公开(公告)号：CN104722298A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201510136153.3

申请日：2015-03-26

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 王志明 ,  林越来 ,  张平安 ,  周志华 ,  牛晓滨 ,  巫江 ,  李含冬 ,  姬海宁

IPC: B01J23/52

Abstract: 本发明提供一种二氧化钛复合纳米金光催化剂的制备方法，属于纳米复合光催化剂领域。具体步骤为：首先准备二氧化钛纳米材料；然后将二氧化钛纳米材料加入去离子水中，混合均匀，采用氢氧化钠调节溶液的pH至8～10；向上述混合液中滴加氯金酸溶液和柠檬酸钠溶液，二氧化钛、氯金酸和柠檬酸钠的摩尔比为(20～80)：1：(1～4)；上步处理后的混合液在400～800W氙灯下进行5～10min的光照处理，光照同时不断搅拌，停止光照后继续搅拌1～5h；分离、洗涤、干燥，得到所述光催化剂。本发明方法操作简单、反应条件温和、重复性好，避免了高温烧结处理，且得到的光催化剂活性高。

公开(公告)号：CN101412621B

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN100589215C

公开(公告)日：2010-02-10

申请号：CN200710051054.0

申请日：2007-12-29

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁 ,  李乐中

IPC: H01F1/34 ,  C04B35/26 ,  C04B35/64

Abstract: NiZn系铁氧体材料及制备方法，本发明属于铁氧体材料制备技术领域。其主成分按摩尔百分比，以氧化物计算：48.5～52.5mol%Fe2O3，25～33mol%ZnO，0.5～8.0mol%CuO，余量为NiO；掺杂剂按重量百分比，以氧化物计算：0.001～0.15wt%CaO、0.01～0.12wt%MoO3、0.01～0.08wt%Bi2O3、0.01～0.20wt%Nb2O5、0.01～0.20wt%SnO2、0.01～0.16wt%V2O5。本发明的有益效果是，一、提高功率密度，实现小型化；二、提高电子系统的可靠性。

公开(公告)号：CN101412621A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810046352.5

申请日：2008-10-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 余忠 ,  兰中文 ,  孙科 ,  李乐中 ,  蒋晓娜 ,  姬海宁

IPC: C04B35/26 ,  C04B35/622

Abstract: 高磁导率高饱和磁感应强度MnZn铁氧体材料及其制备方法，属于铁氧体材料技术领域，本发明的铁氧体材料由主料和掺杂剂构成，其中，以Fe2O3、ZnO、SnO2和MnCO3计算，主料包括以下组分：51～54mol％Fe2O3，15～20mol％ZnO，0～0.5mol％SnO2，其余为MnCO3；以预烧反应后的主料的质量为参照，按重量比，添加剂的组分包括：0.05～0.3wt％TiO2、0.01～0.3wt％K2CO3、0.01～0.3wt％V2O5、0.01～0.3wt％Bi2O3、0.01～0.2wt％MoO3。本发明改善了MnZn铁氧体晶粒均匀性，以提高磁导率和饱和磁感应强度，改善了力学性能。

公开(公告)号：CN119920897A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510106859.9

申请日：2025-01-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 周灏 ,  姬海宁 ,  李含冬 ,  牛晓滨

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明属于钠离子电池正极材料制造技术领域，具体提供一种空气稳定的钠离子电池用含铜正极材料及其制备方法，用以解决现有技术中钠离子电池正极材料暴露在空气中迅速吸湿从而导致结构崩塌的问题。本发明提供一种空气稳定的钠离子电池用含铜正极材料，具体的化学通式为：Na[Ni0.6Fe0.25Mn0.15]1‑xCuxO2，其中：0.01≤x≤0.05；同时，本发明还提供所述钠离子电池用含铜正极材料的制备方法，使用一步法烧结，让铜顺利进入过渡金属层中，在钠的频繁脱嵌过程中起到稳定层状结构的作用，保证材料的循环寿命，并且铜元素价态低，在空气中稳定不会氧化，能提高材料的空气稳定性，防止钠的脱出破坏正极材料结构。

公开(公告)号：CN118292114A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202410484550.9

申请日：2024-04-22

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  方晨旭 ,  刘婷 ,  代轶文 ,  赵鹏 ,  李俊烨 ,  王建伟 ,  姬海宁 ,  牛晓滨

IPC: C30B33/02 ,  C30B29/48

Abstract: 本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升降装置在加热炉内上下移动，内石英坩埚通过石英固定圆盘和石英棒固定于石英安瓿内不同高度。本发明将晶片置于温度梯度区间内的不同位置处，结合镉源挥发的饱和蒸汽，进而实现各晶片在不同温度处的同时退火功能；退火后通过检测晶片，得到一定温度范围内最优的晶片退火温度，并将该温度用于后续同一晶锭中剩余晶片的退火处理，以保证该批次剩余晶片退火后的良率和性能。

公开(公告)号：CN112968121A

公开(公告)日：2021-06-15

申请号：CN202110206992.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  贺靖 ,  李俊烨 ,  杜绍增 ,  陈治 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01L35/26 ,  H01L35/16 ,  H01L35/34

Abstract: 本发明提供一种硒化铋超晶格结构及其制备，属于拓扑绝缘体与热电材料领域。利用分子束外延技术在衬底表面依次交替外延生长结晶取向为(001)的硒化铋拓扑绝缘体(化学式为：Bi2Se3)单晶薄膜与硒化铟铋普通绝缘体(化学式为：(Bi1‑xInx)2Se3，其中0.20≤x≤0.35)单晶薄膜，从而构建出Bi2Se3/(Bi1‑xInx)2Se3超晶格。与现有硒化铋超晶格结构相比，本发明所述超晶格中Bi2Se3拓扑绝缘体层与(Bi1‑xInx)2Se3普通绝缘体层之间晶格失配小，结构稳定性更好，体电子浓度更低，在拓扑绝缘体以及热电材料领域具有重要应用前景。

公开(公告)号：CN111211041A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN202010025371.0

申请日：2020-01-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  贺靖 ,  尹锡波 ,  徐超凡 ,  李俊烨 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种制备大面积β相In2Se3单晶薄膜的方法，包含如下步骤：1)对晶面取向为(111)的硅衬底进行化学清洗及化学腐蚀处理，得到表面洁净的氢钝化硅衬底；2)将制得的硅衬底传入分子束外延系统内并加热至180℃除气至系统真空度优于8×10-10mbar；3)衬底除气完成后自然冷却至生长温度范围，同时打开In束流源与Se束流源生长合成In2Se3多晶薄膜；4)多晶薄膜生长完成后立即将衬底温度升至300～350℃进行5分钟的后续退火；5)退火完成后立即停止加热，自然冷却至室温，即可制得高质量β相In2Se3单晶薄膜。本发明所述生长β相In2Se3薄膜的方法，利用分子束外延技术结合后续原位退火工艺，能在氢钝化硅衬底上以较低温度制备大面积高质量的β相In2Se3单晶薄膜。

公开(公告)号：CN110335809A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201910592493.5

申请日：2019-07-03

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  尹锡波 ,  徐超凡 ,  贺靖 ,  姬海宁 ,  牛晓滨 ,  王志明

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种在云母衬底上生长单晶γ相硒化铟薄膜的方法，包含如下步骤：步骤1)：对单晶云母衬底进行化学清洗及机械解理剥离表面层，得到表面洁净的平整云母衬底；步骤2)：将步骤1)制得的云母衬底传入分子束外延真空系统内并加热至450℃除气至系统真空度优于8×10-10mbar；步骤3)：云母除气完成之后自然冷却至生长温度范围后，同时打开In束流源与Se束流源开始生长In2Se3薄膜；步骤4)：薄膜生长完成之后立即终止衬底加热，并快速冷却衬底温度至室温，即可制得单晶γ相In2Se3薄膜。本发明所述生长In2Se3薄膜方法，利用分子束外延技术在云母衬底表面沉积生长In2Se3薄膜，能以较低生长温度制备出高质量单晶γ相In2Se3薄膜。

公开(公告)号：CN106702482B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201611202065.X

申请日：2016-12-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李含冬 ,  张忠阳 ,  王志明 ,  任武洋 ,  李勇 ,  龙城佳 ,  周志华 ,  姬海宁 ,  牛晓滨

IPC: C30B25/02 ,  C30B25/18

Abstract: 本发明公开了一种在硅衬底上生长锑化铟薄膜的方法，包括以下操作步骤：1)将(111)晶面取向硅衬底置于分子束外延系统中，衬底生长前高温去气，高温退火得到Si(111)‑(7×7)再构表面；2)Bi单晶超薄缓冲层生长；3)待步骤2)中生长出Bi缓冲层后，分别升高铟束流源与锑裂解束流源温度，开始InSb形核层的生长；4)待步骤3)InSb形核层生长后，开始InSb外延薄膜的生长，即得。本技术方案采用与InSb晶格相匹配的Bi超薄单晶层作为缓冲层，在Bi缓冲层表面上生长厚度为10nm的低温InSb形核层后，再适当提高生长温度进行InSb外延层的生长，就可获得高表面能平整度且单一In极性InSb单晶薄膜。