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公开(公告)号：CN119351983A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411902900.5
申请日：2024-12-23
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种金刚石曲面光学元件及其成型方法，属于光学元件制备技术领域；所述方法包括：将预先制备好的二硅化钼棒材顶部磨削成目标曲面光学元件的凹面形状；采用金刚石悬浊液对二硅化钼棒材顶部进行植晶处理，然后采用化学气相沉积法生长金刚石薄膜，得到二硅化钼基体；将二硅化钼基体顶部的金刚石薄膜磨削至目标形状，得到磨削好的二硅化钼基体；将磨削好的二硅化钼基体泡入酸腐蚀液中，剥离得到金刚石曲面光学元件。本发明能够解决现有技术中金刚石曲面光学元件的难加工问题，有助于进一步推动金刚石曲面光学元件的应用。
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公开(公告)号：CN118943204A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202411043653.8
申请日：2024-07-31
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/165 , H01L29/16 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种改进的氢终端金刚石场效应晶体管及其制备方法；其中，所述改进的氢终端金刚石场效应晶体管中，单晶金刚石衬底上同质外延有单晶金刚石薄膜，单晶金刚石薄膜的表面形成有金刚石导电沟道；金刚石导电沟道的表面设有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道上沉积有介质层，介质层上设有栅电极；源电极、漏电极以及源电极和漏电极之间的金刚石导电沟道之外的单晶金刚石薄膜裸露区域形成氧终端隔离区；金刚石导电沟道的表面为氢终端和锗终端的复合终端。本发明技术方案可解决氢终端金刚石场效应晶体管表面电导稳定性差、界面态密度高、载流子迁移率低的问题。
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公开(公告)号：CN118360586A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410477182.5
申请日：2024-04-19
Applicant: 西安交通大学
IPC: C23C16/27 , C23C16/02 , C23C16/511 , C23C16/34 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/02
Abstract: 本发明提供了一种GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜的方法，其包括以下步骤：S1，预处理；S2，保护性生长第一步：向所述生长腔室持续通入流量为300‑500sccm的H2，后设定微波功率＝2500‑3000W，腔室压力＝80‑90Torr；后通入CH4气体进行金刚石第一生长时间的生长，且气体流量之比H2:CH4＝100:6‑10；第一生长时间为10‑20min；S3，保护性生长第二步：再通入N2进行金刚石第二生长时间的生长，且气体流量之比H2:N2＝100:0.01‑0.04；第二生长时间为5‑15min；后停止通入N2；S4，后期稳定性生长：进入金刚石第三生长时间的生长；第三生长时间为50‑400min。本发明解决了现有技术中在GaN衬底上直接生长金刚石时容易对GaN衬底造成刻蚀损伤的问题，不仅实现了在GaN衬底表面无损伤生长金刚石膜，而且金刚石膜质量高、界面结合较好且界面热阻较低。
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公开(公告)号：CN113113916B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110420889.9
申请日：2021-04-19
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 一种舰船综合电力系统多目标能量调控方法，包括以下步骤：通过求解舰船综合电力系统的预设优化模型，确定系统能量分配方案，其中，所述预设优化模型的目标函数为最大化脉冲负载总效能、舰船最大续航时长与航行速度的加权和；根据系统能量分配方案，调控发电功率分配至加速、克服阻力以及脉冲负载工作部分的功率值，对各脉冲负载并联的设备级储能装置的充放电过程进行控制，实现兼顾多个运行目标的能量调控。本发明中对各脉冲负载并联的设备级储能装置的充放电过程进行控制，实现兼顾多个运行目标的能量调控，达到整体性能最优的系统能量调控，有效提升舰船生存性能。
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公开(公告)号：CN115995483A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202211599409.0
申请日：2022-12-12
Applicant: 西安交通大学
Abstract: 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。
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公开(公告)号：CN111462925B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202010307630.9
申请日：2020-04-17
Applicant: 西安交通大学 , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种基于运行数据的核反应堆功率调节方法及其调节系统，利用核反应堆运行过程中产生的核反应堆状态量与控制棒棒位之间的关系建立数据库，在负荷调节中提前查询数据库获得控制棒的目标棒位，采用粗调和细调相结合的策略，对功率调节系统中的粗调和细调输出信号进行加权相加后作为功率调节系统的输出信号，通过输出信号控制控制棒的移动方向和速率实现核反应堆功率调节。本发明提高了控制性能，减小超调量和调节时间，具有自适应性，有效提高控制棒的使用寿命。
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公开(公告)号：CN110571310B
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN201910890576.2
申请日：2019-09-20
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种(100)取向n型单晶金刚石电极欧姆接触形成方法，解决了现有技术中(100)取向n型单晶金刚石欧姆制备难、比接触电阻率大的问题。该形成方法，包含以下步骤：步骤一、对(100)取向的n型单晶金刚石表面进行研磨抛光，以获得光滑表面；步骤二、利用MPCVD方法在所述n型单晶金刚石被研磨的表面生长一层n型单晶金刚石外延薄层，然后采用酸洗或者紫外臭氧处理将所述薄层表面氢终端转变成氧终端，得到样品A；步骤三、将氧化后的样品A置于退火炉中退火，使所述薄层表面的磷析出、碳原子重构，得到高导电金刚石表面；步骤四、在高导电金刚石表面镀上金属电极，置于退火炉中退火，形成欧姆接触。
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公开(公告)号：CN111022808A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911361974.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 西安交通大学
IPC: F16L41/02 , F16L55/027 , F16L57/00
Abstract: 一种设置管道凸起降低湍流渗透深度的T型管，包括相连通的主流直管和垂直支管，垂直支管为盲管且向下布置，主流直管为热水管道，垂直支管为冷水管道；所述垂直支管内壁上位于热分层上方位置设置两个或两个以上长度不同的扰流凸起3，以降低湍流渗透深度；本发明的扰流凸起能够使得扰动通过该区域流体的流场，使原有的大漩涡流动变得杂乱以分散从主流获得的能量，降低速度流场继而控制支管内的温度场，以减少甚至消除湍流渗透，从而降低因湍流渗透导致温度分层引起的管道热疲劳。如此，即可可靠的减少渗透的深度已经渗透携带的高速流场，减少管道热疲劳的可能性，增强管道寿命，确保核电站的管路安全。
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公开(公告)号：CN110828557A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910943269.6
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/45 , H01L21/28 , H01L31/0224 , H01L33/40 , H01S5/042
Abstract: 本发明公开了一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p-GaN材料层，所述p-GaN材料层形成有重掺杂p-GaN层；所述重掺杂p-GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层；其中，重掺杂p-GaN层中，Mg掺杂浓度≥1×1020cm-3。本发明的p-GaN欧姆接触电极，具有低比接触电阻率的欧姆接触特性。
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公开(公告)号：CN110797390A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201910943288.9
申请日：2019-09-30
Applicant: 西安交通大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种增强型GaNHEMT集成结构及其制备方法，包括：衬底；HEMT集成结构还包括形成于衬底上的AlN成核层、形成于AlN成核层上的GaN缓冲层、形成于GaN缓冲层上的AlN插入层、形成于AlN插入层上的AlxGa1-xN势垒层、形成于AlxGa1-xN势垒层上的GaN盖帽层以及形成于GaN盖帽层上的电子接收层；其中，电子接收层的功函数大于AlxGa1-xN势垒层的功函数，电子能够从AlxGa1-xN/GaN界面二维沟道转移至电子接收层。本发明的增强型GaNHEMT集成结构利用电子接收层与势垒层之间的功函数差，产生较宽的空间电荷区，使得电子从GaN/AlGaN异质界面二维电子气流入电子接收层，进而将栅极下方沟道耗尽，获得增强型器件特性。
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