半导体封装件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111564432B

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN201910666144.3

    申请日:2019-07-23

    Abstract: 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:第一连接结构,具有第一表面和第二表面并且包括一个或更多个第一重新分布层;第一半导体芯片,设置在第一表面上;第二半导体芯片,设置在第二表面上;第三半导体芯片,设置在第二表面上;以及至少一个第一无源组件,设置在第二半导体芯片和第三半导体芯片之间且位于第二表面上。当从上方观察时,第一连接结构可包括:第一区域,包括与第一无源组件重叠的区域;以及第二区域,包括分别与第二半导体芯片的至少一部分和第三半导体芯片的至少一部分重叠的区域。第一区域可设置在第二区域之间。第一重新分布层在第一区域中可包括电力图案和接地图案中的至少一者并且在第二区域中包括信号图案。

    多层电容器和其上安装有该多层电容器的板

    公开(公告)号:CN114496565A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202110922931.7

    申请日:2021-08-12

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器和其上安装有多层电容器的板。多层电容器包括:电容器主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,电容器主体具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到第一表面和第二表面且彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到第一表面和第二表面、连接到第三表面和第四表面且彼此相对的第五表面和第六表面;第一侧部和第二侧部,分别设置在电容器主体的第五表面和第六表面上;以及第一外电极和第二外电极,分别设置在电容器主体的第三表面和第四表面上,且分别连接到第一内电极和第二内电极。第一内电极和第二内电极在垂直于电容器主体的第五表面和第六表面的方向上的一侧边缘处具有凸起。

    多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN107068401A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201610866291.1

    申请日:2011-08-30

    Inventor: 金亨俊 金钟勋

    Abstract: 一种多层陶瓷电容器及其制造方法。该多层陶瓷电容器包括:多层主体,其层叠了多个介电层;形成多个介电层的一部分的第一覆盖层和第二覆盖层;第一介电层,设置在第一覆盖层和第二覆盖层之间,并印刷有邻近并暴露于第一侧、第二侧和第四侧的第一内部电极图案;第二介电层,与第一介电层交替层叠,并印刷有邻近并暴露于第三侧、第二侧和第四侧的第二内部电极图案;第一侧部和第二侧部,每个形成在彼此相对的第二侧和第四侧上;边缘部分,在第一或第二侧部与多层主体的角部接触,具有倾斜的形状,其中,第一侧部或第二侧部的最大厚度是10至30μm,边缘部分的厚度薄于第一或第二侧部的厚度,与第一覆盖层和第二覆盖层接触的边缘部分的厚度是2μm以上。

    多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103871742B

    公开(公告)日:2016-12-28

    申请号:CN201310058926.1

    申请日:2013-02-25

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/12 H01G4/228 Y10T29/435

    Abstract: 本发明公开了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。多层陶瓷电容器包括:陶瓷本体;第一和第二内电极,包括彼此交迭的第一和第二本体部分以及具有交迭区域的且暴露于陶瓷本体的一个表面的第一和第二引出部分;第一和第二外电极,形成在陶瓷本体的一个表面;以及绝缘层,形成在陶瓷本体的一个表面上的,其中从第一和第二本体部分的端部延伸至第一和第二引出部分的端部的第一和第二连接表面形成为倾斜的,并且当第一或第二内电极的长度的一半定义为A、并且从陶瓷本体的中心到连接表面的起始点的长度定义为B时,B/A满足0.03≤B/A≤0.90。

    多层陶瓷电容器和制造该多层陶瓷电容器的方法

    公开(公告)号:CN102543436B

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201110391486.2

    申请日:2011-11-30

    Inventor: 金亨俊 金钟勋

    CPC classification number: H01G4/0085 H01G4/12 H01G4/30 Y10T29/43

    Abstract: 公开的是一种多层陶瓷电容器和一种制造多层陶瓷电容器的方法。提供了一种制造多层陶瓷电容器的方法,该方法包括:在陶瓷基片上平行地印刷多个带型内电极图形;通过堆叠形成有多个带型内电极图形的陶瓷基片形成层合板;切割所述层合板使得第一内电极图形和第二内电极图形被交替地堆叠;和通过施加陶瓷浆料以便覆盖所述层合板上所述第一内电极图形和所述第二内电极图形所暴露至的侧部,形成第一侧件和第二侧件。

    多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN103887062A

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201310088422.4

    申请日:2013-03-19

    Inventor: 金亨俊

    CPC classification number: H01G4/30 H01G4/012 H01G4/12 H01G4/224 H01G4/232

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法,该多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体;多个第一和第二内部电极,分别地包括第一和第二主体部分以及第一和第二引出部分;第一和第二外部电极,分别地形成在陶瓷主体的一个表面上;以及绝缘层,形成在陶瓷主体的一个表面上,并且覆盖第一和第二引出部分的暴露部分,其中,第一和第二主体部分与第一和第二引出部分之间的内部连接部分可分别具有凹入曲面。

    多层陶瓷电容器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102810396A

    公开(公告)日:2012-12-05

    申请号:CN201210162629.7

    申请日:2012-05-23

    CPC classification number: H01G4/01 H01G4/005 H01G4/12 H01G4/30

    Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器,该多层陶瓷电容器包括:多层主体,具有交替层叠的多个介电层和多个内电极层,其中,每个内电极层的宽度从内电极层的在长度方向上的中央朝向内电极层的在长度方向的两端逐渐减小,当每个内电极层的在长度方向上的端部处的内电极层的宽度被限定为最小宽度L2、且在每个介电层中的余留部分M的一部分的宽度被限定为最大宽度M2时,余留部分M的所述一部分没有设置有内电极层,且与每个内电极层的在长度方向上的端部对应,M2与L2的比率(M2/L2)在0.2到0.3的范围内。

    多层陶瓷电容器及其制造方法

    公开(公告)号:CN102568822A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201110246715.1

    申请日:2011-08-25

    Inventor: 金亨俊

    Abstract: 本发明披露了多层陶瓷电容器及其制造方法。提供了一种多层陶瓷电容器,包括:多层主体,通过层叠包括第一陶瓷介电粉末的多个介电层而形成,并被第一侧、第二侧、第三侧和第四侧顺序包围;第一内部电极图案和第二内部电极图案,形成在多个介电层上,并被形成为分别暴露于多层主体的第一侧和第三侧;以及第一侧部和第二侧部,分别形成在多层主体的第二侧和第四侧上,并包括颗粒直径比第一陶瓷介电粉末小的第二陶瓷介电粉末。

    多层陶瓷电容器
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101546648B

    公开(公告)日:2012-01-18

    申请号:CN200810084094.X

    申请日:2008-03-26

    Abstract: 一种多层陶瓷电容器,包括:陶瓷烧结体,具有设置在其上、下表面作为最外层的覆盖层,和排列在覆盖层之间的多个陶瓷层;第一和第二内电极,形成在陶瓷层上面,并且第一和第二内电极堆叠着,使其中一个陶瓷层介于它们之间;第一和第二外电极,形成在陶瓷烧结体相对侧上,分别与第一和第二内电极相连接;以及抗氧化电极层,分别形成在覆盖层和相邻的陶瓷层之间,所设置的抗氧化电极层不影响电容。

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