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公开(公告)号：CN115394782A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210558714.9
申请日：2022-05-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/108
Abstract: 一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括外围电路结构、半导体层、源极导电层、连接模层、支撑导电层、掩埋绝缘层、栅极堆叠结构、模结构、穿过栅极堆叠结构的沟道结构和支撑物层、穿过模结构和掩埋绝缘层的通孔通路、在栅极堆叠结构和模结构之间的坝结构、在坝结构上的上支撑物层、以及穿过栅极堆叠结构和上支撑物层的字线分隔层。坝结构包括第一间隔物、在第一间隔物内的第二间隔物、连接到上支撑物层并部分地在第二间隔物的内侧壁上或覆盖第二间隔物的内侧壁的下支撑物层、以及具有由第二间隔物限定的侧壁和由下支撑物层限定的顶端的气隙。
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公开(公告)号：CN114678377A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202111580785.0
申请日：2021-12-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/11568
Abstract: 一种半导体器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替堆叠在下结构上的层间绝缘层和栅极层；以及穿透堆叠结构的存储器竖直结构、分离结构和支撑竖直结构，其中栅极层包括下栅极层、上栅极层和中间栅极层，其中分离结构包括第一分离结构，其中支撑竖直结构包括穿透下栅极层、中间栅极层和上栅极层且与第一分离结构相邻的第一内支撑竖直结构，其中第一内支撑竖直结构的一部分在与上栅极层相同的水平上直接连接到第一分离结构，以及其中第一内支撑竖直结构的一部分在与下栅极层相同的水平上与第一分离结构间隔开。
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公开(公告)号：CN114664844A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202111529275.0
申请日：2021-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：在基板上的外围电路层；在基板上的下堆叠和上堆叠；停止物层，在上堆叠上并包括绝缘材料；在停止物层上的上模具层；延伸穿过下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层的单元沟道结构，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；第一覆盖层和第二覆盖层；字线分隔结构，包括朝向停止物层突出的突起；以及连接到单元沟道结构的位线接触插塞，其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移并与字线分隔结构接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114256270A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111032934.X
申请日：2021-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , H01L27/1157 , H01L27/11556 , H01L27/11524
Abstract: 提供了集成电路器件和包括其的电子系统。所述集成电路器件可以包括：栅极堆叠件，所述栅极堆叠件在所述衬底上在可以平行于衬底的主表面的第一方向上延伸，所述栅极堆叠件包括在可以垂直于所述衬底的所述主表面的垂直方向上彼此交叠的多个栅电极；沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸穿过所述栅极堆叠件；字线切割开口，所述字线切割开口在所述垂直方向上延伸穿过所述栅极堆叠件并且在所述第一方向上延伸；以及上支撑层，所述上支撑层位于所述栅极堆叠件上，并且包括在所述垂直方向上与所述字线切割开口交叠的孔。所述沟道结构的上表面与所述上支撑层的下表面接触。
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公开(公告)号：CN113823634A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110670054.9
申请日：2021-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、接触插塞和支撑结构，栅电极结构形成在包括单元阵列区域和垫区域的衬底上。栅电极结构包括在第二方向上延伸并在垫区域上沿第一方向堆叠成阶梯形状的栅电极。沟道在单元阵列区域上延伸穿过栅电极结构。接触插塞分别接触栅电极结构的台阶中的对应的台阶。支撑结构分别延伸穿过台阶中的所述对应的台阶，并在垫区域上沿第一方向延伸。支撑结构包括填充图案以及覆盖填充图案的侧壁和底表面的蚀刻停止图案。每个支撑结构的上表面高于沟道的上表面。
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公开(公告)号：CN116471843A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310082481.4
申请日：2023-01-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：具有栅电极和层间绝缘层的堆叠结构，该堆叠结构具有单元区域和台阶区域，并且栅电极在第一方向上延伸以在台阶区域中具有台阶形状；在单元区域中穿过堆叠结构的沟道结构；穿过堆叠结构并在第一方向上延伸的分离结构；以及在台阶区域中在分离结构之间并穿过堆叠结构的支撑结构。台阶区域包括第一区域和第二区域，第一区域在第一方向上比第二区域更靠近单元区域，支撑结构包括分别穿过第一区域和第二区域中的堆叠结构的第一支撑结构和第二支撑结构，第一支撑结构的最大宽度大于第二支撑结构的最大宽度。
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公开(公告)号：CN115117077A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210285396.3
申请日：2022-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11573
Abstract: 本公开涉及半导体存储器件和包括其的数据存储系统。该半导体存储器件包括：基板；在第一方向上堆叠的栅电极；穿透栅电极的沟道结构；在基板上且在栅电极下面的水平导电层；分隔区域，穿透栅电极和水平导电层并在第一方向和第二方向上延伸；覆盖栅电极的单元区域绝缘层；以及在分隔区域和单元区域绝缘层上并具有与分隔区域重叠的开口的上支撑层。每个分隔区域包括在沟槽中的接触导电层和第一分隔绝缘层，并具有在开口下面的第一区域和与第一区域交替的第二区域。接触导电层在第一区域中与基板接触，并在第二区域中通过第一分隔绝缘层与基板间隔开。
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公开(公告)号：CN215578560U
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202121352138.X
申请日：2021-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括栅电极结构、沟道、接触插塞和支撑结构，栅电极结构形成在包括单元阵列区域和垫区域的衬底上。栅电极结构包括在第二方向上延伸并在垫区域上沿第一方向堆叠成阶梯形状的栅电极。沟道在单元阵列区域上延伸穿过栅电极结构。接触插塞分别接触栅电极结构的台阶中的对应的台阶。支撑结构分别延伸穿过台阶中的所述对应的台阶，并在垫区域上沿第一方向延伸。支撑结构包括填充图案以及覆盖填充图案的侧壁和底表面的蚀刻停止图案。每个支撑结构的上表面高于沟道的上表面。
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