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公开(公告)号：CN101770175B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN200910215519.0
申请日：2009-12-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0752 , C08G77/12 , C08G77/14 , C08G77/16 , C08G77/18 , C08G77/20 , C08G77/24 , C08G77/26 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , C08K5/0008 , C08L83/04 , C08L83/14 , C09D183/04 , C09D183/14 , G03F7/0757 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/30 , G03F7/36
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括从以下化学式1和2中的至少一种化合物与以下化学式3～5中的至少一种化合物获得的有机硅烷缩聚产物；以及溶剂。[化学式1][R1]3Si-[Ph1]1-Si[R2]3[化学式2][R1]3Si-[Ph1]m-Ph2[化学式3][R1]3Si-CH2n-R3[化学式4][R1]3Si-R4[化学式5][R1]3Si-X-Si[R2]3在以上化学式1～5中，Ph1、Ph2、R1～R4、X、l、m和n与说明书中的定义相同。
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公开(公告)号：CN102713757A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080059506.X
申请日：2010-12-08
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11
Abstract: 提供了一种抗蚀剂下层组合物，包括：有机硅烷类缩聚物以及溶剂。该有机硅烷类缩聚物以10到40mol%由说明书中化学式1表示的结构单元提供。因此，本发明提供一种可传输优异图案以形成具有优异的存储稳定性和耐蚀刻性的抗蚀剂下层的抗蚀剂下层组合物，且本发明还涉及使用该抗蚀剂下层组合物制造半导体集成电路器件的方法。
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公开(公告)号：CN102516503A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110305955.4
申请日：2007-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: G03F7/091 , C08G61/02 , C08G61/10 , G03F7/11 , Y10S438/952
Abstract: 提供了芘主链聚合物和含有该芘主链聚合物的抗反射硬掩模组合物以及材料层的图案化方法。所述硬掩模组合物含有有机溶剂、引发剂、和由式C表示的芘主链聚合物，这些在说明书中有描述。本发明的硬掩模组合物可以用于提供以很高的纵横比图案化的多层薄膜，并且可以将良好的图像转移至下层。另外，通过旋转涂覆技术可以很容易地施覆组合物。
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公开(公告)号：CN101370854B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200780002634.9
申请日：2007-01-15
Applicant: 第一毛织株式会社
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/20 , G03F7/0752 , G03F7/091 , H01L21/3121
Abstract: 根据本发明的一些实施方式，本发明提供了有机硅烷聚合物，该有机硅烷聚合物是通过使含有(a)至少一种式(I)的化合物Si(OR1)(OR2)(OR3)R4，其中R1、R2和R3可以各自独立地为烷基，且R4可以为-(CH2)nR5，其中R5为芳基或取代的芳基，且n可以为0或正整数；和(b)至少一种式(II)的化合物Si(OR6)(OR7)(OR8)R9，其中R6、R7和R8可以各自独立地为烷基或芳基，且R9可以为烷基的有机硅烷化合物反应而制备得到的。还提供了含有本发明实施方式的有机硅烷化合物或其水解产物的硬掩模组合物。还提供了使用本发明实施方式的硬掩模组合物制备半导体装置的方法，和由该硬掩模组合物制成的半导体装置。
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公开(公告)号：CN102060981A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010566229.3
申请日：2007-12-20
Applicant: 第一毛织株式会社
Abstract: 本发明提供了说明书中描述的式3的含芳环的聚合物。本发明还提供了一种具有增透特性的硬掩膜组合物，该组合物含有所述含芳环的聚合物。该硬掩膜组合物适用于平版印刷工艺并且具有优异的光学特性和机械特性。另外，该组合物易于通过旋转涂布技术施用。特别地，该组合物对干蚀刻有很高的抗蚀性。因此，该组合物可用于提供形成高纵横比图案的多层薄膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101910947A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200880124489.6
申请日：2008-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/16 , C08G77/50 , C08G77/52 , C08G77/70 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/0332 , H01L21/3081 , H01L21/3122 , H01L21/32139
Abstract: 本发明提供了一种硅基硬掩模组合物。该硬掩模组合物包含(a)有机硅烷聚合物及(b)溶剂。该有机硅烷聚合物以式1表示：{(SiO1.5-Y-SiO1.5)x(R3SiO1.5)y(XSiO1.5)z}(OH)e(OR6)f(1)。在式1中，x、y及z表示聚合物中的重复单元(SiO1.5-Y-SiO1.5)、(R3SiO1.5)及(XSiO1.5)的相对比例，且满足关系式0.05≤x≤0.9、0.05≤y≤0.9、0≤z≤0.9及x+y+z＝1；e及f分别表示键结至硅(Si)原子的末端-OH基数目及末端-OR基数目对聚合物中的2x+y+z硅(Si)原子数目之比，且满足关系式0.03≤e≤0.2及0.03≤f≤0.25；X为含有至少一个经取代或未经取代的芳香环的C6-C30官能基；R3为C1-C6烷基；Y为选自由芳香环、经取代或未经取代的直链或支链C1-C20亚烷基、主链中含有至少一个芳香环或杂环系环或具有至少一个脲基或异氰尿酸酯基的C1-C20亚烷基及含有至少一个多重键的C2-C20烃基所组成的组中的连接基；及R6为C1-C6烷基。
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公开(公告)号：CN101256315B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200810007708.4
申请日：2008-02-29
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G02F1/1337
CPC classification number: C08G73/10 , G02F1/133723 , Y10T428/1023
Abstract: 本发明提供了一种适用于生产液晶显示装置的液晶取向剂。所述液晶取向剂含有选自聚酰胺酸和可溶性聚酰亚胺中的至少一种聚合物、非质子极性溶剂以及单乙二醇二甲醚或二丙二醇二甲醚。所述液晶取向剂具有令人满意的可印刷性。本发明还提供了使用所述取向剂形成的液晶取向层。所述液晶取向层非常均匀。
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公开(公告)号：CN101770176A
公开(公告)日：2010-07-07
申请号：CN200910215844.7
申请日：2009-12-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08K5/54 , G03F7/0752
Abstract: 本发明披露了一种抗蚀剂下层组合物，其包括由以下化学式1至3表示的化合物中的至少一种以及由以下化学式4和5表示的化合物中的至少一种的有机硅烷基聚合产物，以及溶剂。在以下化学式1至5中，R1至R10、X、n以及m与在说明书中所限定的相同。[化学式1][R1]3Si-(CH2)nR2[化学式2][化学式3][R6]3Si-R7-Si[R6]3[化学式4][R8]3Si-R9[化学式5][R10]3Si-X-Si[R10]3。
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公开(公告)号：CN101042533B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200710007513.5
申请日：2007-01-30
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: G03F7/075 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供了硬掩模组合物，该组合物含有通过一种或多种式(I)化合物的反应所制备的有机硅烷聚合物，其中，R1、R2和R3可以各自独立地为烷基、乙酰氧基或肟；且R4可以是氢、烷基、芳基或芳烷基；并且其中有机硅烷聚合物具有大约1.1至大约2的多分散性。Si(OR1)(OR2)(OR3)R4 (I)
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公开(公告)号：CN101506941A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200680055586.5
申请日：2006-12-31
Applicant: 第一毛织株式会社
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/31144 , C08G77/04 , C09D183/04 , H01L21/0276
Abstract: 本发明公开了一种用于处理抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物。这种硬掩模组合物含有：(a)由[RO]3Si－R′(1)表示的化合物制备的含烷氧基有机硅烷聚合物(其中R是甲基或乙基，而R′是取代或未取代的环状或无环烷基)，或由式1的化合物和[RO]3Si－Ar(2)表示的化合物(其中R是甲基或乙基，而Ar是含芳环官能团)制备的含烷氧基有机硅烷聚合物；和(b)溶剂。该硬掩模组合物具有优良的膜特性。另外，该硬掩模组合物表现出优良的硬掩模特性，由此能够把好的图案有效地转印到材料层。特别地，该硬掩模组合物在储存期间是高度稳定的。进而本申请还公开了一种用于采用该硬掩模组合物生产半导体集成电路器件的方法。
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