电子组件模块
    51.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111987065B

    公开(公告)日:2025-03-14

    申请号:CN201911088263.1

    申请日:2019-11-08

    Abstract: 本发明提供一种电子组件模块,所述电子组件模块包括:半导体封装件,具有设置为安装表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面,并且包括半导体芯片;组件封装件,具有面向所述半导体封装件的所述第二表面的第一表面以及与所述组件封装件的所述第一表面相对的第二表面,所述组件封装件包括无源组件;以及连接器,设置在所述组件封装件的所述第二表面上并且具有被构造为机械地结合到外部装置的连接表面,所述连接器包括布置在所述连接表面上的多条连接线。

    多层电容器和其中嵌有多层电容器的板

    公开(公告)号:CN116844858A

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202211106125.3

    申请日:2022-09-09

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器和其中嵌有多层电容器的板。所述多层电容器包括:主体,包括电容区域,在所述电容区域中,至少一个第一内电极和至少一个第二内电极在第一方向上交替层叠且至少一个介电层介于所述至少一个第一内电极和所述至少一个第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,彼此间隔开并且分别设置在所述主体的第一表面和第二表面上,所述第一表面和所述第二表面彼此相对。所述主体还包括第一过孔电极和第二过孔电极,所述第一过孔电极在所述第一方向上将所述至少一个第一内电极和所述第一外电极彼此连接,所述第二过孔电极在所述第一方向上将所述至少一个第二内电极和所述第二外电极彼此连接。

    多层陶瓷电容器和其上安装有多层陶瓷电容器的板组件

    公开(公告)号:CN114551095A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202110788174.9

    申请日:2021-07-13

    Inventor: 金亨俊 金贤珠

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器和其上安装有多层电容器的板组件,所述多层电容器包括:电容器主体,包括第一介电层和第二介电层以及内电极,并且包括第一表面至第六表面;第一外电极和第二外电极,设置在第五六表面和第六表面上;以及第三外电极和第四外电极,设置在第三表面和第四表面上。所述内电极包括:第一内电极,设置在所述第一介电层上,并且连接到所述第一外电极和所述第二外电极;第二内电极,设置在所述第一介电层上,并且连接到所述第三外电极;第三内电极,设置在所述第一介电层上,并且连接到所述第四外电极;以及第四内电极,设置在所述第二介电层上,并且与所述第一内电极至所述第三内电极中的每个的至少一部分叠置。

    半导体封装件
    54.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112133678A

    公开(公告)日:2020-12-25

    申请号:CN201911308405.0

    申请日:2019-12-18

    Abstract: 本公开提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,具有其上设置有止挡层的凹槽;半导体芯片,包括主体和贯穿过孔,所述主体具有其上设置有连接焊盘的第一表面以及与所述第一表面背对的第二表面,所述贯穿过孔贯穿所述第一表面与所述第二表面之间的区域的至少一部分,所述第二表面面对所述止挡层;包封剂,覆盖所述框架和所述半导体芯片中的每个的至少一部分,并且填充所述凹槽的至少一部分;第一连接结构,设置在所述框架的下侧上和所述半导体芯片的所述第一表面上,并且包括第一重新分布层;以及第二连接结构,设置在所述框架的上侧上和所述半导体芯片的所述第二表面上,并且包括第二重新分布层。

    半导体封装件
    55.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109686723A

    公开(公告)日:2019-04-26

    申请号:CN201810408326.6

    申请日:2018-05-02

    Inventor: 金汉 金亨俊

    Abstract: 本发明提供一种半导体封装件。所述半导体封装件包括:连接构件和支撑构件。所述连接构件具有彼此背对的第一表面和第二表面以及重新分布层。所述支撑构件设置在所述连接构件的所述第一表面上,具有彼此分开的第一通孔和第二通孔,并具有至少设置在所述第二通孔的内表面上的阻断层。半导体芯片设置在所述第一通孔中并具有连接到所述重新分布层的连接焊盘。至少一个无源组件设置在所述第二通孔中并具有连接到所述重新分布层的连接端子。包封件包封位于所述第一通孔中的所述半导体芯片和位于所述第二通孔中的所述至少一个无源组件。电磁带隙(EBG)结构嵌在所述支撑构件中。

    多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103887062B

    公开(公告)日:2017-09-29

    申请号:CN201310088422.4

    申请日:2013-03-19

    Inventor: 金亨俊

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/12 H01G4/224 H01G4/232

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法,该多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体;多个第一和第二内部电极,分别地包括第一和第二主体部分以及第一和第二引出部分;第一和第二外部电极,分别地形成在陶瓷主体的一个表面上;以及绝缘层,形成在陶瓷主体的一个表面上,并且覆盖第一和第二引出部分的暴露部分,其中,第一和第二主体部分与第一和第二引出部分之间的内部连接部分可分别具有凹入曲面。

    多层陶瓷电容器和该多层陶瓷电容器的制造方法

    公开(公告)号:CN102683016B

    公开(公告)日:2016-06-08

    申请号:CN201110390597.1

    申请日:2011-11-30

    Inventor: 金亨俊

    Abstract: 提供一种多层陶瓷电容器和该多层陶瓷电容器的制造方法。该多层陶瓷电容器包括:多层本体,该多层本体具有彼此相对的第一侧面和第二侧面并且具有连接所述第一侧面和所述第二侧面的第三侧面和第四侧面;内电极,所述内电极形成在所述多层本体中并且形成为与所述第三侧面或所述第四侧面间隔开预定距离;凹槽部分,所述凹槽部分形成在所述多层本体的顶表面和底表面的至少一个上,并形成为平行于第三或第四侧面且距离第三或第四侧面预定距离;和外电极,所述外电极从第三侧面和第四侧面延伸到多层本体的顶表面或底表面以覆盖所述凹槽部分。

    多层陶瓷电子部件及其制造方法

    公开(公告)号:CN103887067A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201310088537.3

    申请日:2013-03-19

    Inventor: 金亨俊

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/0085 H01G4/012 H01G4/12

    Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷电子部件,包括:陶瓷本体,陶瓷本体包括多个介电层;以及多个第一和第二内部电极,第一和第二内部电极在陶瓷本体内设置成彼此面对并且具有不同的宽度,介电层介于第一和第二内部电极之间,其中,多个第一和第二内部电极中的三个或更多个形成单个块体,这些块体被重复地层压,并且当在多个第一和第二内部电极之中的最高内部电极与最低内部电极之间的最长距离为T1、并且最高内部电极与最低内部电极之间的最短距离为T2时,满足0.76≤T2/T1≤0.97。

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