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公开(公告)号:CN108376680B
公开(公告)日:2023-04-28
申请号:CN201711163036.1
申请日:2017-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , F21K9/232 , F21K9/238 , F21K9/68 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y115/10
Abstract: 一种LED器件包括:透明衬底,具有条形形状并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;多个LED芯片,安装在透明衬底的第一表面上并彼此电连接,所述多个LED芯片中的每一个具有设置在在所述透明衬底中安装的表面上的反射层;第一连接端子和第二连接端子,设置在所述透明衬底的相对端上并电连接到所述多个LED芯片;接合层,插入在所述多个LED芯片和所述透明衬底之间,并且包括金属填料;以及波长转换部分,覆盖所述透明衬底的第一表面和第二表面以及所述多个LED芯片。
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公开(公告)号:CN115939278A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202210661382.7
申请日:2022-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体发光器件、包括其的显示装置和制造其的方法。该半导体发光器件包括:半导体结构,包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;侧延伸结构,与半导体结构的侧壁相邻设置;第一电极,具有延伸穿过第二半导体层和发光层并电连接到第一半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分;以及第二电极,具有电连接到第二半导体层的第一部分、以及在侧延伸结构的上表面上在水平方向上延伸的第二部分。
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公开(公告)号:CN115210884A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202280002438.6
申请日:2022-01-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L27/15
Abstract: 根据一实施方式的一方面,提供一种微型半导体芯片转移基板,该微型半导体芯片转移基板包括:模具,包括形成为从上表面以一定深度凹入的多个凹陷;以及表面能降低图案,在上表面上形成在所述多个凹陷之间的区域中,该表面能降低图案包括多个不平坦图案。当通过湿对准方法对准微型半导体芯片时,通过这样的表面能降低图案,可以改善微型半导体芯片朝向凹陷的内部的滑动。
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公开(公告)号:CN114628428A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202110982669.5
申请日:2021-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种微半导体芯片湿对准装置。该微半导体芯片湿对准装置包括:半导体芯片湿供应模块,配置为将多个微半导体芯片和液体供应到转移基板上,使得所述多个微半导体芯片可在转移基板上流动;以及包括吸收体芯片对准模块,吸收体能够沿着转移基板的表面相对移动并配置为吸收液体,使得所述多个微半导体芯片对准在多个凹槽中。
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公开(公告)号:CN114256396A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202110900460.X
申请日:2021-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种微型发光器件、包括其的显示装置以及制造该微型发光器件的方法。该微型发光器件包括:第一类型半导体层;提供在第一类型半导体层上的发光层;提供在发光层上的第二类型半导体层;提供在第二类型半导体层上的一个或更多个第一类型电极;提供在第二类型半导体层上并与所述一个或更多个第一类型电极间隔开的一个或更多个第二类型电极;以及提供在所述一个或更多个第一类型电极与所述一个或更多个第二类型电极之间的接合扩散防止部分。
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公开(公告)号:CN114141800A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202110783038.0
申请日:2021-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了微型发光二极管显示装置及其制造方法。提供一种包括多个像素的微型发光二极管(LED)显示装置,该微型LED显示装置包括:驱动电路基板;第一电极,提供在驱动电路基板上;一个或更多个微型发光二极管(LED),提供在第一电极上;绝缘层,提供在所述一个或更多个微型LED上;通孔图案,提供在绝缘层中;电接触,提供在通孔图案中;以及第二电极,提供在电接触上,其中通孔图案暴露所述一个或更多个微型LED的一部分。
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公开(公告)号:CN109119408A
公开(公告)日:2019-01-01
申请号:CN201810935119.6
申请日:2016-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/44 , H01L33/50
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管,其包括发光结构、发光结构上的光学波长转换层和光学波长转换层上的光学滤波器层。发光结构包括第一导电类型的半导体层、第一导电类型的半导体层上的有源层和有源层上的第二导电类型的半导体层,并且发射具有第一峰值波长的第一光。光学波长转换层吸收从发光结构发射的第一光,并且发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二光。光学滤波器层反射从发光结构发射的第一光,并且透射从光学波长转换层发射的第二光。
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公开(公告)号:CN108376680A
公开(公告)日:2018-08-07
申请号:CN201711163036.1
申请日:2017-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/075 , H01L33/50 , F21K9/232 , F21K9/238 , F21K9/68 , F21V19/00 , F21V23/06 , F21Y115/10
CPC classification number: F21K9/232 , F21K9/23 , F21K9/27 , F21V3/02 , F21Y2107/00 , F21Y2115/10 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/641 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , F21K9/238 , F21K9/68 , F21V19/0025 , F21V23/06
Abstract: 一种LED器件包括:透明衬底,具有条形形状并且具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;多个LED芯片,安装在透明衬底的第一表面上并彼此电连接,所述多个LED芯片中的每一个具有设置在所述透明衬底中安装的表面上的反射层;第一连接端子和第二连接端子,设置在所述透明衬底的相对端上并电连接到所述多个LED芯片;接合层,插入在所述多个LED芯片和所述透明衬底之间,并且包括金属填料;以及波长转换部分,覆盖所述透明衬底的第一表面和第二表面以及所述多个LED芯片。
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