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公开(公告)号：CN108425106B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201810180381.4
申请日：2018-03-05
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种n型磷掺杂金刚石薄膜中去除氢杂质的仿真方法，根据含时密度泛函与分子动力学理论，对n型磷掺杂金刚石薄膜模型进行第一性原理与分子动力学计算，模拟出激光场、温度场下模型中的价电子的光子吸收、价电子跃迁、化学键断裂，在此基础上，进一步提出了去除n型磷掺杂金刚石薄膜中的氢元素杂质的方法。计算出能够断裂磷氢键并去除氢杂质的飞秒激光的强度、频率以及温度的范围值。
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公开(公告)号：CN107695351B
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201710898857.3
申请日：2017-09-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种金属3D打印中逐层可选择性双模激光清洗方法和清洗装置，通过在3D打印机内设置辅助点激光、辅助线状激光和杂质检测装置；先利用辅助线状激光扫描清洗3D打印机基底表面；第一层铺粉开始打印后，杂质检测装置按打印路径逐条检测，当杂质颗粒大于规定值时启动辅助线状激光对已打印完成的路径进行清洗，当杂质颗粒小于规定值时启动辅助点激光对杂质颗粒挨个进行清除；待第一层加工清洗完成后，再第一层的方法开始下一层的加工和清洗，以此类推，进行逐层加工和清洗，直到完成整个工件的加工。本发明在源头上控制了打印质量，节约了时间和成本，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN119855166A
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202411990691.4
申请日：2024-12-31
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明涉及半导体器件的技术领域，具体涉及一种基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管及其制备方法，包括柔性基板，形成于柔性基板表面的金刚石衬底；沉积于金刚石衬底表面的AlN层；形成于金刚石衬底表面位于AlN层一端的阳极金属层；形成于AlN层表面的阴极电极层。本发明的基于极化界面二维电子气效应的金刚石二极管，在AlN薄膜层与金刚石之间构建出异质结构，形成了高迁移率的二维电子气(2DEG)，所述AlN薄膜层与金刚石形成极化表面，实现了金刚石的n型导电。
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公开(公告)号：CN118905729B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411113510.X
申请日：2024-08-14
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种半球形金刚石窗口磨抛装置及其磨抛方法。该装置包括：旋转夹持机构，用于固定并控制所述被打磨物体进行转动；研磨颗粒输送机构，通过移动机构驱动，用于向被打磨物体的待打磨表面输送带电的研磨颗粒；电场发生组件，至少包括一移动电极，通过移动机构在待打磨区域产生远离或者靠近被打磨物体的待打磨表面的电场，通过电场驱动研磨颗粒输送至被打磨物体的待打磨表面，在被打磨物体的旋转运动下实现研磨。
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公开(公告)号：CN115116833B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202210659786.2
申请日：2022-06-13
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L21/268 , H01L21/228 , H01L21/67
Abstract: 本发明属于半导体材料技术领域，公开了一种激光诱导单晶金刚石表面掺杂的装置及方法。本发明采用超短脉冲激光将含有掺杂元素的掺杂溶液进行激发、电离，产生掺杂粒子，利用超短脉冲激光使掺杂粒子注入至金刚石的表面，在金刚石的表面诱导产生掺杂导电层。本发明能够制备电导率良好的金刚石掺杂层，同时也能够灵活选择掺杂区域和掺杂浓度，制备重掺杂区域，能够实现性能优异的金刚石半导体材料的制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118951895A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411075205.6
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪FIB抛光修正装置。包括：真空腔，其内设置有移动台；转动机构，设置在移动台上，用于固定并控制被抛光物体进行转动；聚焦离子束发射单元，用于抛光被抛光物体；监测组件，包括振动性检测单元、粗糙度检测单元、表面损伤检测单元和温度检测单元，监测组件用于获取被抛光物体的振动性、粗糙度、表面损伤和温度；数字孪生平台，用于获取监测组件检测到的振动性、粗糙度、表面损伤和温度，并根据振动性、粗糙度、表面损伤和温度对抛光过程进行分析模拟，以生成调控指令，调控指令用于调控聚焦离子束发射单元的聚焦离子束的能量、聚焦离子束的束流密度和转动机构的转速。
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公开(公告)号：CN118848679A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411075203.7
申请日：2024-08-07
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明提供了一种基于数字孪生的半球形结构陀螺仪Ar离子抛光修正装置。包括：真空腔；转动机构，设置在真空腔的底部，可控制固定在转动机构上的被抛光物体进行转动；Ar离子束发射单元，用于抛光被抛光物体；检测组件，包括粗糙度检测单元、损伤检测单元和振动检测单元，用于检测被抛光物体的粗糙度，检测被抛光物体的表面损伤，检测被抛光物体的振动性；数字孪生平台，用于获取检测组件检测到的粗糙度、表面损伤和振动性，并根据粗糙度、表面损伤和振动性对抛光过程进行分析模拟，以生成调控指令，调控指令用于调控Ar离子束发射单元的Ar离子束能量、Ar离子束的角度和转动机构的转速。
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公开(公告)号：CN118682302A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410940756.8
申请日：2024-07-15
Applicant: 武汉大学
IPC: B23K26/364 , B23K26/067 , B23K26/064 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种微波热辅助激光剥离碳化硅的方法及装置，所述方法包括，确定飞秒激光微切割、微波加热下纳秒激光热冲击对于碳化硅表面形貌以及晶格改性的工艺参数；对待剥离的碳化硅进行飞秒激光微切割，在剥离面形成微槽、改性剥离面内部；在微波加热下使用纳秒激光热冲击微槽，实现对碳化硅的剥离。本发明创新性地提出微波局域热辅助飞秒‑纳秒双束激光异步加工方法，通过飞秒激光布置冲击种子点，并沿切割路径进行碳化硅内部辅助改性，基于微波快速均匀加热切割路径，激活切割面晶格活性，再通过随形聚焦的纳秒激光连续冲击，实现大厚度碳化硅低表面损伤高效剥离。
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公开(公告)号：CN117832259A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311854735.6
申请日：2023-12-28
Applicant: 武汉大学
IPC: H01L29/267 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种基于P型二维材料和异质N型金刚石的PN结及其制备方法，首先准备异质衬底；然后采用MPCVD工艺，在异质衬底上外延多晶纳米金刚石，得到异质外延的N型纳米金刚石层；之后在N型纳米金刚石层上制备P型二维材料层，得到P型二维材料和N型金刚石复合的PN结。所述N型纳米金刚石层包括异质衬底和制备于异质衬底上的纳米金刚石，所述纳米金刚石包括多晶金刚石和分散多晶金刚石之间间隙处的碳材料，多晶金刚石的晶粒尺寸为纳米级，所述异质衬底的晶格常数与多晶金刚石的晶格常数差异不超过25％。本发明相比现有材料制成的PN结能够承受更大的电压、产生更小的漏电流，形成更好的导通与截止性质。
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公开(公告)号：CN117594637A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311828722.1
申请日：2023-12-28
Applicant: 武汉大学
Abstract: 本发明公开了一种基于异质结构的金刚石基PN结及其制备方法，首先对异质衬底进行表面清洁处理；然后在异质衬底上制备金刚石籽晶；将异质衬底置于MPCVD腔体中，通入刻蚀气体和碳源气体，调整外延参数生长多晶金刚石，在生长多晶金刚石的同时伴随碳材料生成，形成多晶金刚石和碳材料交替分布的纳米金刚石层，纳米金刚石层在异质衬底的界面作用下形成异质外延N型纳米金刚石；之后继续外延P型多晶金刚石或者与采用MPCVD工艺制备的P型单晶金刚石键合得到金刚石基PN结。本发明金刚石基PN结制备工艺简单，可靠性好，相比现有材料制成的PN结能够承受更大的电压、产生更小的漏电流，形成更好的导通与截止性质。
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