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公开(公告)号：CN116171095B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310436129.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/045 , H10N30/853 , B82Y40/00 , B82Y15/00
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，涉及MEMS制备工艺，具体为一种基于铌酸锂单晶薄膜可控交流极化纳米畴调控方法，在铌酸锂单晶表面进行离子注入后溅射一层金属，将其与具有二氧化硅绝缘层的铌酸锂衬底直接键合，接着在退火后剥离损伤层得到单晶铌酸锂薄膜，并利用减薄、抛光等工艺制备光学级的铌酸锂薄膜，最后在制备好的单晶铌酸锂薄膜表面利用Single Frequency PFM模式，将针尖输出电压改为交流电压后在Litho模式下实现纳米电畴的精准调控。本发明基于铌酸锂畴壁倾角单一特性，利用PFM输出交流电压调控纳米级畴结构设计方法，有效解决传统纳米级电畴在制备时出现难调控、不易保持以及高密度畴壁无法精准调控等问题。
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公开(公告)号：CN116337995A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310374459.7
申请日：2023-04-10
Applicant: 中北大学
IPC: G01N29/036 , B81B7/02
Abstract: 本申请实施例提供一种谐振式NO2气体传感结构，包括：栅极基底；绝缘层：设置于栅极基底上；电极层：设置于绝缘层上，主要由间隔位于绝缘层上的源极电极和漏极电极构成；沟道：设置于绝缘层上，且位于源极电极和漏极电极之间；石墨烯单层薄膜：设置于电极层上，且悬浮于沟道的上方；本申请中的气体传感结构，结构和制备工艺简单，制备成本低，功耗低，气体质量灵敏度高，兼容性强利于集成，能够实现批量化制备。
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公开(公告)号：CN116230811A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310478329.8
申请日：2023-04-28
Applicant: 中北大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/032 , H01L31/113 , B82Y40/00 , G16C60/00 , G06F30/20 , G06F111/14
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于铁电半导体材料的光电响应突触器件制备方法，通过机械剥离制备二维α‑In2Se3纳米片，采用光刻工艺在重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面进行对准标记并完成金属电极的溅射，使用剥离工艺，实现金属电极图形化。将二维α‑In2Se3纳米片转移到重掺杂氧化硅片的单面抛光侧表面极间缝隙处，采用湿法转移石墨烯覆盖于α‑In2Se3纳米片表面，最后使用ALD在器件表面生成Al2O3薄膜层完成封装。本发明提供的基于铁电半导体材料的光电响应突触器件通过光刺激对载流子调节实现α‑In2Se3沟道层的电导控制，制得的器件具有低功耗、低延时、结构简单和感存算一体等优点。
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公开(公告)号：CN115857287B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310133630.5
申请日：2023-02-20
Applicant: 中北大学
IPC: G03F7/20
Abstract: 本发明涉及石墨烯技术领域，特别涉及石墨烯微结构技术领域，具体为一种石墨烯微结构的制备方法。其为了解决传统的石墨烯微结构的制备方法过程复杂且耗时长的问题，故提供了一种新的石墨烯微结构的制备方法，该制备方法依次包括如下步骤：使用匀胶机在硅片表面旋涂SU‑8光刻胶、使用光刻工艺制备得到图案化的SU‑8光刻胶微结构、采用电子束辐照工艺对图案化的SU‑8光刻胶微结构进行辐照。本发明中的石墨烯微结构的制备方法采用光刻工艺和电子束辐照工艺相结合，该制备方法简单易行，既避免了转移过程中易会对石墨烯造成污染，也解决了转移过程复杂且耗时长的问题，从而有效提高了石墨烯微结构的生产效率。
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公开(公告)号：CN115697016A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211687980.8
申请日：2022-12-28
Applicant: 中北大学
IPC: H10N30/01 , H10N30/072 , H10N30/30 , G01H11/08
Abstract: 本发明属于半导体器件加工制造技术领域，具体为一种基于d15和d22的叉指型压电振动传感器及制备方法，通过将铌酸锂和硅基片在低温条件下键合在一起，再进行减薄和抛光工艺；在铌酸锂表面通过溅射和剥离工艺制备叉指电极；此后，在铌酸锂表面刻蚀压电悬臂梁和质量块；在硅基片背面进行空腔和器件释放从而完成压电振动传感器件的制备。本发明制备的压电振动传感器通过差分电荷的形式进行电荷采集，极大地改善了矩形悬臂梁应力分布不均匀导致的的电荷分布不均匀问题，制造工艺简单，成品率高和重复性好，适用于宽频高加速度的测试环境中，对于极端环境中振动信号采集具有很好的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113321206B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202110611308.X
申请日：2021-06-02
Applicant: 中北大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明属于新型碳材料微纳制造领域，涉及聚焦电子束高分辨图形加工、碳基新材料元素结构分析、微纳结构形貌观测等方面。本发明提供了一种电子束诱导石墨烯纳米条带原位生长制造技术，即，使用高能电子束（30μm光阑、30kV牵引电压、280 pA电子束流）对铜基底表面有机高分子薄膜进行辐照以获得石墨烯的方法。一方面，电子束与有机分子碰撞过程中会驱动碳原子重新排布形成石墨烯晶体结构，且电子束1~3nm尺寸光斑有助于高分辨石墨烯结构的制备；另一方面，电子束轰击有机高分子薄膜将在局部产生数百度高温，铜金属在高温环境下会对有机高分子中的碳原子产生解析作用，电子束真空曝光系统有助于铜基底对石墨烯的高温催化作用，提升石墨烯纳米条带品质。
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公开(公告)号：CN109781087B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201811482396.2
申请日：2018-12-05
Applicant: 中北大学
IPC: G01C19/5698
Abstract: 本申请的目的是提供一种基于驻波模式的SAW陀螺仪，本申请通过采用压电耦合系数高、SAW传播速度高且声光耦合系数较大的128°Y‑X切LiNbO3压电基片，通过在收发天线触发的双端口谐振器的谐振腔之间放置材料为金的金属点阵和声光读出模式SAW接收端来实现一种新型的驻波模式的陀螺仪。收发天线的设计能够有效减少SAW陀螺仪需要的电子电路模块，即减少外电路的使用；所述SAW接收端采用高精度声光耦合模式读出角速率的变化，从而提高了SAW陀螺仪的准确度与灵敏度。
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公开(公告)号：CN114826016A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210570103.6
申请日：2022-05-24
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请公开了一种摩擦磁电复合微能源采集器，包括：用于将风能转化为机械能的风能捕获装置以及与所述风能捕获装置组装的发电装置，所述发电装置包括：摩擦‑电磁发电单元、外壳以及密封盖，所述摩擦‑电磁发电单元安装在所述外壳内并由所述密封盖密封。本申请将摩擦和电磁发电单元集成在同一器件上，实现对不同频率风能的高效采集，相对于传统的能源采集器件，具有更高的能源采集效率，解决了电子设备的自供电问题，特别是在无人值守环境中的监测、物联网等领域的供电和传感。
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公开(公告)号：CN114446661A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111477532.0
申请日：2021-12-06
Applicant: 中北大学
Abstract: 本申请提供了一种基于化学机械抛光的多层陶瓷电容器及其制备方法，通过在基板上生长SiO2牺牲层与陶瓷薄膜层，分别对陶瓷薄膜层进行化学机械抛光并溅射电极，将两块陶瓷薄膜层键合，再腐蚀SiO2牺牲层释放陶瓷薄膜层，对释放后的陶瓷薄膜层两端溅射电极，多次重复后浸封陶瓷薄膜层两端的电极后高温煅烧，得到多层陶瓷电容器。本申请结合化学机械抛光与间接键合的方法实现了多层陶瓷电容器的制造，避免了在流延法工艺流程中的温度控制，可以在常温中实现陶瓷薄膜的制备，减少了高温、冷却和干燥过程对薄膜品质和性能产生的不利影响，获得了高品质，低应力，高致密度的压电陶瓷薄膜；无需高温烧结过程，具有更低的操作温度，保障了陶瓷薄膜的成品率。
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公开(公告)号：CN113374660A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110792949.X
申请日：2021-07-14
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开了一种关节发电装置，包括摆动臂、变速齿轮箱、发电机齿轮、发电机和整向模块组成；所述摆动臂固定连接有输入驱动轴，所述输入驱动轴上固设有输入齿轮；所述变速齿轮箱上端的齿轮箱初级齿轮与整向模块组成其中一个齿轮啮合，下端的齿轮箱终级齿轮与发电机齿轮啮合，所述发电机齿轮转动驱动发电机；本发明使用整向模块将关节的往复运动转换为输出齿轮的单向旋转运动，提高了关节发电装置对人体所携带机械能的采集效率，可为便携式电子设备持续供电。
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