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公开(公告)号：CN118841360B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411334446.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明涉及一种具备多层复合结构的平面转移印章及制备方法，平面转移印章包括基板和设置在基板上的吸附层，吸附层可吸附LED芯片，基板和吸附层之间设置有形变层，形变层在受力时可发生形变；基板和形变层之间还设置有粘附层，粘附层可粘附基板和形变层；形变层由硅油和高分子材料A组成，高分子材料A由聚酰亚胺、聚二甲基硅氧烷、硅橡胶和环氧树脂中的一种或多种组成。本发明平面转移印章在受力时发生形变，保证印章与目标基板贴合。通过加热可以改变盖印章与芯片的黏性，避免粘力过小无法拾取芯片，粘力过大，无法将芯片留在目标基板上。
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公开(公告)号：CN118338730A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410275494.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 闽都创新实验室
IPC: H10K59/70 , H10K59/35 , H10K59/127 , H10K71/00
Abstract: 本发明提出一种Micro‑LED和QLED混合全彩显示器件单片集成结构及其制备方法，在同一块外延衬底上外延生长刻蚀出蓝色μLED与Bank，其中红绿色QLED位于Bank内部，红绿色QLED结构从下到上分别为阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；蓝色μLED与红绿色QLED在衬底上呈水平分布，蓝色μLED的阴极与红绿色QLED阳极相连，蓝色μLED的阳极与红绿色QLED阴极相连。通过喷墨印刷技术在结构化的蓝色Micro‑LED基板上制备红绿色QLED像素，集成了PM混合全彩显示器件，该技术可避免巨量转移的技术难题，制备工艺简单，同时可实现RGB三色的高效率显示，为显示领域提供新型的全彩技术方案。
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公开(公告)号：CN114203867B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111217006.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种电场调控型发光三极管器件及其制备方法，其P型氮化镓层和三层N型氮化镓层、量子阱层、沟道层构成的功能层除位于最下层的第三N型氮化镓层外的部分，生长在第三N型氮化镓层上的部分区域，构成中心功能层；漏极金属接触层设置在所述中心功能层的顶部，源极金属接触层直接设置在所述第三N型氮化镓层上，栅极金属层通过介质层环绕设置于所述中心功能层的周部。实现了氮化镓基蓝光LED和氮化镓基垂直型MOSFET的单片集成，能够通过调控栅极电压和漏极电压对LED发光进行调控，将电流调控的LED转为更便于调控的电压。同时，对制备工艺进行改进，避免刻蚀工艺对器件表面造成的损伤。
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公开(公告)号：CN114203866B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202111217000.3
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种预埋金属电极的垂直型发光三极管器件及其制备方法，其在衬底表面依次沉积缓冲层、发射区N型氮化镓层、基区P型氮化镓层；在基区P型氮化镓层上沉积基区金属接触埋层，并在基区金属接触埋层上沉积绝缘层将其隔离；依次沉积集电区N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层；在P型氮化镓层上沉积P型氮化镓金属接触层；在集电区N型氮化镓层上沉积集电区金属接触层；在发射区N型氮化镓层上沉积发射区金属接触层。本发明利用预埋金属层和绝缘层，防止在器件制备过程中较薄的基区被刻穿，降低了发光三极管器件制备过程中引出基区电极时对刻蚀工艺精度的要求。
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公开(公告)号：CN111834388B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202010535463.3
申请日：2020-06-12
Abstract: 本发明涉及一种带有单片集成驱动电路的μLED显示芯片，其外延结构从下至上包括衬底、未掺杂缓冲层、第一、第二、第三掺杂半导体层、未掺杂发光层、第四掺杂半导体层。所述芯片的器件结构包括在上述材料上通过半导体工艺制备的各种图形化结构，具体包括半导体台面、沉积的绝缘层和透明电极、沉积的金属接触电极。芯片工作时，其μLED是发光单元；多个双极型晶体管、多个电容组成的电路部分是驱动单元，它对发光单元进行一对一的控制。本发明的最大优点是将像素的发光单元和驱动单元直接集成，从而不需将发光单元一对一精准地转移至驱动衬底上并键合，规避了一大技术瓶颈。本发明降低μLED显示芯片的设计制造复杂度，提高了集成度、良率、可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116344719A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310296474.4
申请日：2023-03-24
Applicant: 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种小出光角的Micro‑LED结构。所述Micro‑LED结构，包括Micro‑LED台面、光转向层、光聚集层；Micro‑LED台面结构主要包括N掺杂区、多量子阱层、P掺杂区等；光转向层结构包括：金属反射层、高折射率透明介质层、低折射率透明介质层；光聚集层结构包括：一维光子晶体、二维光子晶体。该结构主要优势在于，可减小Micro‑LED出光角度并增大出光面法向的光强，同时可抑制侧壁出光，使Micro‑LED更好地应用于近眼显示等领域。
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公开(公告)号：CN113299227B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202110388023.4
申请日：2021-04-12
Abstract: 本发明涉及一种带触控和调试功能的发光四极管。所述发光四极管从下到上依次包括蓝宝石衬底、半导体缓冲层、第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、多量子阱层、第四半导体层；所述发光四极管均在蓝宝石衬底上进行单片多功能集成，无需精准对位和键合复杂工艺流程，可以减少或消除由于焊接键合产生的寄生电容和电阻，可以起到对输入信号的功率放大作用，实现用小功率输入信号驱动半导体发光，可以有效降低基于半导体发光显示装置的驱动电路设计复杂度，提高显示装置和功能的集成度。
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公开(公告)号：CN114203866A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111217000.3
申请日：2021-10-19
Applicant: 闽都创新实验室
Abstract: 本发明提出一种预埋金属电极的垂直型发光三极管器件及其制备方法，其在衬底表面依次沉积缓冲层、发射区N型氮化镓层、基区P型氮化镓层；在基区P型氮化镓层上沉积基区金属接触埋层，并在基区金属接触埋层上沉积绝缘层将其隔离；依次沉积集电区N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层；在P型氮化镓层上沉积P型氮化镓金属接触层；在集电区N型氮化镓层上沉积集电区金属接触层；在发射区N型氮化镓层上沉积发射区金属接触层。本发明利用预埋金属层和绝缘层，防止在器件制备过程中较薄的基区被刻穿，降低了发光三极管器件制备过程中引出基区电极时对刻蚀工艺精度的要求。
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公开(公告)号：CN112436096B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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公开(公告)号：CN112436096A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011138393.4
申请日：2020-10-22
Abstract: 本发明涉及一种用于光提取的随机纳米图案制备方法。所述随机皱褶图案的制备主要通过软印刷复制方法实现，采用原子层沉积方法生长多晶态氧化物薄膜，并以结晶颗粒为掩膜进行表面刻蚀，形成高低起伏的表面，然后配制软印刷复制材料PDMS对其表面进行压印，形成随机褶皱图案。通过改变生长条件调节结晶颗粒的分布及尺寸，从而调控随机皱褶团案的高低起伏情况，形成不同的微结构并应用于光电器件的光效提升。本发明结构简单、制作方法工艺简单、操作简便、成本低，且能大大提高光电器件的外量子点效率，效果显著。
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