公开(公告)号：CN115995483A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202211599409.0

申请日：2022-12-12

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  牛田林 ,  梁月松 ,  陈根强 ,  方培杨 ,  冯永昌 ,  熊义承 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L29/36 ,  H01L29/78 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种载流子迁移率增强的金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜设置有第一重掺杂金刚石薄膜区域和第二重掺杂金刚石薄膜区域；在第一重掺杂金刚石薄膜区域、第二重掺杂金刚石薄膜区域以及二者之间的单晶金刚石外延薄膜表面设置有氢终端区域，在其余外延薄膜表面设置有氧终端区域；源电极和漏电极均设置于沟道区域上；源电极、漏电极以及二者之间的沟道区域上设置有栅介质层，栅电极设置在栅介质层和氧终端区域上。本发明在单晶金刚石薄膜中形成重掺杂金刚石薄膜，可提高空穴的迁移率。

公开(公告)号：CN115863436A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211600276.4

申请日：2022-12-12

Applicant: 西安交通大学

Inventor： 王玮 ,  梁月松 ,  牛田林 ,  熊义承 ,  陈根强 ,  冯永昌 ,  方培杨 ,  王艳丰 ,  林芳 ,  张明辉 ,  问峰 ,  卜忍安 ,  王宏兴 ,  侯洵

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明公开了一种金刚石场效应晶体管及其制备方法，所述金刚石场效应晶体管包括：金刚石衬底、单晶金刚石外延薄膜、源电极、漏电极、应力调控薄膜和栅电极；金刚石衬底上设置有单晶金刚石外延薄膜；单晶金刚石外延薄膜上设置有氢终端区域和氧终端区域，氢终端区域为由二维空穴气导电层构成的沟道区域；沟道区域的两端分别设置有源电极和漏电极；源电极、漏电极以及未设置源漏电极的沟道区域上设置有应力调控薄膜；栅电极设置于应力调控薄膜和氧终端区域上。本发明引入了应力调控薄膜；基于应力调控薄膜，通过应力调控能够增强载流子迁移率，且不会损伤导电沟道的性能。