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公开(公告)号：CN119921080A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202311425583.8
申请日：2023-10-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 一种天线结构，包括介质层、辐射层、接地层和连接器，介质层的上表面设有凹槽，辐射层随形设置在凹槽的内壁上，辐射层的辐射面为曲面，接地层设置于介质层的下表面，连接器电性连接辐射层和接地层。本发明的天线结构能改善天线结构高频阻抗匹配，提高阻抗带宽。本发明还涉及一种天线结构的制作方法及智能终端。
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公开(公告)号：CN118281547A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211736472.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 本申请提供了一种柔性天线阵及其制备方法。其中，柔性天线阵包括三维柔性介质基板、多个微带阵元、馈电网络和天线地面，三维柔性介质基板包括底层薄膜层和位于底层薄膜层的第一侧面的多个台阶结构，底层薄膜层和多个台阶结构为一体成型结构；多个微带阵元分别设置在多个台阶结构上；馈电网络设置在底层薄膜层的第一侧面上，馈电网络电连接多个微带阵元；天线地面设置在底层薄膜层的第二侧面上。本申请实施例的柔性天线阵采用三维柔性结构的三维柔性介质基板，通过底层薄膜层和台阶结构的三维结构设计，在不影响天线阵的辐射特性的情况下，提高天线阵的柔性，有利于天线阵的曲面共形和重量减轻。
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公开(公告)号：CN114539776B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202111641734.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: C08L83/04 , C08L75/04 , C08K9/10 , C08K3/22 , C08K3/24 , C08J7/06 , C08J7/12 , C23C14/20 , C23C14/35 , C23C28/02 , C25D5/56 , H01B3/02 , H01B3/10 , H01B13/00
Abstract: 介电弹性体金属化材料及制备方法，该方法包括如下步骤：在无机非金属颗粒外包覆多巴胺活性层；配置形成介电弹性体薄膜的介电弹性体材料溶液，将包覆有所述多巴胺活性层的无机非金属颗粒分散于所述介电弹性体材料溶液内，并对所述介电弹性体材料溶液进行固化，形成介电弹性体薄膜；对所述介电弹性体薄膜的表面进行亲水化处理；采用磁控溅射的方式，在经过亲水化处理的所述介电弹性体薄膜的表面形成第一金属层；采用电镀工艺在所述第一金属层的表面形成第二金属层。由该该介电弹性体金属化材料的制备方法制作而成的介电弹性体金属化材料，其介电常数较高，介电损耗较小，金属层与介电弹性材料之间的结合力较大。
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公开(公告)号：CN116387806A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202211386482.X
申请日：2022-11-07
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01Q1/38
Abstract: 本发明公开了一种柔性倒F天线及其制作方法，该柔性倒F天线包括柔性基板以及设于柔性基板上的辐射体和接地体，接地体设有与辐射体相匹配的容纳间隙区，辐射体设于容纳间隙区内且与接地体相互间隔开，辐射体包括单极子天线和接地线，接地线的一端与单极子天线电性连接，接地线的另一端与接地体电性连接，单极子天线具有多个首尾相接的折弯部。通过在接地体设置容纳间隙区，将辐射体设于容纳间隙区内，使得辐射体被包围于接地体内，而且单极子天线由多个首尾相接的折弯部组成，可以使得辐射体在各个方向都存在耦合，天线的容性加强，并在弯曲共形时可以减少耦合量突变以及谐振频率偏移量，保持谐振频率的稳定性。
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公开(公告)号：CN114552180A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111641741.4
申请日：2021-12-29
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 天线结构及其制备方法。本申请的天线结构，包括柔性介质层、辐射单元和接地单元；柔性介质层中填充液态金属层以形成辐射单元与接地单元，辐射单元靠近柔性介质层的厚度方向上的一侧表面，接地单元靠近柔性介质层的厚度方向上的另一侧表面。本申请的天线结构的制备方法，提供一柔性介质层，在柔性介质层内部形成第一孔道层和第二孔道层，第一孔道层靠近柔性介质层的厚度方向上的一侧表面，第二孔道层靠近柔性介质层的厚度方向上的另一侧表面；在第一孔道层和第二孔道层中分别注入液态金属，形成天线结构的辐射单元和接地单元，得到天线结构。本申请的天线结构整体具备柔性，辐射单元和接地单元随柔性介质层弯曲时不易断裂分层，具有良好的抗疲劳特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112864611A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011625954.3
申请日：2020-12-30
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 频率可调柔性天线及其制作方法，该频率可调柔性天线包括柔性基体层、辐射贴片及介电可调电容，所述辐射贴片及所述介电可调电容均设置于所述柔性基体层上，所述介电可调电容包括介电弹性体变容介质、第一电极片及第二电极片，所述第一电极片及所述第二电极片均与所述辐射贴片电性相连，所述介电弹性体变容介质设置于所述第一电极片与所述第二电极片之间，所述介电弹性体变容介质在受到作用力时，使所述介电可调电容的电容值发生变化。该频率可调柔性天线能够较为容易地改变天线的工作频率。
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公开(公告)号：CN112038746A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010960986.2
申请日：2020-09-14
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01Q1/00 , H01Q5/314 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , C08L75/04 , C08L83/04 , C08L101/12 , C08L61/16 , C08L79/08 , C08K3/24 , C08K3/28 , C08K3/38 , C08K3/34
Abstract: 本发明涉及一种柔性天线，包括聚合物基体、辐射贴片、接地层、电极层和偏置电源，聚合物基体包括沿延展方向相邻设置的第一子基体和第二子基体，第一子基体中还包括有填料，填料包括铁电材料颗粒和导热填料颗粒，辐射贴片、接地层和电极层均设置于第一子基体的表面且各自之间相互间隔，偏置电源与辐射贴片、电极层组成电流回路，用于调节第一子基体的介电常数。本发明还涉及一种柔性天线的制备方法。本发明可以调控柔性天线的工作频率，保障柔性天线在曲面状态下仍能正常工作；同时，柔性天线在工作时产生的热量不会在第一子基体积累，更不会造成第一子基体与辐射贴片、接地层、电极层的界面分离，保证了柔性天线的可靠性和使用寿命。
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公开(公告)号：CN111012290A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201911326590.6
申请日：2019-12-20
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: A61B1/04 , A61B1/00 , B22F9/20 , C23C14/20 , C23C14/35 , C23C14/58 , C25D5/02 , H01Q1/22 , H01Q1/38
Abstract: 本发明提供一种共形胶囊天线结构、具有该共形胶囊天线结构的无线胶囊内窥镜系统、以及该共形胶囊天线结构的制备方法。通过将螺旋天线集成在胶囊的柔性顶壳内，不仅具备宽频带的全向辐射能力，还能充分利用胶囊内部空间，减少天线的占用空间，为胶囊内其它部件及元器件提供更多的布局空间。利用激光的非接触式加工的稳定性，直接在该胶囊的柔性顶壳内部制备螺旋天线，可以实现螺旋天线与该柔性顶壳的完美共形，使得结构稳定，不会脱落。另外，本发明的布置方式，还可以使得螺旋天线不易受其它器件的影响，性能更稳定。
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公开(公告)号：CN110970720A
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201911222136.6
申请日：2019-12-03
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
Abstract: 一种耐高温可调频柔性天线及其制作方法，该耐高温可调频柔性天线采用柔性云母片作为柔性基底层，并通过在金属图层与柔性云母片之间设置介电可调陶瓷薄膜，在柔性云母片远离介电可调陶瓷薄膜的一侧上设置调整电极，使得该耐高温可调频柔性天线在能够耐受较高温度的同时，还能够对天线的工作频率进行调整。
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公开(公告)号：CN110890443A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201811049971.X
申请日：2018-09-10
Applicant: 浙江清华柔性电子技术研究院 , 清华大学
IPC: H01L31/18 , H01L21/225 , H01L31/068
Abstract: 本发明涉及一种晶体硅太阳能电池扩散层及其制备方法，所述制备方法包括：提供硅片以及扩散源，其中所述扩散源包括扩散元素；采用打印方法将扩散源置于所述硅片上而形成预制层，所述预制层的厚度大于等于2μm；对带有所述预制层的硅片进行退火处理，使所述扩散元素扩散进入所述硅片中，以形成扩散层；以及采用刻蚀溶液去除所述硅片上残留的预制层。本发明的制备方法不受硅片厚度的限制，可实现扩散层的可控制备，不仅工艺简单、成本低，还可以保证硅片的完整性和工艺稳定性，可重复性好，得到的晶体硅太阳能电池扩散层的方阻为20Ω/□～110Ω/□，具有很好的实际应用价值。
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