公开(公告)号：CN1082727C

公开(公告)日：2002-04-10

申请号：CN95118748.1

申请日：1995-11-03

申请人： 佳能株式会社

发明人： 都筑幸司 ,  井上胜彦 ,  高田健司 ,  竹山祥文

IPC分类号： H01L31/05 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/0445 ,  H01L31/0201 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/048 ,  H01L31/0504 ,  Y02E10/50

摘要： 通过用金属箔件以串联或并联方式连接多个太阳能电池元件而获得太阳能电池元件组，其特征在于，把绝缘带以与金属箔件相平行的方式粘贴在和跨于多个相互靠近排列的太阳能电池元件的背面。一种太阳能电池组件，其特征在于，使上述的太阳能电池元件覆盖以聚合有机树脂。还有，一种制造该太阳能电池组件的方法包括以下各步骤：排列多个太阳能电池元件、把绝缘带粘贴在多个太阳能电池元件、用金属箔件以串联或并联方式连接多个太阳能电池，以及用聚合有机树脂覆盖各元件。

公开(公告)号：CN1057872C

公开(公告)日：2000-10-25

申请号：CN95116679.4

申请日：1995-08-24

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中山明哉

IPC分类号： H01L31/052 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/056 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/1884 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02P70/521

摘要： 一种有纹理结构的背部反射体层，和形成它的方法。由于防止了底部金属或合金的氧化，这种背部反射体层有高的反射率。进一步的目的是提供一种性能优良的光电元件制造它的工艺过程。这种背部反射体层具有一种金属或合金和形成于其上的一种第二金属的透明氧化物。一种光电元件，它是在这种背部反射体层之上形成半导体结合体而形成的。

公开(公告)号：CN1174415A

公开(公告)日：1998-02-25

申请号：CN97109999.5

申请日：1997-02-27

申请人： 佳能株式会社

发明人： 松山深照 ,  松田高一

IPC分类号： H01L31/042 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L31/03928 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/03925 ,  H01L31/056 ,  H01L31/206 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

摘要： 一种光电器件,包括具有不规则表面结构的不透明的衬底,所述不规则表面结构包括在其中排列的许多线性不规则处或槽,以及形成在所述衬底的所述不规则表面结构上的光电转换层,其中的多个线性不规则处或槽当沿着平行于线性不规则处或槽的方向扫描时,具有15n到300nm中心线平均粗糙度Ra(X),当沿着垂直于线性不规则处或槽的方向扫描时,具有20nm到600nm的中心线平均粗糙度Ra(Y),并且Ra(X)/Ra(Y)之比为0.8或更小。

公开(公告)号：CN1007103B

公开(公告)日：1990-03-07

申请号：CN86105984

申请日：1986-08-07

申请人： 三洋电机株式会社

发明人： 邑田健治 ,  岸靖雄

IPC分类号： H01L31/04 ,  H01L25/04 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0465 ,  Y02E10/50

摘要： 一种光电型器件，基片表面上有多个透明电极，这些电极分别连接多个光电转换元上。在每个电极的一端上有一个导电体和一个绝缘体。在基片表面上还有一个非晶硅半导体光敏层，它覆盖着透明电极，导电体和绝缘体。在半导体光敏层上有一个底电极，将激光束从底电极一侧照射到绝缘体上，则使底电极及其下面的半导体光敏层的被照射部分断开。从底电极侧将激光束照射到导电体上，每个光电转换元的底电极通过电体与相邻的透光电极相连通。

公开(公告)号：CN1006670B

公开(公告)日：1990-01-31

申请号：CN86108452

申请日：1986-12-11

申请人： 佳能株式会社

发明人： 广冈政昭 ,  石原俊一 ,  半那纯一 ,  清水勇

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/202 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/095 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

摘要： 改进的图象读取光检测器，它具有所需的光电转换层。该转换层是通过在无等离子体的条件下采用能对淀积膜的形成有所贡献的物质和电子氧化剂而制备的。本发明涉及用于制备该改进图象读取光检测器的方法和设备。

公开(公告)号：CN88101748A

公开(公告)日：1988-10-05

申请号：CN88101748

申请日：1988-03-28

申请人： 佳能株式会社

发明人： 中川克已 ,  清水勇

IPC分类号： H01L31/06 ,  H01L31/10

CPC分类号： H01L31/03921 ,  H01L31/07 ,  H01L31/075 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： 改进的针型和肖特基型薄膜光电电动势元件具有令人满意的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)、占空比(F·F)、光电转换效率和信噪比，其特征在于：至少有一层N型和P型半导体层由一层非单晶硅半导体层构成，该半导体层由多层厚度小于等于100埃包含1到10原子百分比氢原子的非单晶硅薄膜迭合而成。

公开(公告)号：CN85104934A

公开(公告)日：1986-03-10

申请号：CN85104934

申请日：1985-06-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  永山进 ,  伊藤健二

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H05K3/027 ,  Y02E10/50

摘要： 在制造包括至少一层透明导电层的电子器件 的方法中，包括采用一束或多束点状或线状激光 束，形成至少一个透明导电层部件的步骤和至少 一个对透明导电层部件制作图线而形成透明导电 层的步骤。上述每一种激光束都具有400nm或更 短的波长和大于透明导电层光能带宽度的光能。

公开(公告)号：CN108470780A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810208027.8

申请日：2018-03-14

申请人： 东南大学

发明人： 廖小平 ,  陈友国

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0392 ,  H01L35/32 ,  H02S10/30 ,  B82Y30/00

CPC分类号： Y02E10/50 ,  H01L31/028 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/03921 ,  H01L35/32 ,  H02S10/30

摘要： 本发明的射频收发机中长条型热电与纳米硅薄膜光电集成发电机，衬底为N型硅片，制作有非晶硅(a-Si)薄膜、绒面和背电结结构，正负电极如图2所示进行连接，然后制备了第一氮化硅隔离层，用于隔离热电光电。热电式发电机的主要单元为热电堆，热电堆是由一系列的P型多晶硅纳米线簇和N型多晶硅纳米线簇构成的，溅射一层金属Ti/Au层作为热电堆电极，串联得到如图3所示的热电堆结构，最后PECVD生长第二氮化硅隔离层，电镀一层厚度Al金属层作为器件的散热板。本发电机采用纳米硅薄膜，其热导率远低于传统体材料，可以实现一边维持电子运输，一边抑制热量输送，从而极大的提高了热电发电效率，在热电发电实用化上具有重要意义。

公开(公告)号：CN107785454A

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201610726274.8

申请日：2016-08-25

申请人： 西藏民族大学

发明人： 乔丽萍

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/0392 ,  H01L21/268

CPC分类号： H01L31/1804 ,  H01L21/268 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/03921

摘要： 本发明涉及一种基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法，该方法包括：选取Si衬底；生长Ge籽晶层；生长Ge主体层；生长SiO2层；将整个衬底材料加热至700℃，连续采用激光工艺晶化，激光波长为808nm，光斑尺寸10mm×1mm，功率为1.5kW/cm2，移动速度为25mm/s，形成晶化Ge层；去除SiO2层；掺杂形成P型晶化Ge层；生长本征GeSn层及N型Ge层、SiO2钝化层及Cr/Au层；利用CMP工艺进行处理后形成光电探测器。本发明采用的激光晶化工艺具有选择性高，控制精度高，晶化速度快，工艺步骤简单，工艺周期短，热预算低等优点；通过连续激光辅助晶化Ge/Si虚衬底，可有效降低Ge/Si虚衬底的位错密度、表面粗糙度、界面缺陷从而降低了GeSn光电探测器暗电流。

公开(公告)号：CN105322037B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201510303483.7

申请日：2015-06-05

申请人： TDK株式会社

发明人： 小卷壮 ,  藤冈裕一 ,  师冈久雄 ,  山田宽

IPC分类号： H01L31/048 ,  G04C10/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/075 ,  H01L31/046

CPC分类号： H01L31/048 ,  B32B17/00 ,  G04C10/02 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/046 ,  H01L31/0481 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/548

摘要： 本发明涉及太阳能电池及其制造方法。在薄片状的太阳能电池(200)中，按以下所述顺序重叠第一固化树脂层(40)、含有树脂的基板(10)、光电转换层(100)以及第二固化树脂层(9)。第一固化树脂层(40)的线膨胀系数为第二固化树脂层(9)的线膨胀系数以上，第二固化树脂层(9)的线膨胀系数大于基板(10)的线膨胀系数，与基板(10)相对的第一固化树脂层(40)的第一表面(40a)侧的固化度为C1％并且处于第一表面(40a)相反侧的第一固化树脂层(40)的第二表面(40b)侧的固化度为C2％时，C2大于C1，(C2‑C1)为2～15％。太阳能电池(200)的第一固化树脂层(40)侧的表面(S1)翘曲成凸状，太阳能电池(200)的第二固化树脂层(9)侧的表面(S2)翘曲成凹状。