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发明公开
半导体器件和包括其的电子系统审中-公开

公开(公告)号：CN119584545A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202410809783.1

申请日：2024-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕贞允 , 金俊成 , 成锡江 , 孙荣晥

IPC: H10B43/50 , H10B43/27 , H10B43/35

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件和包括其的电子系统。该半导体器件可以包括：栅极堆叠，包括彼此交替堆叠的导电图案和层间绝缘图案；被栅极堆叠围绕的沟道层；围绕沟道层的存储层；电连接到沟道层的源极结构；以及在存储层和源极结构之间的绝缘图案。存储层和源极结构彼此间隔开，绝缘图案与沟道层、存储层和源极结构接触。

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