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发明公开
半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统审中-公开

公开(公告)号：CN119277785A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410723478.0

申请日：2024-06-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高圣才 , 梁斗荣 , 金江旻 , 安钟善 , 崔炳仁

IPC: H10B41/20 , H10B41/30 , H10B43/20 , H10B43/30

Abstract: 公开了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置包括：板层；栅电极，其在板层上堆叠并且彼此间隔开，并且包括第一栅电极和第一栅电极上的第二栅电极；第一沟道结构，其在第一栅电极中延伸；以及第二沟道结构，其在第二栅电极中延伸并且分别电连接到第一沟道结构，其中，第二栅电极包括金属材料，并且其中，第二沟道结构中的每一个包括第二沟道层、位于第二沟道层与第二栅电极之间的第二栅极电介质层、位于第二沟道层的内侧表面上的第二沟道埋置绝缘层、位于第二沟道埋置绝缘层上的第二沟道焊盘、以及位于第二沟道焊盘和第二沟道层上的第二焊盘氧化物层。

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