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公开(公告)号：CN118057536A
公开(公告)日：2024-05-21
申请号：CN202311020907.X
申请日：2023-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器装置和存储装置。所述非易失性存储器装置包括设置在基底上的子块。子块包括：第一子块，连接到包括第一数量的字线的第一字线组；以及第二子块，连接到包括第二数量的字线的第二字线组。第一子块包括：至少一个第一存储器单元，存储M位数据；以及第二存储器单元，各自存储N位数据。第二子块包括：至少一个第三存储器单元，存储K位数据；以及第四存储器单元，各自存储L位数据。M、N、K和L是正整数，N大于M，并且L大于K。第一数量和第二数量不同，并且所述至少一个第一存储器单元和所述至少一个第三存储器单元包括不同数量的存储器单元。
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公开(公告)号：CN117632777A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202310899108.8
申请日：2023-07-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储装置和存储控制器的操作方法。在一些实施例中，一种存储装置包括：非易失性存储器，包括能够独立擦除的多个子块；以及处理器，被配置为控制对所述多个子块的垃圾收集操作。所述多个子块包括具有第一块大小的多个第一子块和具有第二块大小的多个第二子块。第二块大小不同于第一块大小。处理器还被配置为：从所述多个子块之中选择具有有效页计数与无效页计数的最低比的牺牲子块，并且将牺牲子块的有效页复制到所述多个子块之中的目标子块。
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公开(公告)号：CN115705879A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210882506.4
申请日：2022-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了操作非易失性存储器装置的方法和非易失性存储器装置。在操作包括一个或多个存储器块的一个或多个非易失性存储器装置的方法中，每个存储器块包括在竖直方向上布置的多个存储器单元和多个页。将在沟道孔的第一方向上布置的页设置为第一页至第N页。沟道孔的尺寸在第一方向上增大并且在第二方向上减小。将在沟道孔的第二方向上布置的页设置为第N+1页至第2N页。设置第一页对至第N页对，使得第一页至第N页之中的第K页和第N+1页至第2N页之中的第N+K页形成一个页对。包括在至少一个页对中的两个页的奇偶校验区通过包括在所述至少一个页对中的所述两个页共享。
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公开(公告)号：CN111858134A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010326380.3
申请日：2020-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开存储器控制器、存储器系统以及操作存储器控制器的方法。所述用于控制存储器装置的存储器操作的存储器控制器包括：纠错码(ECC)电路，被配置为：检测从存储器装置读取的第一读取数据的错误并纠正所述错误；错误类型检测逻辑，被配置为：将第一写入数据写入存储器装置，将第二读取数据与第一写入数据进行比较，基于比较的结果检测第二读取数据的错误位，并输出关于通过错误位而识别的错误类型的信息；以及数据图案化逻辑，被配置为：基于关于错误类型的信息改变输入数据的位图案，以减少第二读取数据的错误。
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公开(公告)号：CN111354397A
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201910977456.6
申请日：2019-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了重写存储器设备的方法、存储器控制器及其控制方法。所述存储器控制器包括：错误检查和校正(ECC)引擎，用于对从存储器设备读取的数据执行错误检测；以及数据操作管理器。数据操作管理器用于：基于存储器设备对测试单元的测试读操作的结果，控制存储器设备对所选存储器单元的第一重写操作以便补偿所选存储器单元的分布的漂移；当通过使用ECC引擎成功地执行与存储器设备的正常读操作对应的ECC解码操作时，基于正常读操作的结果来确定分布调整程度；以及基于所确定的分布调整程度控制存储器设备的第二重写操作。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN111198657A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911104897.1
申请日：2019-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供存储器控制器、操作存储器控制器的方法和存储器系统。所述存储器系统包括：存储器装置，包括构成多个子集的多个存储器单元；以及存储器控制器，用于控制存储器装置。存储器控制器控制存储器装置，以管理指示由存储器装置针对所述多个子集中的每个子集执行的读取操作的数量的读取计数，并且基于与所述多个子集之中的子集对应的读取计数对所述子集执行恢复操作。所述多个子集中的每个子集包括多个页。所述多个页中的每个页是在所述多个存储器单元中执行读取操作的单位。
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公开(公告)号：CN106469570B
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201610694501.3
申请日：2016-08-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：非易失性存储器件，包括多个存储器单元，该存储器单元被划分为多个页面；以及控制器，被配置为控制非易失性存储器件。存储器件被配置为：收集要被写入到两个或更多个页面的两个或更多个写入数据分组，基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面同时地执行公共写入操作，以及基于两个或更多个写入数据分组来与两个或更多个页面中的每个顺序地执行单独的写入操作。
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公开(公告)号：CN110875077A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910609034.3
申请日：2019-07-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器控制器及其操作方法。所述存储器控制器，被配置为控制包括多个存储体的存储器设备。存储器控制器可以确定在存储器控制器的命令队列中排队的写入命令的数量是否超过参考值；当排队的写入命令的数量超过参考值时，计算响应于排队的写入命令中的至少一些写入命令而由存储器设备消耗的写入功率的水平；以及基于所计算的写入功率的水平，从排队的写入命令中调度执行存储器设备的交错操作的交错命令。
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公开(公告)号：CN109036488A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810230803.4
申请日：2018-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种存储器控制器、一种操作该存储器控制器的方法以及一种存储器系统。该操作存储器控制器的方法包括：基于与处于擦除状态的多个存储单元有关的擦除状态信息，将处于擦除状态的多个存储单元分类成多个组；为多个组中的至少一个组中包括的存储单元中的至少一些存储单元设置至少一种目标编程状态；以及将已经设置了至少一种目标编程状态的至少一些存储单元编程为多种编程状态中除了目标编程状态之外的编程状态。
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