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公开(公告)号：CN106783646A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611191657.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/27
Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合方法，其包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。采用本发明提供的晶圆键合方法，避免了晶圆键合后形成缝隙或者减小了晶圆键合后缝隙的尺寸。
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公开(公告)号：CN113629087B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202110902486.8
申请日：2021-08-06
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明涉及一种BSI图像传感器装置及制作方法。所述制作方法中，在衬底背面形成凹槽和穿通孔，穿通孔从衬底背面穿通至设置于衬底正面的互连结构顶面，互连结构通过所述穿通孔中形成的导电柱和于衬底背面和凹槽内表面形成的电连接层电性引出，焊盘形成在凹槽中的电连接层上，从而焊盘与互连结构实现了电性连接。所述穿通孔的位置不设置焊盘，因而穿通孔的孔径可设置得较小，且焊盘的位置受互连结构的引出位置影响小，可根据节约衬底面积的需要设置焊盘，便于缩小焊盘对衬底面积的消耗，提高设计灵活性和实现小尺寸。所述图形传感器装置可采用所述制作方法制作。
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公开(公告)号：CN113644084B
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202110904012.7
申请日：2021-08-06
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，通过在焊盘区的衬底背面上形成沟槽以及从所述沟槽的底面穿通至金属互连结构的顶面的通孔，以及，形成填充于所述通孔中的第一金属层，并在所述沟槽中形成焊盘结构，使得通过所述焊盘结构和所述第一金属层将形成于第一器件层中的金属互连结构接出，进而使得芯片尺寸能够进一步减小，且使得第一晶圆正面的金属互连结构的布线复杂程度得到降低。
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公开(公告)号：CN112435977B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202011309816.4
申请日：2020-11-20
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，通过刻蚀去除部分所述第一金属层以在所述第一金属层中形成第一开口；所述第二金属层填充在所述第一开口中，且与刻蚀剩余的所述第一金属层电连接；硅通孔依次贯穿所述衬底和部分厚度的所述介质层且暴露出所述第二金属层；硅通孔中的互连层与所述第二金属层电连接。所述第二金属层和互连层在所述衬底上的投影落入所述第一金属层在所述衬底上的投影范围内即可实现将第一金属层引出，硅通孔不需要额外占用横向(平行于衬底方向)上第一金属层侧方的面积，提高了晶圆面积利用率。引出第一金属层的第二金属层通过一次光刻工艺(一张光罩)即可完成，此工序可减少光罩，降低成本，并降低工艺难度。
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公开(公告)号：CN114649219A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011502393.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：将测试合格的芯片通过第二键合胶层与第二载片临时键合，芯片的第一面上的保护层与第二键合胶层接触；平坦化芯片的远离第二载片的一侧，暴露出芯片的第二面上的键合界面层；将芯片通过第二面上的键合界面层与目标晶圆键合；去除第二载片，第一面的保护层上残留有部分的第二键合胶层；以及，平坦化芯片的远离目标晶圆的一侧，以去除残留的第二键合胶层和第一面上的保护层，并暴露第一面上的键合界面层，获得键合结构。本发明的技术方案能够防止混合键合界面与键合胶直接接触，确保键合界面层的表面具有很高的清洁度，避免导致芯片与目标晶圆之间的混合键合工艺出现异常。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114628304A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452297.7
申请日：2020-12-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/683 , H01L21/78 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面涂布键合胶并键合载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，从而可以将芯片的正面键合至目标晶圆上，并且，器件晶圆与载片晶圆解键合后先保留器件晶圆的正面的键合胶，键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的正面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的正面上，后续去除键合胶时可同步去除键合胶上的刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的正面的洁净度，可提高将芯片的正面键合至目标晶圆上的键合效果。
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公开(公告)号：CN114628241A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011473320.0
申请日：2020-12-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明提供了一种芯片键合方法，通过在器件晶圆的正面临时键合第一载片晶圆，可以在器件晶圆的背面形成背连线结构，以将器件晶圆中的互连结构从器件晶圆的背部引出，通过在器件晶圆的背面键合第二载片晶圆，可以将第一载片晶圆解键合，在将器件晶圆与第二载片晶圆解键合后先保留第二键合胶，第二键合胶可以在后续对器件晶圆进行划片时保护器件晶圆的背面，防止划片过程中产生的颗粒物或刻蚀副产物附着在器件晶圆的背面上，后续去除第二键合胶时可同步去除第二键合胶上的颗粒物或刻蚀副产物，保证了划片后产生的单个芯片的背面的洁净度，可提高将芯片的背面键合至目标晶圆上的键合效果。
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公开(公告)号：CN114628240A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452333.X
申请日：2020-12-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种芯片晶圆的堆叠方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；形成键合层，所述键合层覆盖所述介质层；从所述待处理晶圆上拾取待键合的芯片，将所述待键合的芯片排列在静电吸盘上；将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合，可极大减少活化后，芯片与晶圆键合的等待时间，降低活化失效的风险。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，然后作为一个整体进行键合的方式比在键合的同时进行排列分布效率更高。
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公开(公告)号：CN110911292B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201911225483.4
申请日：2019-12-02
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种半导体的制造方法，在形成图案化的顶层连线层之后，先进行一次介质材料的填充，以形成覆盖该顶层连线层的第一介质层，该第一介质层中形成有气泡，进而，对该第一介质层进行平坦化，平坦化之后可以将其中的气泡暴露出来，这样，通过再次进行介质材料的填充，可以减小甚至消除该气泡，提高介质层的填充质量，再次平坦化之后，可以保证晶圆表面平整度，进而，提高晶圆的键合工艺的良率，该方法中无需通过增大介质材料的厚度避免气泡的出现而影响晶圆平整度，提高后续工艺的稳定性，并降低制造成本。
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公开(公告)号：CN110931373B
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN201911271755.4
申请日：2019-12-11
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，在衬底上形成有覆盖层，覆盖层上形成有图案化的顶层金属层，沉积覆盖图案化的顶层金属层的第一介质层，而后进行第一介质层的平坦化，以去除图案化的顶层金属层上至少部分厚度的第一介质层，在第一介质层和图案化的顶层金属层上依次形成刻蚀停止层以及第二介质层。该方法在形成图案化的顶层金属层后，在图案化的顶层金属层上沉积第一介质层，减小图案化的顶层金属层之间的第一介质层的深宽比，避免气泡的产生，提高键合表面的平整度，进而提高器件性能。
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