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公开(公告)号：CN111191301B
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN201911426283.5
申请日：2019-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: G06F30/10 , G06F119/14
Abstract: 本申请涉及一种梁结构振动过程解析方法、装置、计算机设备和存储介质。所述方法包括：基于S‑R和分解定理得到梁结构的应变张量和转动张量；基于所述应变张量和转动张量，得到梁结构的增量变分方程；基于所述增量变分方程，得到梁结构振动过程中的系统离散方程；基于所述系统离散方程、所述梁结构的基本参数以及所述梁结构振动过程中各时刻的振动参数得到梁结构振动过程中各时刻的节点位移增量。上述梁结构振动过程解析方法、装置、计算机设备和存储介质，采用S‑R和分解定理，对梁结构的非线性大变形振动过程进行解析，计算结果更加准确，解析结果更加贴合实际情况。
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公开(公告)号：CN114823285B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202210362697.1
申请日：2022-04-07
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 钱塘科技创新中心
Abstract: 本发明涉及一种超薄芯片及其平整化方法和应用。该平整化方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲；对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。该平整化方法能够提高相同厚度薄膜所引入的永久拉应力，从而在增加较少厚度的基础上，改善超薄芯片的翘曲程度，进而提高超薄芯片的封装良率以及可靠性。
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公开(公告)号：CN113855031B
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202111101694.4
申请日：2021-09-18
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 钱塘科技创新中心
IPC: A61B5/25
Abstract: 本申请涉及柔性微针电极及其制备方法，柔性微针电极中，微针阵列中的微针包括一体连接的第一部分与第二部分，第一部分具有尖端，第二部分的底部与第一柔性材料层的一侧表面连接，第二部分的表面相对微针的中心轴的倾斜角度大于第一部分的表面相对微针的中心轴的倾斜角度；导电层设置在第一柔性材料层与微针上；第二柔性材料层设置在导电层上以包裹微针，并暴露出导电层的位于微针的尖端的部分。由于第二部分的表面相对微针的中心轴的倾斜角度大于第一部分的表面相对微针的中心轴的倾斜角度，提供了底部支撑，且第二柔性材料层包裹微针，可以在提高微针高度时避免微针倒塌，保证电极采集的信号的质量。
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公开(公告)号：CN118501042A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410301370.2
申请日：2024-03-15
Applicant: 浙江省医疗器械审评中心 , 中国计量大学 , 浙江清华柔性电子技术研究院
IPC: G01N19/04
Abstract: 一种可穿戴柔性电子设备的剥离测试装置及测试方法，其中剥离测试装置包括主体，所述主体包括剥离机构、调节机构、第一承载机构、第二承载机构和测量机构，所述调节机构与所述第一承载机构连接，所述第一承载机构用于与待测试件可拆卸连接，所述第二承载机构位于所述第一承载机构一侧，所述第二承载机构用于与所述待测试件固定连接，所述调节机构用于调节所述第一承载机构相对于所述第二承载机构的角度，所述剥离机构用于调节所述第一承载机构及所述第二承载机构的相对位置，直至所述待测试件与所述第一承载机构分离，所述测量机构用于测量所述待测试件的剥离力，能够根据所需的角度调整待测试件的剥离角度，测试方法操作简单，测试结果精准。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118270183A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211732130.5
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明涉及一种仿生水面机器人，包括移动平台、柔性电路板和包覆层，移动平台包括承载部和驱动部，承载部包括第一薄膜和第一形状记忆骨架，第一形状记忆骨架设在第一薄膜上，驱动部包括第二薄膜和第二形状记忆骨架，第二薄膜为光热膜，第二薄膜与第一薄膜相连，第二形状记忆骨架设在第二薄膜上，第二形状记忆骨架与第一形状记忆骨架相连；柔性电路板设在承载部在其厚度方向上的一侧；所述包覆层设在所述承载部上，所述柔性电路板被所述承载部和所述包覆层包裹。本发明的仿生水面机器人实现了无电机驱动的非机械式的仿生水面机器人的设计，具有轻量化、可变形的特点，可实现仿生水面机器人的微型化。
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公开(公告)号：CN118258530A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211693507.0
申请日：2022-12-28
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种柔性硅基压力传感器及其制造方法，其能够具有超薄结构，便于实现窄间隙接触力的监测。该柔性硅基压力传感器包括：压力传感芯片，该压力传感芯片包括减薄硅片和惠斯通电桥，该惠斯通电桥设置于该减薄硅片的上表面，该减薄硅片是通过研磨硅片基材的背面制成的；基底层，该基底层粘接于该减薄硅片的下表面；电路层，该电路层包括柔性膜和设置于该柔性膜的电路主体，该柔性膜的厚度大于该压力传感芯片的厚度，其中该压力传感芯片嵌入该柔性膜，并且该电路主体电连接于该惠斯通电桥；以及封装层，该封装层被设置于该电路层的上表面以覆盖该电路主体；其中该柔性硅基压力传感器的整体厚度小于等于五十微米。
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公开(公告)号：CN116344575B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111580138.X
申请日：2021-12-22
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本申请涉及一种VDMOS器件，包括衬底层，设有第一导电柱；设置在衬底层上的外延层，衬底层的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；设置在外延层上的栅极；设置在外延层的源极；外延层在靠近衬底层的一侧形成有掺杂区和绝缘区，绝缘区与第一导电柱位置相对应，掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度。本申请通过在外延层中设置较高掺杂浓度的掺杂区，可以降低VDMOS器件正向导通时的外延电阻，同时还在衬底层和外延层之间形成MIS结构，使VDMOS器件维持较高的反向击穿电压，能有效提高VDMOS器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN117954352A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311651051.6
申请日：2023-12-04
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种晶圆处理方法及晶圆处理装置，用于处理外缘具有倒角部分的晶圆，方法包括：S1，将晶圆的背面正对支撑件，并将晶圆水平地固定在支撑件上；S2，将转移环粘接在晶圆上，其中转移环的内径小于晶圆的直径，而外径大于晶圆的直径。本申请通过在晶圆的正面粘设转移环，由于转移环的内径小于晶圆的直径，而外径大于晶圆的直径，以使得转移环贴设在晶圆的正面上时能够起到固定晶圆的同时，还能将晶圆的边缘处的倒角部分进行保护，减少转移过程中的碎片率，避免倒角悬空发生崩边，整个流程步骤中无需特殊的加工设备，不影响晶圆的原有结构，相较于Taiko工艺的成本更低，可推广性高。
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公开(公告)号：CN117766417A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211139331.4
申请日：2022-09-19
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种晶圆测试模块及其制备方法、晶圆测试方法，晶圆测试模块包括晶圆和导电层，晶圆包括电路层和衬底层，导电层设置于电路层的背向衬底层的一侧，导电层至少覆盖电路层的电性能测试区域，电性能测试区域设有焊盘。晶圆测试方法：提供一晶圆测试模块；将晶圆测试模块固定在探针台上，晶圆测试模块的靠近衬底层的一侧朝向探针台；将探针与导电层接触，在焊盘、导电层和探针之间形成导电通道；通过导电通道对晶圆测试模块进行电性能测试。本申请的晶圆测试模块，提高了晶圆的机械强度，在测试过程中，探针无需直接接触晶圆焊盘，而是利用导电层，形成焊盘、导电层与探针之间的导电通道，从而可以对晶圆进行无损电性能检测。
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