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公开(公告)号：CN101060139A
公开(公告)日：2007-10-24
申请号：CN200610148646.X
申请日：2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种非晶氧化锌(ZnO)薄膜晶体管(TFT)及其制造方法，所述非晶ZnO TFT包括：衬底；半导体沟道，在衬底上由包括n(GaO3)、m(InO3)和(ZnO)k的非晶ZnO基化合物半导体材料形成；源极和漏极电极，电接触半导体沟道的两端；栅极，形成围绕半导体沟道的电场；和栅极绝缘体，设置于栅极和半导体沟道之间。可以满足不等式条件n≥1.5、m≥1.5、k＞0。
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公开(公告)号：CN1241457A
公开(公告)日：2000-01-19
申请号：CN99110200.2
申请日：1999-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B08B3/08 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/02071 , H01L21/31111 , H01L21/31691
Abstract: 提供了一种采用浸蚀剂清洗PZT薄膜的方法。该方法采用HF(或缓冲氧化物浸蚀剂(BOE)和乙酸的混合物,或HF(BOE)、乙酸和醇的混合物,作为浸蚀剂,从而降低了PZT薄膜的浸蚀速率,该浸蚀速率在很大程度上取决于HF的浓度,进而可以采用这种浸蚀剂把PZT薄膜浸蚀去掉一个较薄的厚度为100埃或更薄。所以,只有PZT薄膜表面上的第二相晶体或浸蚀破坏层能被去除。
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公开(公告)号：CN103247693B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201310047408.X
申请日：2013-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1333 , G06F3/042
CPC classification number: H01L29/45 , G02F1/13338 , G02F1/1368 , G06F3/0421 , G06F2203/04103 , H01L29/4908 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管以及使用其的显示面板。该晶体管包括∶栅极；第一钝化层，覆盖栅极；沟道层，设置在第一钝化层上；源极和漏极，设置在第一钝化层上并接触沟道层的两侧；第二钝化层，覆盖沟道层、源极和漏极；第一和第二透明电极层，设置在第二钝化层上并彼此间隔开；第一透明导电通道，穿透第二钝化层并连接源极和第一透明电极层；以及第二透明导电通道，穿透第二钝化层并连接漏极和第二透明电极层。栅极的横截面区域大于沟道层、源极和漏极组合的横截面区域。
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公开(公告)号：CN102130177B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201010569845.4
申请日：2010-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L23/31 , H01L23/29 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。
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公开(公告)号：CN102667941B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201080058615.X
申请日：2010-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/00086 , G06F12/0246 , G06F21/10 , G06F21/79 , G11B2220/60 , G11C7/24
Abstract: 存储在电子存储媒体中的许多书本数据本来应当受到版权保护，但是实际上对书本数据发生非法复制或破解，并且在电子存储媒体中包含的书本数据没有充分受到版权保护。因而，本发明提供一种用于存储媒体内容的具有安全功能的存储介质，以及用于输出在存储介质中存储的数据的输出装置。为了控制在存储单元中存储的媒体内容到输出设备的传输，存储介质包括：控制器，转换连接单元中的插脚位置和存储单元中的媒体内容的存储位置中的至少一个。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102065247B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201010525974.3
申请日：2010-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N5/341 , H01L27/146
CPC classification number: H04N9/045 , H01L27/14643 , H04N5/3745
Abstract: 一种图像传感器及其操作方法。一种图像传感器包括：包括多个像素的像素阵列。所述多个像素中的每一个包括：光传感器，其电压-电流特性根据入射光的能量而改变，并且该光传感器产生由入射光的能量确定的感测电流；复位单元，其根据用于复位所述多个像素中的至少一个的复位信号而激活以产生基准电流；以及转换单元，其将感测电流和基准电流分别转换为感测电压和基准电压。
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公开(公告)号：CN102347443B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110197102.3
申请日：2011-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C2013/0073 , G11C2213/12 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 示例实施例涉及一种非易失性存储元件和一种包括其的存储装置。非易失性存储元件可包括在两个电极之间具有多层结构的存储层。存储层可包括第一材料层和第二材料层，并可由于在第一材料层和第二材料层之间离子物种的移动而显示出电阻变化特性。第一材料层可以是供氧层。第二材料层可以是具有多重陷阱能级的氧化物层。
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公开(公告)号：CN101714870B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN200910175707.5
申请日：2009-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03K19/20
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/1203
Abstract: 本发明提供了一种反相器、操作反相器的方法以及包括反相器的逻辑电路。所述反相器可包括负载晶体管和驱动晶体管，负载晶体管和驱动晶体管中的至少一个可具有双栅结构。负载晶体管或驱动晶体管的阈值电压可通过双栅结构来调整，从而反相器可以是增强/耗尽(E/D)型反相器。
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公开(公告)号：CN102903753A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210090456.2
申请日：2012-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/221 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66621 , H01L29/66545 , H01L29/66969 , H01L29/685 , H01L29/78618 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供包括可变电阻材料的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：绝缘衬底；沟道层，在绝缘衬底上；栅极，从沟道层的上表面至少部分地延伸到沟道层中；源极和漏极，在沟道层上分别在栅极的相对两侧；栅绝缘层，围绕栅极且将栅极与沟道层、源极和漏极电绝缘；以及可变电阻材料层，在绝缘衬底与栅极之间。
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公开(公告)号：CN102667941A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201080058615.X
申请日：2010-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B20/00086 , G06F12/0246 , G06F21/10 , G06F21/79 , G11B2220/60 , G11C7/24
Abstract: 存储在电子存储媒体中的许多书本数据本来应当受到版权保护，但是实际上对书本数据发生非法复制或破解，并且在电子存储媒体中包含的书本数据没有充分受到版权保护。因而，本发明提供一种用于存储媒体内容的具有安全功能的存储介质，以及用于输出在存储介质中存储的数据的输出装置。为了控制在存储单元中存储的媒体内容到输出设备的传输，存储介质包括：控制器，转换连接单元中的插脚位置和存储单元中的媒体内容的存储位置中的至少一个。
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