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公开(公告)号：CN102577118B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080043268.3
申请日：2010-09-27
申请人： 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC分类号： H03H9/02259 , B81B3/0081 , B81B2201/0271 , H03H3/0076 , H03H9/02338 , H03H9/02448 , H03H9/2436 , H03H9/2452 , H03H9/2463 , H03H2003/027 , H03H2003/0407 , H03H2009/02496 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241 , H03H2009/2442
摘要： 本发明涉及微机械谐振器，包括：第一材料(2)的基底(1)；悬挂至支承结构(1)的谐振器(3)，谐振器(3)至少部分地具有与支承结构的材料相同的材料(2)，并且形成用于以特定频率f0谐振的尺寸；用于启动、维持谐振器(3)的谐振并且将谐振器(3)的谐振耦接至外部电路(6)的耦接装置(5)；以及所述谐振器(3)包括有第二材料(4)，第二材料(4)的热性质不同于第一材料(2)的热性质。根据本发明，谐振器(3)包括集中位于所述谐振器(3)的特定位置的第二材料(4)。
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公开(公告)号：CN104980118A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201410133483.2
申请日：2014-04-03
申请人： 深圳振华富电子有限公司
摘要： 本发明公开了一种叠层片式陶瓷射频低通滤波器及其制备方法，低通滤波器包括四个引出端电极和内部电路，电极依次为输入端正极、输出端正极和两个公共接地端，内部电路包括处于不同介质层的三维空间上多个内置电容与多个内置电感组成的内电极；电感为垂直三维螺旋结构；电感和电容的介质层采用高频低损耗的陶瓷材料。本发明中滤波器介质材料采用的是高频陶瓷材料，内部元件的容量、感量可实现微小调节，且较容易实现独石结构，制备工艺成熟，一致性良好适宜批量生产，因此，该滤波器具有截止频率高、工作频率范围宽、带外抑制高、矩形度好、可靠性高、射频段使用一致性好等优点。
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公开(公告)号：CN103762956A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201310750721.X
申请日：2013-12-31
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本发明公开了一种频率可切换的微机械谐振器及其制作方法。所述谐振腔包括：中柱；可动结构，其由连接至其质心的中柱支撑；多个驱动/检测电极，其呈放射状位于可动结构的周围；空气或固体间隙，位于所述可动结构和各驱动/检测电极之间。其中，所述多个驱动/检测电极中的部分电极连接在一起形成驱动电极，其余电极连接在一起形成检测电极。本发明在保持谐振器尺寸不减小的情况下，利用谐振器的高阶模态实现了更高频率的输出，同时减小了锚点损失，仍保持高品质因子。
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公开(公告)号：CN103312296A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310183456.1
申请日：2013-05-17
申请人： 中国人民解放军总后勤部军需装备研究所
摘要： 本发明涉及一种听力保护用数字听感知滤波器组及其建立方法，其特征在于：所述数字听感知滤波器组包括若干个数字听感知滤波器通道，每一所述数字听感知滤波器通道由四个二阶滤波器级联组成。所述数字听感知滤波器组的建立方法包括：确定待处理的音频信号在频域和Bark域的频率范围；计算各数字听感知滤波器通道在Bark域、频域上的中心频率和频域上的带宽；确定所述数字听感知滤波器组的时域表达式；对所述时域表达式进行拉普拉斯变换，得到传递函数G(s)；对传递函数G(s)进行因式分解；对每一级二阶传递函数进行Z变换；建立非均匀的多通道数字听感知滤波器组。本发明可以广泛应用于各种盔载、耳机耳罩型的嵌入式听力保护装置和音频处理设备。
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公开(公告)号：CN103296993A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310124937.5
申请日：2013-04-11
申请人： 天津大学
摘要： 本发明公开了一种谐振器及其制造方法，其中，该制造方法包括：在压电层上方形成对准结构，其中，对准结构包括需要进行对准的多个层、以及用于将多个层进行对准的对准层；利用对准层将多个层中部分或全部层的边缘部分去除，使经去除后多个层的边缘彼此对准。本发明通过设置对准层，能够将谐振器中不同层的图形自对准，避免了不同层的图形未对准导致的谐振器(以及由谐振器构成的滤波器等器件)性能受损的问题，能够有效提高器件的性能。
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公开(公告)号：CN102448873A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201080022991.3
申请日：2010-05-26
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： H03H3/0073 , B81B2201/0271 , B81C1/0019 , Y10T29/49005 , Y10T29/49128 , Y10T29/49156
摘要： 公开了一种制造电子器件的方法，所述电子器件包括微机电(MEMS)元件，所述方法包括以下步骤：在衬底(32)的第一侧提供材料层(34)；在材料层(34)中提供沟槽(40)；从沟槽(40)刻蚀材料，以还从衬底(32)的第一侧刻蚀衬底(32)；从衬底的第二侧研磨衬底(32)以使沟槽(40)外露；以及使用外露的沟槽(40)作为刻蚀孔。外露的沟槽(40)被用作刻蚀孔，以从衬底(32)释放材料层(34)的一部分，例如梁谐振器(12)。提供了输入电极(6)、输出电极(8)和顶部电极(10)。
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公开(公告)号：CN102254836A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN201110084905.8
申请日：2011-03-28
申请人： 精工电子有限公司
发明人： 吉田宜史
CPC分类号： H01L23/10 , H01L21/50 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/16152 , H03H9/1014 , H03H9/1071 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 一种电子器件封装件的制造方法、电子器件封装件及振荡器。本发明提供一种电子器件封装件，以在减薄基板的情况下也能将基板的翘曲抑制在最小范围内并且隔着金属膜而稳定地接合基底基板和盖基板。包括以下工序：在盖基板(3)的一个面形成构成空腔(5)的凹部；在盖基板中与形成凹部的面相反的面形成第一金属膜(6)；在盖基板中的形成凹部的面形成第二金属膜(7)；以及隔着第二金属膜(7)接合基底基板(2)与盖基板(3)。
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公开(公告)号：CN101523719B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200780037636.1
申请日：2007-10-05
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： H03H9/2405 , H03H3/0072 , H03H2009/02496
摘要： 一种制造谐振器尤其是纳米谐振器的方法，该方法包括从FINFET结构开始，该FINFET结构具有中心杆、连接到中心杆的第一电极和第二电极、位于中心杆的每一侧并且通过栅极电介质层与中心杆相分隔的第三电极和第四电极。该结构形成在掩埋氧化物层上。随后将栅极电介质层和掩埋氧化物层有选择地蚀刻掉以提供具有谐振器元件(30)、一对谐振器电极(32，34)、控制电极(36)和感测电极(38)的纳米谐振器结构。
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公开(公告)号：CN101395795B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200680048256.3
申请日：2006-12-18
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 约瑟夫·T·M·范贝克 , 巴尔特·范费尔岑
CPC分类号： H03H3/0072 , H03H9/02244 , H03H2009/02496
摘要： 本发明涉及一种MEMS谐振器，其包括第一电极和包括第二电极的可移动元件(48)，可移动元件(48)至少朝向第一电极是可移动的，第一电极和可移动元件(48)被具有侧壁的间隔(46，47)分开。根据本发明，MEMS谐振器的特征在于在间隔(46，47)的至少一个侧壁上提供了电介质层(60)。
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公开(公告)号：CN101523719A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780037636.1
申请日：2007-10-05
申请人： NXP股份有限公司
CPC分类号： H03H9/2405 , H03H3/0072 , H03H2009/02496
摘要： 一种制造谐振器尤其是纳米谐振器的方法，该方法包括从FINFET结构开始，该FINFET结构具有中心杆、连接到中心杆的第一电极和第二电极、位于中心杆的每一侧并且通过栅极电介质层与中心杆相分隔的第三电极和第四电极。该结构形成在掩埋氧化物层上。随后将栅极电介质层和掩埋氧化物层有选择地蚀刻掉以提供具有谐振器元件30、一对谐振器电极(32，34)、控制电极(36)和感测电极(38)的纳米谐振器结构。
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