公开(公告)号：CN102530708B

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201110449875.6

申请日：2011-12-29

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李述洲 ,  章发国

IPC: B66C1/10

Abstract: 本发明公开了一种起吊装置，属于起重装置领域。该起吊装置包括吊环，所述吊环下端接有轴承座，所述轴承座的下端面与轴承的外圈固定连接，并且所述轴承的中心线与所述轴承座中心线在同一直线上。所述轴承的内圈紧套在轴颈上，所述轴颈向下延伸至所述内圈外。还包括左右吊臂，所述轴颈的下端与所述左右吊臂的上端均为活动销连接，所述左右吊臂展开呈人字形。所述左右吊臂的下端分别固定在横杆的左右两端，所述横杆的左右两端还设置有竖直抓臂。该起吊装置吊环和吊臂之间可自由旋转，整个起吊装置使用方便、牢固、实用。

公开(公告)号：CN103000699A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210541068.1

申请日：2012-12-14

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 安国星 ,  李述洲

IPC: H01L29/872 ,  H01L23/367 ,  H01L23/488 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L24/33 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种薄型大功率、低正向贴面封装二极管，包括肖特基硅芯片、上料片、下料片和封装环氧树脂，所述肖特基硅芯片通过焊料焊装于所述上料片的下段侧表面与所述下料片的下段侧表面之间，所述封装环氧树脂封装于所述肖特基硅芯片、上料片和下料片的外面，所述上料片的上端片、下料片的下端片和下料片的外表面均置于所述封装环氧树脂外。本发明所述贴面封装二极管采用肖特基硅芯片，在不增加硅芯片面积的情况下达到降低正向压降的目的，电流10A测试可达0.44V以下；通过采用片状式料片，减小了二极管的厚度，实现了外形薄、体积小的目的，并通过大面积的端片外露，使其具有良好的散热能力，实现了功率大、散热好的目的，并便于贴装。

公开(公告)号：CN107275224B

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN201710628043.8

申请日：2017-07-27

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 章发国 ,  李述洲 ,  王兴龙 ,  谢茂

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/677

Abstract: 本发明公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。

公开(公告)号：CN112885804A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202110250762.7

申请日：2021-03-08

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 夏大权 ,  马红强 ,  徐向涛 ,  周玉凤 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H02S40/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明提供了一种贴片式光伏旁路模块及其封装工艺，在本发明提供的贴片式光伏旁路模块中，相较于传统的铝丝、金丝等丝线的电气连接，基于较宽的导电条带的电气连接，降低了MOSFET芯片的漏源导通电阻，减少了导通损耗，并提高了MOSFET芯片的抗浪涌电流冲击能力，同时还降低了整个光伏旁路模块的热阻，提高了其导热能力；对应的引线框架为薄片状结构设计，适合目前小型化、扁平化的封装；基于引线框架的结构设计和塑封工艺，封装后的贴片式光伏旁路模块的背部散热面积大，主要的冷却路径是通过MOSFET裸露的金属焊盘到第一框架，提高了封装后的散热能力；且选用的塑封料为低应力、低翘曲、低吸水率的环保型塑封料，完全满足光伏旁路模块的高可靠性要求。

公开(公告)号：CN108573857B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201810399395.5

申请日：2018-04-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  郭晓峰

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明公开了一种GPP芯片制备方法，包括如下步骤：1)将扩散好的PN结硅片上涂上光刻胶；2)采用HF:HNO3:HAc混合的腐蚀液进行腐蚀沟槽；3)采用LPCVD生长方式在沟槽内进行掺氧掺氮；4)刮涂玻璃粉，烧结玻璃；5)在步骤4)烧结后采用PECVD生长软Si3N4；6)进行二次光刻并镀Ni，然后镀N‑Si合金，镀完Ni‑Si合金后再次镀Ni；7)测试；8)背面激光划片。本发明在玻璃表面用PECVD生长软氮化硅(Si3N4)，从而形成低漏电流、高压、耐潮湿性好、低应力的高可靠性1A～50A以及300～1800V的GPP芯片，具有适应范围广、低成本、稳定性好以及高可靠等优点。

公开(公告)号：CN108206640B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201711461280.6

申请日：2017-12-28

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 徐向涛 ,  马红强 ,  张成方 ,  王兴龙 ,  李述洲

IPC: H02M7/217 ,  H02M7/00 ,  H01L25/16 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明公开了一种同步整流模块、整流方法及其制造方法，同步整流模块包括MOS管、控制芯片和电容；制造方法包括以下步骤：S1，使用软焊料工艺对MOS管进行粘片；S2，使用点胶工艺对控制芯片和电容进行粘片，粘片后进行高温氮气烘烤固化；S3，使用铝带焊接工艺对MOS管进行连接，使用铜线焊接工艺对控制芯片和电容进行连接；S4，使用低应力、耐高温塑封料进行塑封，然后烘烤固化；S5，烘烤固化后进行去溢料、电镀、切筋分粒、测试并进行包装，完成同步整流模块的制造。本发明能够有效的降低器件功率损耗。

公开(公告)号：CN108748369A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810465031.2

申请日：2018-05-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 章发国 ,  李述洲

IPC: B26D7/18 ,  B08B5/02

CPC classification number: B26D7/1854 ,  B08B5/02

Abstract: 本发明公开了一种气压自动清理系统，废料感应器用于放置在废料残留位置附近并用于感应废料有无，出气嘴安装于废料残留位置附近并用于对准废料吹出高压气体，废料感应器的输出端与电控箱的信号输入端连接，电控箱的控制输出端与电磁阀的控制输入端连接，压缩空气源的出口与电磁阀的入口通过气管连接，电磁阀的出口与出气嘴的入口通过气管连接，流量调节开关安装于电磁阀与出气嘴之间的气管上。本发明将感应器、控制箱和电磁阀整合设计为具有自动控制功能的自动控制装置，并用于控制高压气体管路的通断，实现了对电子、机械加工行业模具废料的自动清理，提高了产品良率，提高了生产效率，提高了模具的使用寿命，也节约了成本。

公开(公告)号：CN106711234A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201710028828.1

申请日：2017-01-16

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  陈亮 ,  张力 ,  潘宜虎

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明提供一种高频吸收二极管芯片及其生产方法，该芯片包括衬底，衬底的上表面形成有外延层，外延层上设有基区窗口，基区窗口包括压点区以及位于压点区外围的分压区，外延层将压点区与分压区隔开，基区窗口上形成有第一离子扩散层，第一离子扩散层上设有发射区窗口，发射区窗口上形成有第二离子扩散层，压点区内的第一离子扩散层、第二离子扩散层的上表面设有钝化层，分压区内的第一离子扩散层上表面形成有氧化层，氧化层、钝化层均延伸至外延层的上表面。采用本发明的芯片特别适宜于RCD电路中尖峰吸收，同时，该工艺形成的芯片在125℃下的高温漏电流比传统扩散型二极管芯片小50%以上，缺陷率低，而且本工艺简单，易于实现批量化生产。

公开(公告)号：CN105762076A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610110506.7

申请日：2016-02-29

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 王兴龙 ,  李述洲 ,  张力 ,  徐向涛

IPC: H01L21/329

CPC classification number: H01L29/66143

Abstract: 本发明公开了一种扩散型高压大电流肖特基芯片生产的工艺，依次包括选取原始N型硅片、表面磷沉积、高浓度N+磷扩散、切割分离、化学机械抛光、硅片分类、一次氧化、一次光刻、硼扩散、二次光刻、肖特基势垒金属溅射、肖特基势垒形成、正面接触金属蒸发、正面金属光刻、背面处理、蒸发背面接触金属得到成品，用本发明的生产工艺加工的扩散型JBS肖特基芯片特别适宜于制造大电流工艺芯片，其成本至少比外延工艺低三分之一；同时，扩散型工艺形成的JBS肖特基芯片125℃下的高温漏电流比外延工艺小30%以上,缺陷率明显低于外延工艺；而且本工艺简单，易于实现批量化。

公开(公告)号：CN104340673B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201410520421.7

申请日：2014-09-30

Applicant: 重庆平伟实业股份有限公司

Inventor： 李春来 ,  李述洲

IPC: B65G47/74 ,  B07C5/04

Abstract: 本发明公开了一种用于电子元器件混料自动检测分料气轨上的自动排料槽，包括进料通道、转向引导部和排料通道，三者依次连通构成一个整体，进料通道为上下延伸的矩形管，排料通道的前侧板由上向下逐渐朝排料通道的后侧板方向倾斜构成排料引导斜面，排料通道的左侧板由上向下逐渐朝远离进料通道的方向倾斜，且左侧板的上端与进料通道右侧板的上端相连，排料通道的下端封口，排料通道的后侧板底部开口构成排料口，转向引导部为连接在进料通道顶部与排料通道顶部之间的半圆形通道。结构简单、设计巧妙，能实现自动检测分料气轨上不良电子元器件的自动排料及分类回收，提高生产效率，相比人工分料精确度更高。