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公开(公告)号：CN103134986A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201110395429.1
申请日：2011-12-03
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/02
Abstract: 本发明提出了一种通孔电阻的测试结构和方法，该测试结构包括至少两个子测试结构，所述子测试结构是一条通孔链，所述子测试结构包括有多个通孔及连接各通孔的互连线，所述通孔连通上下两层相邻的金属层，所述互连线由位于相邻两金属层上的互连线组成，且上下两层互连线在通孔连接处有重叠区域，所述各子测试结构有相同的长度，所述各子测试结构有不同的通孔数量，且所述各子测试结构中连接各个通孔的上层（下层）互连线总长度相等。
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公开(公告)号：CN102169141A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010113495.0
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了多层互连线系统中电容测试方法，以提高电容测试的精确度，其中该方法包括步骤：依照测试信号施加方式，给多层互连线系统中各互连线均施加测试信号；在每次施加测试信号后，测试该多层互连线系统的整体电容值；根据测试出的整体电容值，以及整体电容值和待测电容值的数量关系，计算出待测电容值。
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公开(公告)号：CN102142438A
公开(公告)日：2011-08-03
申请号：CN201010608309.0
申请日：2010-12-23
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了小尺寸匹配晶体管参数化模块单元，以提高绘制版图的效率，改善版图的稳定性，其中所述的带参数的小尺寸匹配晶体管模块单元，由两个固定匹配连接关系的晶体管组成。
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公开(公告)号：CN102136022A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110102761.4
申请日：2011-04-22
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供了一种多个晶体管模块单元测试结构的自动化布局布线方法，其中所述的引入参数的晶体管模块单元，是由若干个晶体管组成测试结构。所述自动化方法，智能地将被测试晶体管与所对应的衬垫相连接完成布局布线。所述自动化方法，大规模地降低了新工艺下晶体管测试电路与测试结构的实现复杂度，缩短了完成时间，并提高了可靠度。
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公开(公告)号：CN101861022A
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN201010186708.2
申请日：2010-05-27
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H05B37/02
Abstract: 本发明提供了LED驱动电源及其功率管的开启方法，以解决EMI等问题，其中LED驱动电源，包括功率管控制器、功率管及压降器，所述压降器与功率管串联，流出功率管的电流流入压降器，其特征在于，所述功率管控制器，具体包括：功率管电流采集模块，用于采集流过功率管的电流；功率管开启模块，用于在所述采集模块采集到的电流为零时，启动功率管；功率管关闭模块，用于在所述压降器上的压降达到预定值时，关闭功率管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847632A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010113500.8
申请日：2010-02-25
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
IPC: H01L27/04 , H01L23/528
Abstract: 本发明是关于一种优化的射频集成电路电感结构，具体为一种采用CMOS兼容MEMS工艺优化片上平面螺旋电感性能的结构。其包括：多层金属互连结构和悬浮结构。各金属层螺旋导线分别位于对应介质层间，其互连结构通过插塞采用多层金属并联(或串并联)形式构成，这样就可以在低频带范围改善电感性能。悬浮结构是依据金属螺旋形状在其螺旋面中间和外围两个部位(或仅中间部位)进行刻蚀各介质层和硅衬底而形成的结构，这样就减小了寄生电容的影响，扩展了电感的工作频带，以及大幅度提高了在高频带范围内的性能。
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公开(公告)号：CN101806838A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200910056880.3
申请日：2009-02-17
Applicant: 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明提供了互连线测试结构及相应测试方法，以降低测试成本，该结构包括多个子测试结构，所述子测试结构包含由电阻互连线和电容互连线构成的comb meander结构，且所述电阻互连线两端均连接有子电阻测量端及测量开关，所述子电阻测量端及测量开关并联；其中各子测试结构位于不同金属层；各子测试结构中，电阻互连线两端的测量开关分别连接至两个主电阻测量端，以及各个位于奇数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第一电容测量端，各个位于偶数金属层的子测试结构的电容互连线连接至第二电容测量端。
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公开(公告)号：CN109980008A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711455438.9
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司 , 上海北京大学微电子研究院
Abstract: 本发明公开了一种CoolMOS结构，用以提高击穿电压，其中所述为该CoolMOS的制作结构，包括漂移区以及漂移区掺杂浓度的情况。该漂移区的掺杂浓度情况由虚线标出。该方法包括该漂移区制作的步骤，以及在漂移区制作的过程中调节漂移区的掺杂浓度而使其达到提高击穿电压的目的。该方法在不增加掩模板以及制造成本的前提下，提出一种新的方法来提高VDMOS的击穿电压。
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公开(公告)号：CN109979985A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711452884.4
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 本文公开了一种提高SOI器件击穿电压的器件新结构，其中包括阶梯型埋氧层和双层复合介质埋层结构，埋氧层从源端到漏端成阶梯型，在漏洞下方为双层复合介质埋层。该阶梯型埋氧层为双面阶梯型，层复合介质埋层中间填充多晶硅，且两层埋氧层开有窗口。
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公开(公告)号：CN109979887A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201711454893.7
申请日：2017-12-28
Applicant: 上海卓弘微系统科技有限公司 , 上海北京大学微电子研究院 , 上海芯哲微电子科技股份有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本发明提出了一种新的SOI LDMOS器件结构，涉及一种适合于高低压封装集成的大功率结构。该结构包括半导体衬底层，介质埋层，顶层硅以及场氧层。其中介质埋层采用低K介质材料，顶层硅中漂移区采用分区梯级掺杂，漂移区上表面淀积场氧层，器件栅、漏级采用场板技术。
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