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公开(公告)号：CN105843001A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201610181430.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。
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公开(公告)号：CN106783646A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611191657.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/27
Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合方法，其包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。采用本发明提供的晶圆键合方法，避免了晶圆键合后形成缝隙或者减小了晶圆键合后缝隙的尺寸。
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公开(公告)号：CN105843001B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201610181430.7
申请日：2016-03-28
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: G03F7/42
Abstract: 本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。
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公开(公告)号：CN106783646B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201611191657.6
申请日：2016-12-21
Applicant: 武汉新芯集成电路制造有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种晶圆键合方法，其包括以下步骤：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一面离边缘指定距离区域和/或第二晶圆的第一面离边缘指定距离区域形成一环状膜层；在所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面形成一平坦化层，第一晶圆上的平坦化层和/或第二晶圆上的平坦化层连接环状膜层构成一连续膜层，所述连续膜层的边缘区域的高度不低于其中心区域的高度；将所述第一晶圆的第一面和所述第二晶圆的第一面相对放置，并对所述第一晶圆和/或所述第二晶圆施加压力，以实现所述第一晶圆和第二晶圆的键合。采用本发明提供的晶圆键合方法，避免了晶圆键合后形成缝隙或者减小了晶圆键合后缝隙的尺寸。
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