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公开(公告)号：CN110896116A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201811050376.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供硅片以及扩散源，其中扩散源包括扩散元素；(2)采用打印方法将扩散源置于硅片一表面上而形成第一预制层；(3)对带有第一预制层的硅片进行退火处理，使扩散元素扩散进入硅片中，以形成预制扩散层；(4)采用打印方法将扩散源置于预制扩散层上而形成间隔的第二预制结构；(5)对带有第二预制结构的硅片再次进行退火处理，使扩散元素扩散进入预制扩散层中，得到扩散层；其中，扩散层包括多个连续的单元，每一单元包括相邻的第一扩散结构和第二扩散结构，第一扩散结构的方阻大于第二扩散结构的方阻。本发明在第二扩散结构对应的区域制备电极，可提升接触性能。
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公开(公告)号：CN110767447A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810829735.3
申请日：2018-07-25
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；以钛金属作为靶材，采用磁过滤多弧离子镀方法在所述柔性金属衬底上沉积形成二氧化钛预制层，其中所述磁过滤多弧离子镀方法中的工作气氛为氩气和氧气的混合气体；对沉积有二氧化钛预制层的柔性金属衬底进行热处理，得到柔性储能薄膜。所述柔性储能薄膜包括柔性金属衬底以及形成于所述柔性金属衬底上的二氧化钛层。通过该制备方法不仅实现了储能薄膜的柔性化，同时还使储能薄膜具有高可靠性和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。
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公开(公告)号：CN110760802A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201811196381.X
申请日：2018-07-27
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及储能陶瓷薄膜，所述储能陶瓷薄膜包括金属衬底以及依次形成于所述金属衬底上的第一金属层、第二金属层、第二金属氧化物层和第二金属氧化物薄膜；其中，所述第一金属层的材料与所述金属衬底的材料相同；所述第一金属层的表面还设有所述第二金属层中的第二金属与第一金属层中的第一金属结合而形成的合金层。本发明的储能陶瓷薄膜可在降低金属衬底的表面粗糙度的同时保证结合力，从而可以同时提高储能陶瓷薄膜的储能性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN110660582A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201810713410.9
申请日：2018-06-29
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；以钛酸锶作为靶材，采用磁控溅射方法在所述柔性金属衬底上沉积形成钛酸锶薄膜预制层；对沉积有钛酸锶薄膜预制层的柔性金属衬底进行热处理，得到钛酸锶薄膜；以及在所述钛酸锶薄膜上形成电极层，得到柔性储能薄膜。该储能薄膜采用钛酸锶材料，通过该制备方法实现储能薄膜的柔性化，同时还使储能薄膜具有高介电常数、低介电损耗、高击穿场强和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。
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公开(公告)号：CN109778122A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811605608.1
申请日：2018-12-26
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院
Abstract: 一种柔性声表面波传感器及其制作方法，包括柔性氮化铝薄膜及设置于所述柔性氮化铝薄膜上的电极层，所述柔性氮化铝薄膜包括铝基底及氮化铝膜层，所述氮化铝膜层包括第一氮化铝膜层及第二氮化铝膜层，所述铝基底、所述第一氮化铝膜层及所述第二氮化铝膜层依次层叠设置，所述电极层包括输入电极及输出电极，所述输入电极及所述输出电极间隔设置于所述第二氮化铝膜层上，所述第一氮化铝膜层为由所述铝基底的表面经过氮化处理而形成的膜层。该柔性声表面波传感器中的氮化铝膜层与基底之间的结合力较强。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114751745B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202210042597.0
申请日：2022-01-14
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: C04B35/505 , C04B35/622 , H01P7/10
Abstract: 本发明涉及一种微波介质陶瓷，所述微波介质陶瓷的组成成分包括CeO2、TiO2和金属氧化物，其中，所述金属氧化物中的金属离子的化合价低于+4价，且所述金属离子的离子半径为0.04nm‑0.09nm，所述金属氧化物不与所述CeO2以及所述TiO2发生反应，所述CeO2与所述TiO2的摩尔比为(1‑y):y，0.1≤y≤0.2，所述CeO2和所述TiO2的摩尔量之和与所述金属氧化物的摩尔比为(1‑x):x，0.005≤x≤0.05。本发明还涉及所述微波介质陶瓷的制备方法及其在微波器件中的应用。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为24至30，品质因子与频率的乘积(Q×f)为20000GHz至60000GHz，谐振频率温度系数为‑10ppm/℃至10ppm/℃，用作微波器件的原材料时，制备的微波器件的损耗更低。
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公开(公告)号：CN116315570A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211372866.6
申请日：2022-11-03
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性超宽带天线及其制作方法，该柔性超宽带天线包括柔性基板以及设于柔性基板上且相互绝缘的辐射体和接地体，辐射体和接地体之间具有绝缘间隙区，绝缘间隙区从柔性基板的第一侧边延伸至与第一侧边相邻的第二侧边，且绝缘间隙区的间隙宽度从绝缘间隙区的一端朝向绝缘间隙区的另一端逐渐变化。通过采用柔性基板作为载体，便于弯曲共形，实现与柔性弯曲设备集成化设计；而且绝缘间隙区的间隙宽度从绝缘间隙区的一端朝向绝缘间隙区的另一端逐渐变化，使得辐射体与接地体之间具有能量耦合量的渐变，实现电抗性储能的降低，带来带宽的增加以及良好的匹配特性，可实现UWB设备全频段覆盖的宽通带，还具有共形后易于修正阻抗的特点。
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公开(公告)号：CN110890443B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201811049971.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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公开(公告)号：CN110896116B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201811050376.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：(1)提供硅片以及扩散源，其中扩散源包括扩散元素；(2)采用打印方法将扩散源置于硅片一表面上而形成第一预制层；(3)对带有第一预制层的硅片进行退火处理，使扩散元素扩散进入硅片中，以形成预制扩散层；(4)采用打印方法将扩散源置于预制扩散层上而形成间隔的第二预制结构；(5)对带有第二预制结构的硅片再次进行退火处理，使扩散元素扩散进入预制扩散层中，得到扩散层；其中，扩散层包括多个连续的单元，每一单元包括相邻的第一扩散结构和第二扩散结构，第一扩散结构的方阻大于第二扩散结构的方阻。本发明在第二扩散结构对应的区域制备电极，可提升接触性能。
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公开(公告)号：CN112864610B
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202011624886.9
申请日：2020-12-31
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本公开涉及一种柔性天线装置及其制造方法。该装置包括：柔性基板的第一固定部和第二固定部固定安装在可拉伸基底上，环状连接部与承载辐射单元的承载部连接、第一固定部、第二固定部分别连接；第一导线位于环状连接部和第一固定部上，且第一导线的第一端连接到辐射单元，第一导线的第二端用于连接到外部设备；环状连接部在可拉伸基底的自身形变和/或受外力形变的作用下发生形变，使得承载部远离或靠近可拉伸基底。本公开实施例所提供的柔性天线装置及其制造方法，具所制造的装置有可拉伸性，且保证辐射单元不发生变形，使其具有稳定的谐振频率。
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