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公开(公告)号：CN119800489A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411996761.7
申请日：2024-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开一种拉晶炉及防止晶棒发生共振摇晃控制方法，该拉晶炉包括：用于将原料熔化为熔体的炉体、以及位于炉体上方的提拉机构，提拉机构通过籽晶绳向上提拉连接于籽晶绳上的籽晶、以及基于熔体在籽晶上生长的晶棒；还包括防止晶棒发生共振摇晃系统，防止晶棒发生共振摇晃系统包括触发系统和籽晶绳晃动限制机构；触发系统在距拉晶炉所在地不超过设定距离的区域内发生地震时，向籽晶绳晃动限制机构发送控制信号，使籽晶绳晃动限制机构抵接于籽晶绳的第一设定位置，以改变晶棒的振动频率，防止地震频率与晶棒的自振频率之间出现共振，从而减小晶棒的晃动幅度，防止晶棒碰撞炉体内的热场或者晶棒坠落。
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公开(公告)号：CN116605795A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310754143.0
申请日：2023-06-25
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种升降机系统，包括：升降机本体以及保护装置；升降机本体包括运动台和丝杆，丝杆围绕自身轴线可转动，以驱动运动台沿丝杆的轴向移动；保护装置包括限位单元和监测单元；限位单元包括限位件，限位件沿自身轴向可移动，限位件在检修升降机本体时，与运动台相抵靠；监测单元包括监测件，监测件与丝杆间隔设置，用于监测丝杆的转速。如此配置，限位件在检修升降机本体时，与运动台相抵靠，限制运动台沿丝杆的轴向的移动，保证了操作者在检修过程中的安全；监测件用于监测丝杆的转速，并在四个丝杆的转速不一致时发出报警信号，保证在丝杆发生错位或监测件的位置发生变化时，及时通知操作者，提升了整个升降机系统的安全性和实用性。
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公开(公告)号：CN116200803A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211733389.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 一种晶体生长装置、方法和控制系统，该晶体生长装置包括：炉体；坩埚，设置于炉体的内部，用以容纳硅熔体；提拉装置，设置于炉体的顶部，用以从硅熔体内提拉出晶体；水冷热屏，围绕晶体四周设置并具有用于吸收晶体热辐射的吸收表面，水冷热屏用于降低晶体的局部区域的温度并增大晶体的纵向温度梯度；隔热筒，设置于晶体与水冷热屏之间，隔热筒用于遮挡水冷热屏以减小吸收表面的面积；升降装置，设置于炉体的顶部并分别连接于水冷热屏和隔热筒，升降装置用于分别调节水冷热屏和隔热筒的高度以及水冷热屏与隔热筒之间的高度差，以使吸收表面的高度和面积大小与晶体的局部区域相匹配。本申请的晶体生长装置能更精细地调节晶体的纵向温度梯度。
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公开(公告)号：CN119800488A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411998366.2
申请日：2024-12-31
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种生长低缺陷晶体的方法，该方法包括：获取自石英坩埚中盛放的熔液的初始液面位置至结束液面位置的多个位置点的石英坩埚和石墨坩埚的形变系数；测量当前炉次的拉制前各位置点的石英坩埚的内半径；基于各位置点的石英坩埚和石墨坩埚的形变系数以及当前炉次的拉制前各位置点的石英坩埚的内半径，得到当前炉次的拉制后各位置点的石英坩埚的内半径；基于当前炉次的拉制后各位置点的石英坩埚的内半径，得到当前炉次的熔液的液面处于各位置点时的石英坩埚升降速率与晶体生长速率的比值。本申请方案能够对当前炉次的熔液的液面处于各位置点时的石英坩埚升降速率与晶体生长速率的比值进行修正，实现低缺陷晶体的生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116427014A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202211723689.1
申请日：2022-12-30
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置、控制方法及控制系统，所述装置包括：炉体；坩埚，设置于所述炉体的内部，配置为容纳用于晶体生长的硅熔体；加热器，设置于所述坩埚周围，配置为加热所述坩埚；导流筒，在所述硅熔体的上方围绕所述晶体设置，用于阻止硅熔体的热量辐射到晶体表面，提高晶体的纵向温度梯度；水冷装置，设置于所述晶体与所述导流筒之间，用于冷却晶体并提高晶体的纵向温度梯度，所述水冷装置包括冷却水流量调节机构，所述冷却水流量调节机构用于调节所述水冷装置中的冷却水的流量。根据本发明提供的晶体生长装置、控制方法及控制系统，当晶体的实时直径偏离目标直径时，通过调节冷却晶体的水冷装置中的冷却水的流量，改变冷却水的带走热量，匹配熔体对流导致的固液界面下方硅熔体的温度梯度的波动变化，从而降低晶体生长的直径波动，进而降低晶体内原生缺陷的发生率，提高硅片产品的良率。
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公开(公告)号：CN114892263A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210473460.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质，晶体生长装置包括：直径获取单元、坩埚、导流筒、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元、导流筒升降单元和控制单元，控制单元与直径获取单元、加热单元、晶体提拉单元、坩埚升降单元和导流筒升降单元连接，用于根据所述当前晶体直径与预设的目标晶体直径的直径偏差，计算需要调整的液面距偏差，并根据所述液面距偏差调整所述导流筒的位置，以相应改变液面距，从而对所述直径偏差进行修正，其中，所述液面距为所述熔体液面与所述导流筒的距离。根据本发明的晶体生长装置、晶体直径控制方法、系统及存储介质可以及时有效地对晶体直径偏差进行修正，抑制晶体直径变化的波动。
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公开(公告)号：CN217579141U
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202221329381.4
申请日：2022-05-19
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供了一种水冷热屏与导流筒连接结构及单晶炉，属于晶体生长技术领域，连接结构包括设置于两侧水冷热屏的进出水管道上的定位抱箍和活动抱箍，两个定位抱箍为中心对称设置，活动抱箍活动设置于定位抱箍远离中心位置的一侧；连接结构还包括设置于导流筒上的连接块，连接块的自由端与活动抱箍连接，当导流筒受热膨胀时，通过连接块带动活动抱箍在进出水管道上向外移动。单晶炉包括水冷热屏与导流筒连接结构和水冷热屏升降结构，通过水冷热屏升降结构使导流筒与水冷热屏同时升降。通过本申请的处理方案，导流筒受热膨胀后，可自由伸缩，热膨胀不会造成内应力；降温后导流筒可回到原位，每一炉重复性好，提高了结构稳定性。
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公开(公告)号：CN222273984U
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202421064892.7
申请日：2024-05-15
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司 , 上海新昇晶睿半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种磁场升降装置，包括：磁场部件、驱动组件、N个升降组件和N个称重部件；其中N为大于等于3的自然数；所述驱动组件驱动各升降组件上的提升块升降；所述提升块支撑所述磁场部件并带动所述磁场部件升降；各称重部件一一对应设置于各提升块与所述磁场部件之间，感应所述磁场部件的重量。本实用新型通过在每个提升块和磁场部件之间增加一个称重传感器监测磁场的升降是否同步，降低因磁场承重不均导致的意外事故的风险，减小对人员造成伤害。
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公开(公告)号：CN219490231U
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202320644582.1
申请日：2023-03-28
Applicant: 上海新昇半导体科技有限公司
Abstract: 本申请提供一种导流筒提升杆的定位密封结构，涉及半导体制备设备的技术领域，其包括固定在炉盖上的提升机构底座以及安装在提升机构底座上的提升驱动机构，炉盖和提升机构底座共同滑移连接有提升杆，提升驱动机构用于驱动提升杆滑移，以带动提升杆下端相连的导流筒提升，提升杆和提升机构底座的连接处之间设有耐磨导向环，耐磨导向环同轴设置于提升杆的外圈，以支撑定位提升杆。通过设置耐磨导向环，帮助提升杆实现稳定提升及准确定位，从而提高导流筒提升过程的稳定性，减少晃动现象的发生。
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