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公开(公告)号：CN118234251A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202311151640.8
申请日：2023-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L23/488 , H01L23/482 , H01L23/485
Abstract: 本发明构思提供了芯片堆叠结构以及包括其的半导体封装件，所述芯片堆叠结构包括彼此接合的第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述半导体封装件包括沿垂直方向堆叠的多个芯片堆叠结构。
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公开(公告)号：CN118159032A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311575824.7
申请日：2023-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：第一衬底结构，包括第一解码器电路区域、第二解码器电路区域和页缓冲器电路区域；以及第二衬底结构，连接到第一衬底结构。第二衬底结构包括第一单元结构和第二单元结构，第一单元结构包括第一水平延伸栅电极，并且第二单元结构包括第二水平延伸栅电极。第二单元结构设置在第一单元结构下方。第一阶梯结构设置在第一单元结构和第二单元结构的一侧，并且第二阶梯结构设置在与第一侧相对的第二侧。虚设结构设置在第一阶梯结构下方。第一接触插塞穿过第一阶梯结构和第一虚设结构，并分别连接到第一栅电极，并且第二接触插塞穿过第二阶梯结构，并分别连接到第二栅电极。
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公开(公告)号：CN118102722A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311554634.7
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统。所述半导体装置包括第一基底结构和连接到第一基底结构的第二基底结构，第一基底结构包括基底、在基底上的电路元件、在电路元件上的第一互连结构以及在第一互连结构上的第一金属接合层，第二基底结构包括板层、在板层下方沿第一方向彼此堆叠并间隔开的栅电极、穿过栅电极并在第一方向上延伸的沟道结构、穿过栅电极并在第二方向上延伸的分离区域、在栅电极和沟道结构下方的第二互连结构、在第二互连结构下方并连接到第一金属接合层的第二金属接合层以及在第二金属接合层之间、在第二方向上延伸并包括绝缘材料的虚设图案层。
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公开(公告)号：CN117497560A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310904992.X
申请日：2023-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件，可以包括：第一半导体结构，包括下衬底；以及第二半导体结构，在第一半导体结构上，并通过接合结构接合到第一半导体结构。第二半导体结构可以包括：图案结构；上绝缘层，在图案结构上；堆叠结构，包括在第一半导体结构和图案结构之间交替地堆叠的栅电极层和层间绝缘层；沟道结构，延伸穿过堆叠结构；分离结构，延伸穿过堆叠结构，并分离堆叠结构。每个分离结构可以包括第一部分和第二部分，第一部分延伸穿过堆叠结构，第二部分从第一部分延伸并延伸穿过图案结构，并且第二半导体结构还可以包括间隔物层，该间隔物层将每个分离结构的第二部分与图案结构分离。
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公开(公告)号：CN115701221A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210411018.5
申请日：2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H10B41/27 , H10B43/35 , H10B43/27 , G11C11/401
Abstract: 提供了半导体器件和包括该半导体器件的电子系统。所述半导体器件包括：电极结构，所述电极结构包括堆叠在基板上的电极和位于所述电极中的最上电极上的绝缘图案；垂直结构，所述垂直结构穿透所述电极结构并且连接到所述基板；第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述电极和所述垂直结构上；导电图案，所述导电图案穿透所述第一绝缘层并且连接到所述垂直结构；上水平电极，所述上水平电极位于所述导电图案上；以及上半导体图案，所述上半导体图案穿透所述上水平电极并且连接到所述导电图案。所述导电图案具有位于所述垂直结构上的第一侧表面和位于所述绝缘图案上的第二侧表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115605024A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210392231.6
申请日：2022-04-14
Applicant: 三星电子株式会社(KR)
Abstract: 提供一种三维半导体器件，该三维半导体器件包括：衬底；堆叠结构，包括在衬底上的栅电极和在栅电极上彼此间隔开的串选择电极；第一分离结构，跨过堆叠结构在第一方向上延伸并位于串选择电极之间；竖直沟道结构，穿透堆叠结构；以及位线，连接到竖直沟道结构并在第二方向上延伸。竖直沟道结构的第一子集共同连接到位线之一。第一子集的竖直沟道结构可以跨过第一分离结构在第二方向上彼此相邻。串选择电极中的每一个可以围绕第一子集的竖直沟道结构中的每一个竖直沟道结构。
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公开(公告)号：CN114388489A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111199098.4
申请日：2021-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11575 , H01L27/11582 , G11C16/04
Abstract: 一种存储器件，包括：第一结构；以及在第一结构上的第二结构，其中第一结构包括：第一基板；在第一基板上的外围电路；第一绝缘层，覆盖第一基板和外围电路；第一接合焊盘，在第一绝缘层上，第二结构包括：第二基板；在第二基板的第一表面上的存储单元阵列；第二绝缘层，覆盖第二基板的第一表面和存储单元阵列；导电图案，至少部分地从第二基板的第二表面凹入；以及第二接合焊盘，在第二绝缘层上，第一接合焊盘接触第二接合焊盘，导电图案与第二绝缘层间隔开。
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公开(公告)号：CN114284294A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111045455.1
申请日：2021-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11582 , G11C5/02 , G11C5/06
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和一种非易失性存储系统，所述非易失性存储器件包括：衬底，沿第一方向延伸；接地选择线，在所述衬底上沿所述第一方向延伸；多条字线，顺序地堆叠在所述接地选择线上并沿所述第一方向延伸；定位焊盘，在所述第一方向上与所述接地选择线和所述多条字线间隔开；后接触插塞，连接到所述定位焊盘的下表面并且沿与所述第一方向相交的第二方向延伸；前接触插塞，连接到所述定位焊盘的与所述下表面相对的上表面并且沿所述第二方向延伸；输入/输出焊盘，电连接到所述后接触插塞；以及上接合焊盘，电连接到所述前接触插塞并且连接到所述非易失性存储器件的多个电路元件中的至少一部分电路元件。
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公开(公告)号：CN120035146A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411003152.7
申请日：2024-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件和一种包括该半导体器件的电子系统，该半导体器件可以包括：外围电路结构，其包括连接到位于半导体衬底上的外围电路的第一键合焊盘；以及单元阵列结构，其包括键合到所述第一键合焊盘的第二键合焊盘。单元阵列结构可以包括：分隔结构，其贯穿堆叠结构；竖直沟道图案，其贯穿堆叠结构；位于堆叠结构上的源极导电图案，该源极导电图案连接到竖直沟道图案；上电介质层，其覆盖源极导电图案；以及上通路，其贯穿上电介质层。堆叠结构可以包括竖直地交替堆叠的层间电介质层和导电图案。分隔结构可以包括位于电介质图案上的停止图案。源极导电图案可以与停止图案的顶表面接触。上通路可以连接到停止图案上的源极导电图案。
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公开(公告)号：CN119584545A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202410809783.1
申请日：2024-06-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：栅极堆叠，包括彼此交替堆叠的导电图案和层间绝缘图案；被栅极堆叠围绕的沟道层；围绕沟道层的存储层；电连接到沟道层的源极结构；以及在存储层和源极结构之间的绝缘图案。存储层和源极结构彼此间隔开，绝缘图案与沟道层、存储层和源极结构接触。
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