公开(公告)号：CN215578560U

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202121352138.X

申请日：2021-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金江旻 ,  申重植 ,  孙洪翼 ,  宋炫周

IPC: H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、接触插塞和支撑结构，栅电极结构形成在包括单元阵列区域和垫区域的衬底上。栅电极结构包括在第二方向上延伸并在垫区域上沿第一方向堆叠成阶梯形状的栅电极。沟道在单元阵列区域上延伸穿过栅电极结构。接触插塞分别接触栅电极结构的台阶中的对应的台阶。支撑结构分别延伸穿过台阶中的所述对应的台阶，并在垫区域上沿第一方向延伸。支撑结构包括填充图案以及覆盖填充图案的侧壁和底表面的蚀刻停止图案。每个支撑结构的上表面高于沟道的上表面。

公开(公告)号：CN214542223U

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN202120714645.7

申请日：2021-04-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申载勋 ,  金江旻 ,  朴庆晋 ,  宋承砇 ,  申重植 ,  林根元

IPC: H01L23/538 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/1157 ,  H01L21/768

Abstract: 一种竖直存储器装置包括栅电极结构、沟道、绝缘图案结构、蚀刻停止结构和穿通孔。栅电极结构包括在基本垂直于衬底的上表面的第一方向上在衬底上彼此间隔开的栅电极，所述栅电极中的每一个在基本平行于衬底的上表面的第二方向上延伸。沟道在第一方向上延伸穿过栅电极结构。绝缘图案结构延伸穿过栅电极结构。蚀刻停止结构延伸穿过栅电极结构，并且包围绝缘图案结构的至少一部分侧壁，并且蚀刻停止结构包括填充图案和填充图案的侧壁上的蚀刻停止图案。穿通孔在第一方向上延伸穿过绝缘图案结构。