将图案化的SU‑8薄膜放入真空退火炉中，在高温下SU‑8发生分解和交联反应，最后致使SU‑8转变为碳基材料，成功制备出图案化的碳基荧光薄膜。本发明独特的退火过程改善了材料的化学键结构，这不仅提升了材料的化学稳定性，也优化了其光学属性。因此，通过本发明，可以在不牺牲任何光学性能的情况下，实现复杂图案的高质量制备。

公开(公告)号：CN118655743A

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202411139176.5

申请日：2024-08-20

Applicant: 中北大学

Inventor： 梅林玉 ,  张盛国 ,  丑修建 ,  毕开西 ,  候刘宇 ,  郭苗丽 ,  庄严

IPC: G03F1/76 ,  G03F7/00 ,  C09K11/65

Abstract: 本发明涉及非金属元素碳基荧光材料领域，尤其涉及一种基于光刻、退火的碳基荧光材料图案化方法及其应用。本发明所述的方法是利用匀胶机将SU‑8旋涂于预先准备的硅片衬底上，通过掩膜曝光和显影的过程制备出图案化的SU‑8薄膜，将图案化的SU‑8薄膜放入真空退火炉中，在高温下SU‑8发生分解和交联反应，最后致使SU‑8转变为碳基材料，成功制备出图案化的碳基荧光薄膜。本发明独特的退火过程改善了材料的化学键结构，这不仅提升了材料的化学稳定性，也优化了其光学属性。因此，通过本发明，可以在不牺牲任何光学性能的情况下，实现复杂图案的高质量制备。

公开(公告)号：CN116337995A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202310374459.7

申请日：2023-04-10

Applicant: 中北大学

Inventor： 毕开西 ,  韩树棋 ,  梅林玉 ,  丑修建 ,  耿文平 ,  穆继亮 ,  张帅 ,  栗倩男 ,  周思源 ,  牛耀楷 ,  郭苗丽 ,  庄严 ,  候刘宇 ,  张盛国

IPC: G01N29/036 ,  B81B7/02

Abstract: 本申请实施例提供一种谐振式NO2气体传感结构，包括：栅极基底；绝缘层：设置于栅极基底上；电极层：设置于绝缘层上，主要由间隔位于绝缘层上的源极电极和漏极电极构成；沟道：设置于绝缘层上，且位于源极电极和漏极电极之间；石墨烯单层薄膜：设置于电极层上，且悬浮于沟道的上方；本申请中的气体传感结构，结构和制备工艺简单，制备成本低，功耗低，气体质量灵敏度高，兼容性强利于集成，能够实现批量化制备。