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公开(公告)号：CN111755948A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910242775.2
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种具有脊波导结构的GePb激光器及其形成方法。所述具有脊波导结构的GePb激光器，包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的脊波导结构；其中，所述脊波导结构包括：下接触层，位于所述硅衬底表面；有源层，凸设于所述下接触层表面，所述有源层采用Pb掺杂的Ge材料构成；上接触层，位于所述有源层表面。本发明有效提高了激光器的发射效率。
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公开(公告)号：CN111755553A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910242772.9
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/101 , H01L31/115 , H01L31/0288 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电子技术领域，尤其涉及一种铅掺杂型锗红外光电探测器及其形成方法。所述铅掺杂型锗红外光电探测器包括硅衬底以及位于所述硅衬底表面的器件结构；所述器件结构包括沿垂直于所述硅衬底的方向依次叠置的下接触层、锗吸收层和上接触层；所述锗吸收层中掺杂有铅元素，以扩展锗红外光电探测器的探测范围。本发明使得光电探测器在短波红外到中波红外波段都能实现高效吸收，提高了红外光电探测器的探测范围和探测灵敏度。
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公开(公告)号：CN111751926A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201910243172.4
申请日：2019-03-28
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光子器件领域，尤其涉及一种用于相控阵发射阵列的波导光栅天线及其形成方法。所述用于相控阵发射阵列的波导光栅天线，包括：衬底；第一波导层，位于所述衬底表面；第二波导层，沿垂直于所述衬底的方向设置于所述第一波导层上方，且所述第二波导层中具有光栅结构；所述第一波导层与所述第二波导层之间能够进行倏逝波耦合，有利于控制光栅的长度以增大相控阵列的分辨率，提高了垂直方向的非对称性，从而提高波导光栅天线的方向性。本发明减少了光向衬底的泄露，提高了光向上发射的比例，进而提高了光的发射效率以及相控阵列的探测距离，有助于需要高功率输出器件的实现。
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公开(公告)号：CN111290077A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201811484632.4
申请日：2018-12-06
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供一种双层隔离层的SOI衬底，所述SOI衬底包括：衬底硅层；第一隔离层，位于所述衬底硅层之上，所述第一隔离层具有第一折射率；第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，所述第二隔离层具有第二折射率；以及顶层硅层，位于所述第二隔离层之上；其中，所述第一折射率小于所述第二折射率。本发明的SOI衬底可用于制作硅光子器件，如在所有硅光子器件中都需要使用波导与光纤相互耦合的模斑转换器，可以使得模斑转换器具有低耦合损耗、大波长带宽、偏振不敏感、耦合容差大、便于与光纤封装等优点，在光通信领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN110828603A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810924656.0
申请日：2018-08-14
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1-xSnx材料构成，其中，0
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729373A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201810776256.X
申请日：2018-07-16
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0232 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种基于Ge波导的GeSn红外光电探测器及其制造方法。所述基于Ge波导的GeSn红外光电探测器，包括硅衬底以及均位于所述硅衬底上的锗波导层和器件结构；所述器件结构，连接所述锗波导层，包括由Ge1-xSnx材料构成的吸收层，其中，0
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公开(公告)号：CN111477613B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202010501441.5
申请日：2020-06-04
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司 , 上海工程技术大学
IPC: H10D80/30 , H01L21/98 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供一种三维芯片封装结构及封装方法，封装结构包括：封装基板；三维堆叠芯片组件，包括第一芯片组件及第二芯片组件，第一芯片组件的尺寸大于第二芯片组件的尺寸；热桥结构，形成于第一芯片组件上，与第二芯片组件间具有间距；散热盖组件，形成于封装基板上，热桥结构、第一芯片组件与散热盖组件之间热导通。本发明通过引入热桥结构，形成导热通路，有利于三维堆叠芯片的散热，大幅度降低底部芯片的散热热阻和温度。本发明的设计，还可以降低第一芯片的温差，从而能够大幅度降低热应力。热桥结构分担了原本施加到三维堆叠芯片上的散热器等的压力，从而使得封装受力更为均匀，结构更加稳定。本发明工艺简单，基本不影响现有的封装工艺流程和制程。
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公开(公告)号：CN112242342B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN201910645972.9
申请日：2019-07-17
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/84 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供一种单晶硅局域SOI衬底、光电器件及制备方法，制备方法包括：1)在硅衬底上刻蚀出局域SOI区域槽；2)于局域SOI区域槽及硅衬底表面沉积介质层，并抛光形成平坦表面，平坦表面停留在介质层表面，且在所述介质层中刻蚀出种子槽；3)沉积非晶硅层于种子槽及介质层表面，抛光形成平坦表面，并通过热退火固相外延工艺使非晶硅层重新结晶，形成单晶硅层，以形成所述单晶硅局域SOI衬底；4)于硅衬底及其上方的单晶硅层制备电学器件，于介质层上的单晶硅层上制备光学器件。采用本发明的方法可以在体硅衬底上形成局域SOI，从而实现光芯片与电芯片的单片集成。
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公开(公告)号：CN118151293A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202211551518.5
申请日：2022-12-05
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
Abstract: 本发明提供的光芯片上的宽带定向耦合器，包括平行设置且长度相等的第一波导和第二波导，且形成功率耦合区及相位补偿区，由于相位补偿区内的波导宽度不同，使得光在第一波导与第二波导传输过程中出现一定的光程差，即光在传输过程中产生相位差，补偿功率耦合的色散；通过功率耦合区和相位补偿区的交替排列形成的五级结构，实现了定向耦合器任意分光比的设计需求，提高了宽带范围；功率耦合区与相位补偿区之间使用对称的楔形波导连接，避免了基模光在不同区域连接处向高阶模式的转换，减小了功率耦合与光的波长的相关性，提高了定向耦合器的应用范围。
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公开(公告)号：CN117637877A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210993737.2
申请日：2022-08-18
Applicant: 上海新微技术研发中心有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0352 , H01L31/101 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明提供一种硅光器件及其制备方法，先依据刻蚀深度的不同依次在SOI衬底的顶层硅上刻蚀出硅基光栅结构、脊形波导和条形波导，然后先对显露的脊形波导两侧进行掺杂，接着通过采用化学机械抛光(CMP)结合湿法刻蚀的方法去除硬掩膜图形，最后通过掺杂工艺制备出调制器和探测器。由于需要通过湿法腐蚀工艺去除的硬掩膜图形的剩余厚度较小，埋氧层上还有二氧化硅层的保护，可避免直接长时间采用湿法刻蚀工艺对光波导器件带来的损伤，因此不会产生埋氧层被侵蚀而产生侧向槽的缺陷，进而有效降低光波导的传输损耗，保证器件的性能。
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