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公开(公告)号：CN111834280A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010723912.7
申请日：2020-07-24
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供了一种临时键合方法，包括：提供器件晶圆以及承载片，并通过键合胶将所述器件晶圆和所述承载片键合形成键合片；对所述器件晶圆进行减薄，并暴露出所述键合片边缘的键合胶；除去暴露出的键合胶。即在器件晶圆进行减薄之后，除去暴露出的键合胶，使得键合胶的面积不大于器件晶圆键合面积，从而减少后续制程的缺陷来源，同时，除胶步骤放在减薄之后可降低破边风险。
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公开(公告)号：CN114628261A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452022.3
申请日：2020-12-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制作方法。所述方法包括：形成第一晶圆的正面键合界面和背面键合界面；对所述第一晶圆进行芯片切分，并将所述第一晶圆中的各芯片作为第一目标芯片；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第一基板进行临时键合；将所述第一目标芯片的正面键合界面与目标晶圆进行键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与所述第一基板进行解键合；将所述第一目标芯片的背面键合界面与第二目标芯片进行键合。本发明能够实现多层芯片和晶圆的混合键合，满足半导体器件的多样化需求。
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公开(公告)号：CN114649219A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011502393.8
申请日：2020-12-17
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/683 , H01L21/78 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：将测试合格的芯片通过第二键合胶层与第二载片临时键合，芯片的第一面上的保护层与第二键合胶层接触；平坦化芯片的远离第二载片的一侧，暴露出芯片的第二面上的键合界面层；将芯片通过第二面上的键合界面层与目标晶圆键合；去除第二载片，第一面的保护层上残留有部分的第二键合胶层；以及，平坦化芯片的远离目标晶圆的一侧，以去除残留的第二键合胶层和第一面上的保护层，并暴露第一面上的键合界面层，获得键合结构。本发明的技术方案能够防止混合键合界面与键合胶直接接触，确保键合界面层的表面具有很高的清洁度，避免导致芯片与目标晶圆之间的混合键合工艺出现异常。
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公开(公告)号：CN114628240A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202011452333.X
申请日：2020-12-10
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/18 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种芯片晶圆的堆叠方法，包括：提供待处理晶圆，所述待处理晶圆包括衬底、位于所述衬底上的介质层和嵌设于所述介质层中的金属层；形成键合层，所述键合层覆盖所述介质层；从所述待处理晶圆上拾取待键合的芯片，将所述待键合的芯片排列在静电吸盘上；将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，将所述静电吸盘上排列后的所述芯片作为一个整体与所述待键合的晶圆键合，可极大减少活化后，芯片与晶圆键合的等待时间，降低活化失效的风险。将所有待键合的芯片预先排列在静电吸盘上，然后作为一个整体进行键合的方式比在键合的同时进行排列分布效率更高。
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