公开(公告)号：CN114823285B

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202210362697.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 陈颖 ,  王添博 ,  汪照贤 ,  王禾翎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种超薄芯片及其平整化方法和应用。该平整化方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲；对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。该平整化方法能够提高相同厚度薄膜所引入的永久拉应力，从而在增加较少厚度的基础上，改善超薄芯片的翘曲程度，进而提高超薄芯片的封装良率以及可靠性。

公开(公告)号：CN116936338A

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202210322576.4

申请日：2022-03-29

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 汪照贤 ,  王添博 ,  陈颖

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种超薄芯片及其制备方法和应用；该制备方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面沉积金属薄膜，得到超薄芯片，其中，所述金属薄膜与所述硅衬底之间的应力为α，所述功能层与所述硅衬底之间的应力β，α的取值范围为10MPa‑1000MPa，β的取值范围为负1000MPa‑负10MPa，且|α|与|β|的差的绝对值小于或等于1MPa；该制备方法能够降低超薄芯片的翘曲曲率，提高超薄芯片的封装良率和可靠性。

公开(公告)号：CN114823285A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210362697.1

申请日：2022-04-07

Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 ,  钱塘科技创新中心

Inventor： 陈颖 ,  王添博 ,  汪照贤 ,  王禾翎

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及一种超薄芯片及其平整化方法和应用。该平整化方法包括以下步骤：提供芯片，所述芯片包括层叠设置的硅衬底以及功能层，所述芯片的边缘朝所述功能层的方向翘曲；对所述芯片进行预压缩，使所述芯片的边缘朝所述硅衬底的方向翘曲；以及在所述硅衬底远离所述功能层的表面形成厚度小于或等于5μm的薄膜，得到平整化的超薄芯片。该平整化方法能够提高相同厚度薄膜所引入的永久拉应力，从而在增加较少厚度的基础上，改善超薄芯片的翘曲程度，进而提高超薄芯片的封装良率以及可靠性。