公开(公告)号：CN119277785A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410723478.0

申请日：2024-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高圣才 ,  梁斗荣 ,  金江旻 ,  安钟善 ,  崔炳仁

IPC: H10B41/20 ,  H10B41/30 ,  H10B43/20 ,  H10B43/30

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：板层；栅电极，其在板层上堆叠并且彼此间隔开，并且包括第一栅电极和第一栅电极上的第二栅电极；第一沟道结构，其在第一栅电极中延伸；以及第二沟道结构，其在第二栅电极中延伸并且分别电连接到第一沟道结构，其中，第二栅电极包括金属材料，并且其中，第二沟道结构中的每一个包括第二沟道层、位于第二沟道层与第二栅电极之间的第二栅极电介质层、位于第二沟道层的内侧表面上的第二沟道埋置绝缘层、位于第二沟道埋置绝缘层上的第二沟道焊盘、以及位于第二沟道焊盘和第二沟道层上的第二焊盘氧化物层。

公开(公告)号：CN114664844A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111529275.0

申请日：2021-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李慧美 ,  高圣才 ,  宋炫周 ,  朴宣重 ,  朴汉容

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 本公开提供了半导体器件以及包括该半导体器件的电子系统。一种半导体器件包括：在基板上的外围电路层；在基板上的下堆叠和上堆叠；停止物层，在上堆叠上并包括绝缘材料；在停止物层上的上模具层；延伸穿过下堆叠、上堆叠、停止物层和上模具层的单元沟道结构，单元沟道结构的侧表面接触停止物层；第一覆盖层和第二覆盖层；字线分隔结构，包括朝向停止物层突出的突起；以及连接到单元沟道结构的位线接触插塞，其中停止物层的内部侧表面从上堆叠的内部侧表面偏移并与字线分隔结构接触。

公开(公告)号：CN114446991A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110850733.4

申请日：2021-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高圣才 ,  金锺秀

IPC: H01L27/11582

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种电子系统。所述半导体装置包括：堆叠结构，包括交替堆叠的模制层和水平导电层；沟道结构，在堆叠结构中竖直地延伸；柱结构，在堆叠结构中竖直地延伸；以及接触插塞，连接到水平导电层中的对应的水平导电层。柱结构包括：柱，延伸穿过水平导电层；以及延伸部，从柱的侧表面突出。每个延伸部与水平导电层中的对应的水平导电层水平地对齐。