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公开(公告)号：CN113281304A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110356915.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种退火炉降温速率校准的方法，所述方法包括：在所述第一退火炉中对多个第一晶圆进行加热；将多个所述第一晶圆在所述第一退火炉中在不同的降温时间内分别降温至预设温度；测量多个第一晶圆的表面参数；建立表面参数和所述降温时间的第一对应关系；在第二退火炉中对多个第二晶圆进行加热和降温，以建立表面参数和降温时间的第二对应关系，其中第二晶圆的加热和降温的条件与所述第一晶圆的加热和降温条件相同；以所述第一对应关系为参照，调节所述第二退火炉中的降温速率，以将所述第一对应关系和所述第二对应关系中相同降温时间下的表面参数校准到同一水平。通过所述方法在高温退火过程中发现降温速率的差异，并实现降温速率的校准。
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公开(公告)号：CN113109625A
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202110374102.X
申请日：2021-04-07
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种硅片导电类型的判定方法，包括：提供待测硅片，对所述待测硅片进行第一次电阻率测试，得到第一电阻率；对所述待测硅片进行热处理；对所述待测硅片进行第二次电阻率测试，得到第二电阻率；以及，对比所述第一电阻率和所述第二电阻率，判断所述待测硅片的导电类型。本发明用于判断具有高电阻率的硅片的导电类型，且测试结果不受硅片的表面电荷的影响，操作简单，对设备的要求低，成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582332A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011443228.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供的一种绝缘体上硅结构及其方法，所述绝缘体上硅结构的方法包括以下步骤：提供一键合结构，所述键合结构包括第一衬底、第二衬底和绝缘埋层，所述绝缘埋层位于所述第一衬底和第二衬底之间；从所述键合结构上剥离去除部分厚度的所述第一衬底，以得到绝缘体上硅结构；通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压。本发明通过恒温退火工艺平坦化处理所述绝缘体上硅结构，所述恒温退火工艺的压强低于常压，可以有效减少滑移线的数量，同时不会影响顶层硅的平坦化效果。
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公开(公告)号：CN111893558A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010625055.7
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，包括第一折射层和第二折射层，所述第一折射层的折射率与所述第二折射层的折射率不同，所述第一折射层和所述第二折射层相互交替形成层叠结构，所述第一折射层和与之相邻设置的第二折射层相贴合；在此基础上，本发明还提供一种单晶硅生长炉，所述薄膜隔热片设置在所述单晶硅生长炉中的热屏上；本发明提供一种用于单晶硅生长炉的薄膜隔热片，在热辐射波长范围内具有良好的反射性能，当将其设置在热屏上以应用于单晶硅生长炉中时，能够提高热屏对热能的反射能力，降低熔融的硅熔体热量的耗散，提高热能利用率；并且有利于热场的保温性能，从而有利于提高热场的质量以提高单晶硅生长的质量和产量。
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公开(公告)号：CN111763985A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN202010621640.X
申请日：2020-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于单晶生产炉的热屏结构，所述热屏结构用于设在所述单晶硅生长炉的熔体坩埚上部，所述热屏结构包括外壳和隔热板，所述隔热板设于所述外壳的内部，所述外壳底部外表面用于朝向所述熔体坩埚内部，所述隔热板所在平面与所述外壳底部所在平面形成的夹角为锐角且所述夹角朝向所述单晶硅的外表面。本发明的目的是提供一种用于单晶生产炉的热屏结构及单晶生产炉，结构简单，通过改变热屏设计，增设隔热板将吸热板吸收到的热量传递给单晶硅，在热屏中形成热通道，实现对单晶硅的径向温度梯度进行优化，从而实现拉速的控制，进而提高单晶硅径向的质量均匀性。
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公开(公告)号：CN217922421U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202220754553.6
申请日：2022-03-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种拉晶装置，包括保温毡和坩埚，所述保温毡呈圆柱筒状围绕所述坩埚设置，所述保温毡的上部包括分段式保温毡，所述保温毡的下部包括开孔。根据本申请的拉晶装置，其对热场重新设计以达到控制晶体中氧含量的目的，所述保温毡能够调节坩埚底部的温度，从而调节熔体与坩埚内表面的反应速度，进而调节进入熔体中的氧，最终调节了单晶产物中的氧含量。本申请的拉晶装置可以仅仅通过改变保温毡的结构以生长满足不同氧含量要求的单晶，且成本低、调试简单。
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公开(公告)号：CN219490231U
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202320644582.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种导流筒提升杆的定位密封结构，涉及半导体制备设备的技术领域，其包括固定在炉盖上的提升机构底座以及安装在提升机构底座上的提升驱动机构，炉盖和提升机构底座共同滑移连接有提升杆，提升驱动机构用于驱动提升杆滑移，以带动提升杆下端相连的导流筒提升，提升杆和提升机构底座的连接处之间设有耐磨导向环，耐磨导向环同轴设置于提升杆的外圈，以支撑定位提升杆。通过设置耐磨导向环，帮助提升杆实现稳定提升及准确定位，从而提高导流筒提升过程的稳定性，减少晃动现象的发生。
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