-
-
公开(公告)号：CN111524884B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202010293560.6
申请日：2020-04-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子技术领域，涉及静电释放保护器件，具体提供一种用于高压ESD保护的改进型LDMOS‑SCR器件；本发明通过在第一种导电类型深阱区中插入一个第一种导电类型重掺杂区、并且将该重掺杂区与相邻的多晶硅栅用金属线连接，同时在第二种导电类型阱区插入一个第二种导电类型重掺杂区，从而形成改进型LDMOS‑SCR；将器件电流泄放路径由原本的表面寄生NPN路径和体内SCR路径两种路径变为表面寄生gated‑PIN路径以及原表面NPN和体内SCR路径三种路径，使得本发明具有更高的维持电压和鲁棒性；同时，进一步通过调整器件结构实现一种对称性分布的器件结构，得到具有双向处理ESD能力的改进型双向LDMOS‑SCR器件。
-
公开(公告)号：CN110120391B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910353954.3
申请日：2019-04-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电释放(ESD)保护器件的设计，具体提供一种用于ESD防护的高鲁棒性ESD器件结构，用以提高GGNMOS的鲁棒性。本发明现有GGNMOS结构基础上，在第二种导电类型阱区中采用N个第一种导电类型重掺杂区A1和N个第二种导电类型重掺杂区B1相邻且间隔设置的设计，将器件电流泄放路径由原本的寄生npn1路径和寄生npn2路径两种路径变为寄生npn1路径、寄生npn2路径和SCR路径三种路径；由于电流泄放路径的增加，使得本发明ESD器件相比于传统GGNMOS器件能够实现更高的鲁棒性；同时，本发明高鲁棒性ESD器件与常用的GGNMOS器件所需的版图面积完全一致，即本发明在相同版图面积的情况下，实现了更高的鲁棒性。
-
公开(公告)号：CN107607516B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710811976.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种拉曼增强的化学传感器及其制备方法，属于检测化学分子的半导体微纳器件领域。该化学传感器包括四层结构，自下而上依次为玻璃基底、纳米小球结构层、金属层和单层石墨烯层。其中，聚苯乙烯等形成的纳米小球结构层用于形成表面阵列化结构，以加强拉曼光的散射，金属层用于实现拉曼电磁增强，单层石墨烯层在对分子吸附的同时实现化学增强；本发明拉曼增强的化学传感器同时利用贵金属实现电磁增强、单层石墨烯实现化学增强，大大增强了拉曼信号。
-
公开(公告)号：CN110190052A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910480240.9
申请日：2019-06-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体涉及静电放电(ESD)保护电路的设计，具体提供了一种用于全芯片ESD防护的三端紧凑复合型SCR器件(CCSCR)，包括主放电CCSCR器件与RC辅助触发探测电路；主放电CCSCR器件为一个三端器件，在CMOS器件结构的基础上引入三条寄生SCR通路，从而在更小的版图面积下实现高鲁棒性的全芯片ESD保护；RC辅助触发探测电路的引入能够进一步减小器件的触发电压；另外，本发明CCSCR器件该器件也可作为两端器件为任意IO端口与电源之间提供ESD保护。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105374868B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510981673.4
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护技术领域，涉及一种用于ESD保护的快速开启的SCR器件，用以克服SCR器件开启速度慢的问题。该SCR器件包括第一种导电类型硅衬底，硅衬底上形成相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区，所述两个阱区内分别设有第二种导电类型重掺杂区，浅槽隔离区和第一种导电类型重掺杂区；其特征在于，所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区内掺杂浓度变化分布，沿着指向两阱区邻接处方向逐渐减小。本发明通过改变器件内阱区的横向掺杂浓度分布，在寄生pnp和/或寄生npn的基区内引入少数载流子的加速电场，减小相应少数载流子的基区渡越时间，最终减少SCR器件的开启时间，提高SCR器件开启速度。
-
公开(公告)号：CN108598076A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810314659.2
申请日：2018-04-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02 , H01L29/10 , H01L29/735 , H01L29/737
Abstract: 本发明属于集成电路静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)保护领域，具体提供一种基于锗硅异质结工艺的触发电压可调的ESD保护器件；本发明基于HBT器件结构，采用基极浮空设计，作为ESD保护器件使用时，HBT的发射极(阴极)接地，基极浮空，集电极(阳极)接芯片的输入输出端(I/O)或电源端；本发明中HBT器件采用基极浮空设计，使触发HBT器件开启的雪崩击穿电压由现有不可调的BVCBO变为可调的基极开路发射结雪崩击穿电压BVCEO，即能够通过调节发射结面积有效调节触发电压；并且，由于基极浮空，能够缩小ESD保护电路的版图面积，特别是采用多个HBT器件并联使用时，尤其能够有效缩小ESD保护电路的版图面积。
-
公开(公告)号：CN105609488B
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201510976188.8
申请日：2015-12-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成电路的静电放电保护领域,提供种用于ESD保护的低触发电压SCR器件,用于进步降低LVTSCR器件的触发电压。包括第种导电类型硅衬底、硅衬底上形成第二种导电类型阱区和第种导电类型阱区,所述阱区内分别设置第二种导电类型重掺杂区和第种导电类型重掺杂区,两阱区之间跨接第二种导电类型重掺杂区,所述跨接的第二种导电类型重掺杂区和第种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区之间的硅表面上设有个栅氧化层区;所述第二种导电类型阱区硅表面上无器件结构区域还设有另栅氧化层区,两个栅氧化层区上的多晶硅层通过金属相连。本发明在器件内部引入个RC通路,能够进步降低SCR器件的触发电压,且该触发电压可调制。
-
公开(公告)号：CN107731810A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710795116.2
申请日：2017-09-06
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L27/0292
Abstract: 本发明属于电子技术领域，具体提供一种用于ESD防护的低触发电压MLSCR器件，用于降低现有MLSCR器件的触发电压。本发明低触发电压MLSCR器件在现有MLSCR器件基础上在跨接的第一种导电类型重掺杂区下方引入ESD注入层，该ESD注入层为中等掺杂浓度的第二种导电类型掺杂区，其掺杂浓度介于漏/源重掺杂区浓度和阱区掺杂浓度之间；由于ESD注入层的引入，本发明低触发电压MLSCR器件的触发模块由原本的N+/P-well二极管变为N+/P-esd二极管，N+/P-esd二极管相比N+/P-well二极管具有更低的反向雪崩电压，从而实现更低的触发电压；同时能够实现动态调节触发电压，进一步优化MLSCR器件触发电压。
-
公开(公告)号：CN107607516A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710811976.0
申请日：2017-09-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/65
Abstract: 一种拉曼增强的化学传感器及其制备方法，属于检测化学分子的半导体微纳器件领域。该化学传感器包括四层结构，自下而上依次为玻璃基底、纳米小球结构层、金属层和单层石墨烯层。其中，聚苯乙烯等形成的纳米小球结构层用于形成表面阵列化结构，以加强拉曼光的散射，金属层用于实现拉曼电磁增强，单层石墨烯层在对分子吸附的同时实现化学增强；本发明拉曼增强的化学传感器同时利用贵金属实现电磁增强、单层石墨烯实现化学增强，大大增强了拉曼信号。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
98
records
(took 0.027 seconds)
